推荐阅读最新更新时间:2024-11-19 13:11
利用 Platform Flash PROM 实现多重启动功能
提要 一些应用利用 Xilinx FPGA 在每次启动时可改变配置的能力,根据所需来改变 FPGA 的功能。Xilinx Platform Flash XCFxxP PROM 的设计修订 (Design Revisioning) 功能,允许用户在单个PROM 中将多种配置存储为不同的修订版本,从而简化了 FPGA 配置更改。在 FPGA 内部加入少量的逻辑,用户就能在 PROM 中存储的多达四个不同的修订版本之间进行动态切换。多重启动或从多个设计修订进行动态重新配置的能力,与 Spartan-3E FPGA 和第三方并行 flash PROM 一起使用时所提供的 MultiBoot 选项相似。 本应用指南将进一步说明 Platf
[嵌入式]
为什么STM32的Flash地址要设置到0x08000000?
我们言简意赅的普及下这个知识点,争取让大家不伤脑细胞。 背景知识 M3,M4内核芯片上电复位后,要固定从0x0000 0000地址读取中断向量表,获取复位中断服务程序的入口地址后,进入复位中断服务程序,其中0x0000 0004存的是复位中断服务程序地址。 引出问题 既然ARM规定了M3,M4内核要从地址0x0000 0000读取中断向量表,而STM32设置Flash地址到0x0800 0000怎么办? STM32支持了个内存重映射功能,将地址0x0800 0000开始的内容重映射到首地址0x0000 0000中,这样就解决了从0x0000 0000读取中断向量表的问题。 那么新的问题来: (1) 你怎么保证0x08000
[单片机]
STM32F7xx —— 内部flash
这个就没什么好说的了,直接上代码了,主要封装了三个函数,擦除,写flash,读flash。 // STM32F767IGT6: 1M flash // STM32F767ZIT6: 2M flash #define ADDR_FLASH_SECTOR_0 ((uint32_t)0x08000000) /* Base @ of Sector 0, 32 Kbytes */ #define ADDR_FLASH_SECTOR_1 ((uint32_t)0x08008000) /* Base @ of Sector 1, 32 Kbytes */ #define ADDR_FLASH_SECTOR_2 ((uint32_
[单片机]
三星中国西安NAND Flash工厂二期项目动工
在当前NandFlash存储器仍旧供不应求,市场价格依旧居高不下的情况下,日前全球NandFlash存储器龙头企业的韩国 三星 ,日前宣布将在本月底正式动工的中国西安NandFlash存储器厂的扩建计划,28日正式动工,预计将在2019年完工启用。下面就随手机便携小编一起来了解一下相关内容吧。 据了解,该项总金额高达70亿美元,工程期间达到3年的扩厂计划,是 三星 在2017年的8月间所宣布。目前 三星 西安厂的第一期产线是在2014年所建置,月产能为12万片。如今,新的产线动工建置,未来完成之后将可再为三星增加每月20万片的产能。 只是,该新的NandFlash存储器的产线虽然对三星极为重要,但三星也曾经一度面临放
[手机便携]
AVR单片机用progisp下载时报错Chip Enable Program Error
两块ATmega16总是下载不成功,无论是读芯片ID还是读FLASH都提示chip enable program error. 报错的“咣咣”声,震的头都蒙了。 查了网上的解决方案,分析有以下几种原因: 1、下载线的问题 2、固件有问题 3、下载器损坏 4、驱动没安装好 5、单片机供电电路,震荡电路,复位电路,有问题 6、熔丝位配置错误 也找到了几种解决方案,据他们说他们这么做好用了。 1、外加时钟就可以 2、要用老ATmega16把新ATmega16烧一遍, 再用 3、重启电脑 ,换一个USB口试一下 4、ATmega16默认是用内部1M RC起振,一般要用USBASP的低速模式,短接慢速下载就行了 本人比较倾向与解决方案的
[单片机]
STM32F0(10)片内 FLASH 操作
void Flash_Init(void) { // 调整flash与时钟速率之间的关系 FLASH- ACR |= FLASH_ACR_LATENCY; } void Flash_Unlock(void) { // FLASH- CR 的第7位为解锁的标志位或者上锁的操作位 while(FLASH- CR & FLASH_CR_LOCK) { FLASH- KEYR = FLASH_FKEY1; FLASH- KEYR = FLASH_FKEY2; } } void Flash_Lock(void) { FLASH- CR |= FLASH_CR_LOCK; } void Flash_Clear_All_Flag(void) {
[单片机]
2018年内存产业DRAM/NAND Flash恐是两样情
2017年,整体内存产业不论 DRAM 或 NAND Flash,都度过了一个黄金好年,那么2018年可否持续荣景呢? 综合目前业界的看法, DRAM 热度可望延续,供不应求态势依旧,但NAND部分,恐怕就不会那么乐观了,由于大厂3D NAND良率大跃进,供给过剩问题已经提前在2017年第四季引爆,至少2018年上半年恐怕都不会太理想, 最快2018年第二季供需平衡,第三季再度供给吃紧,届时产业由悲转喜。下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。 DRAM 无新增产能 首先就DRAM部分,以大方向来说,2018年在Fab端并无新增产能,顶多就是制程从2X奈米推进到1X奈米或是1Y奈米,带动位的成长。 市调
[网络通信]
NAND Flash存储器管理算法的设计及实现
O 引言
Flash是一种非易失存储器,它在掉电条件下仍然能够长期保持数据。由于它具有容量大、速度快、功耗低、抗震性能好等优点,近几年在U盘、SD卡、SSD硬盘等各种移动存储设备中得到了广泛的应用。本文给出了一款性能优异、成本低廉可用于SD卡的NAND flash控制芯片的设计方法。(本方法也同样适用于其他存储设备。文中集中探讨了一种高效管理物理块的算法,包括逻辑物理地址映射以及spare区的定义,另外,还有双缓冲器优化读写的方法等。
1 Flash简介
1.1 SLC flash与MLC flash的比较
从架构上,flash可以分为SLC(Single-Level-Cell) flash
[嵌入式]