1,RAM 控制器介绍
RAM 控制器(RAMCTL)可以在不同的电源模式下对 RAM 进行操作。该控制器可以在 CPU 关闭的时候降低漏电流。RAM 可以同样被关闭。在待机模式 RAM 中的数据可以保留,但是在关闭模式,RAM 中的数据将丢失。RAM 中分为若干段,典型值是每段占 4K 空间。寄存器 RCCTL0 的 RCRSy OFF 位控制每段 RAM 的开启关闭。寄存器 RCCTL0 是密码保护的,只有写入字时写入正确的密码才能更改寄存器内部的值,写入字节或者写入错误的密码的操作将被忽略。
2,RAM 控制器的操作
活动模式:
在活动模式可以在任何时刻对 RAM 进行读写操作,如果 RAM 中某一段有数据保存,那么整个段都不能关闭。
低功耗模式:
在所有的低功耗模式,cpu 都处于关闭状态,当 CPU 关闭的时候 RAM 进入待机模式,减小漏电流。
RAM 关闭模式:
每一段 RAM 可以通过 RCRSy OFF 位独立关闭。读取关闭的 RAM 段地址,读出的数据全部都是“0”。所有以前保存在 RAM 中的数据将丢失并且不能恢复。
堆栈指针:
程序指针被锁定在 RAM 区间,如果要相应中断或者已经进入低功耗模式,保存指针的 RAM 段不能关闭。
3,RAM 控制器相关的寄存器
RAMCTL 模块寄存器
RCKEY 15-8 位 RAM 控制密钥。读出的值总是 69H,写操作时这几位必须写 5AH,否则写操作将被忽略。
Reserved 7-4 位 保留,读出总是 0。
RCRSy OFF 3-0 位 控制 RAM 第 y 段关闭。该位置位将关闭相应的 RAM 段,具体地址参见相应的数据手册。关闭后该部分保存的数据丢失。
关键字:MSP430F5438A RAM 控制器
引用地址:
MSP430F5438A RAM控制器
推荐阅读最新更新时间:2024-11-12 19:27
步进电机控制器MS35711T概述、特点及应用
1.产品简述; MS35711T 器件是一款步进电机控制器, 它使用外部 N 沟道 MOSFET 来驱动一个双极步进电机或两个刷式直流电机。 MS35711T 支持全步进到 1/256 步进驱动模式。通过使用自适应消隐时间和包括自动混合衰减模式在内的多种不同的电流衰 减模式, 可实现非常平滑的运动过程。 电机运动采用标准的 DIR/STEP 控制方法。器件运行通过 一 个 SPI 串行接口控制。 输出电流(扭矩)、步进模式、衰减模式 和堵转检测功能都可以通过 SPI 串行接口进行编程。 2.主要特点; 1、PWM 调制微步进电机驱动控制器 2、内置 256 细分 3、可选 STEP/DIR 接口控制或者直接 PWM 控制接
[嵌入式]
ARM启动过程中的为什么要做内存重映射
ARM启动过程中首先是映射SRAM地址到0x0,这个时候DRAM是映射到自己的物理地址的,也就是说尚未进入操作系统; 之后要进行地址重映射,把SRAM从0x0搬走,将DRAM的地址映射到0x0,这是为了保证一些中断处理程序等的地址正确性,而且之后正式进入操作系统运行。 那么为什么不从一开始就把DRAM映射到0x0呢,我想,是因为系统启动之后程序从0x0开始运行,先把SRAM映射到这个位置,执行SRAM中的代码,进行必要的初始化,之后把DRAM映射进来,进入操作系统。 实际上整个系统是的启动是从复位异常中断处理程序开始的,这个中断是有复位引脚上电引发的,也就是我们的开机按钮操作,这个程序的地址就在0x0(或者0xFFFF0
[单片机]
美光确认启动“生产可用”版 12 层堆叠 HBM3E 36GB 内存交付
9 月 6 日消息,美光在本月发布的技术博客中表示,其“生产可用”(IT之家注:原文 production-capable)的 12 层堆叠 HBM3E 36GB 内存现正向主要行业合作伙伴交付,以在整个 AI 生态系统中进行验证。 美光表示,其 12 层堆叠 HBM3E 容量较现有的 8 层堆叠 HBM3E 产品高出 50%,允许 Llama-70B 这样的大型 AI 模型在单个处理器上运行,可避免多处理器运行带来的延迟问题。 美光 12 层堆叠 HBM3E 内存具有 9.2+ Gb/s 的 I/O 引脚速率,可提供 1.2+ TB/s 的内存带宽。美光同时还宣称该产品较友商 8 层堆叠 HBM3E 竞品功耗明显更低。 HB
[半导体设计/制造]
更便利、更高效,全新STM32WB无线微控制器问市
意法半导体推出整合基本功能与节能技术的新产品,扩大STM32WB* Bluetooth® LE微控制器(MCU)产品线。 双核微控制器 STM32WB15 和 STM32WB10超值系列 搭载主应用处理器Arm® Cortex®-M4和Bluetooth 5.2蓝牙处理器Cortex-M0+,保证两个处理器都能实现出色的实时性能。射频端链路预算达到102dBm,确保远距离网络连接稳定可靠,并集成巴伦(平衡-不平衡变换器)电路,节省电路板空间和材料清单成本。 新产品采用一种新的射频保持正常工作的超级省电模式,以及精心定制的外设和内存,适用于对成本敏感、注重功耗的嵌入式应用,包括可穿戴设备、信标、智能断路器、跟踪器, 物
[单片机]
Microchip推出全新数字增强型电源模拟控制器
MCP19118/9在紧凑电路解决方案中提供简易的模拟PWM控制和可配置的MCU,行业首款工作电压达40V、兼容PMBus™的控制器。 全球领先的整合单片机、混合信号、模拟器件和闪存专利解决方案的供应商——Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)近日宣布推出最新数字增强型电源模拟(DEPA)控制器——MCP19118和MCP19119(MCP19118/9)。新器件可为同步降压DC-DC转换器提供简易又高效的模拟PWM控制,工作电压可达40V,并结合了一个可配置的数字MCU。这是业内首款结合40V工作电压和PMBus™通信接口的器件。这些特点加上一个可在集成的8位PIC® MCU内核固件中编
[电源管理]
未来电子电气架构核心域控制器技术解析
现在汽车的电子电气架构逐步在更新,越来越多的ECU进行整合,从原来的分布式阶段逐步演进到域控制器和中央计算架构。在架构演进过程中,支撑这一变革的底层芯片也在逐步发展,越来越多的主机厂关注的是一整套的解决方案,而不是独立的芯片解决单独的区域。面向未来电子电气架构核心区域进行全场景布局的芯片厂商,将具备更明显的竞争优势。 主流OEM电子电气架构的演变进度 博世认为汽车电子电气架构演变路径为分布式、域集中、中央集中式。电子电气架构逐步成为汽车产品的一个核心技术,过去汽车上的控制器相互独立,软件为嵌入式,整车做最终的集成即可,随着分布式架构朝着域控制器,主机厂自己掌握中央控制系统,否则就会失去对汽车产品的控制权。 特斯拉Mod
[嵌入式]
STM32微控制器可连接移动平台子系统
中国,2014年7月1日 ——意法半导体最新推出的专用低压STM32微控制器微助力设计人员克服在为主处理器增加辅助芯片(companion chip)时所面临的挑战。新系列专用低压微控制器与主处理器的数字电源域(digital power domain)相同,例如1.8V电源,同时准许片上外设使用电压更高的电源,例如,3.3V,从而避免了常见的性能与电压之间的矛盾问题。 STM32F038/48/58/78和STM32F318/28/58/78低压辅助微控制器是设计人员提高模块划分灵活性的理想解决方案。当需要模拟电压动态范围很宽或直接连接USB设备时,单片整合1.8V数字电源域和独立模拟电源域具有特别强的优势。 § ST
[单片机]
工业控制器的制作与数学的关系
数学在工业控制器设计中的应用 工业控制器的设计涉及到多个方面,包括硬件设计、软件设计、系统架构设计等。在这些设计过程中,数学发挥着关键作用。 1.1 硬件设计中的数学应用 工业控制器的硬件设计主要包括处理器、存储器、输入/输出接口等部分。在这些部分的设计中,数学的应用主要体现在以下几个方面: 1.1.1 处理器性能评估 在处理器的选择过程中,需要评估其性能指标,如处理速度、功耗、可靠性等。这些指标的评估往往需要运用数学模型和算法,如性能评估模型、功耗评估模型等。 1.1.2 存储器容量计算 工业控制器需要存储大量的控制程序和数据,因此需要合理计算存储器的容量。这需要运用数学公式和算法,如存储器容量计算公式、数据压缩算法等。 1
[嵌入式]