ARM片内资源中,内存很小,为了能够运行操作系统和大的应用程序,需要在ARM存储接口上进行扩展,如SDRAM,SRAM,ROM,FLASH等,ARM提供一个存储管理器部件,为访问外部存储设备提供存储地址信号和控制信号,即存储器控制器。
硬件学习,首先要明确目的,多问为什么?
1、引出存储器管理器作用:
(对SDRAM、网卡、nor等设备进行初始化,以便存储器管理器配合CPU进行与外设数据通讯)
(1)为什么存在存储器管理器:
CPU不会管太多,CPU只会发出指令从某个地址读数据,此时存储器管理器会根据地址判断时什么设备,并负责数据操作,把CPU想操作的数据反馈给CPU:
存储器管理器根据地址 知道是什么东西,然后发出片选等信号(bank0-7)
(2)想访问一个存储芯片 需要哪些条件?
(1) 地址线
(2) 数据线 8/16/32 数据宽度
(3) 时钟频率
(4) 芯片相关特性
参考如下:http://www.cnblogs.com/hyd-desert-camel/p/3353415.html
(3)使用存储控制器访问外设的原理
S3C2440的地址空间:
27位地址线,32位数据线,8个片选信号。共8个存储器(BANK0-7)1GB
系统上电将从bank0开始执行。
S3C2440对外引出27根地址线ADDR0-ADDR26,访问范围只有128MB,CPU对外还引出8根片选信号nGCS0-nGCS7,对应BANK0-BANK7,当访问BANKx的地址空间时,nGCSx引脚输出低电平来选中外接设备。
这样每个128MB空间,共8个片选,对应1GB的地址空间。空间分布图如下:
BANK0-BANK7的地址范围如下:
0x00000000-0x3FFFFFFF:BANK0-BANK7
0x4000 0000-0x47FF FFFF :根据启动方式不同,作用不同。
0x4800 0000-0x5FFF FFFF:特殊功能寄存器
0x6000 0000-0xFFFF FFFF:未被使用
BANK访问地址=Bank起始地址(0X30000000)+地址线地址(ADDR[25:0])*2=0X30000000-0X33FFFFFF.
S3C2440是32位CPU,可以使用的地址范围理论达到4GB,除去上面连接外设的1GB空间外,还有一部分是CPU内部寄存器的地址,剩下的地址空间没有使用。
2440寄存器地址范围处于:0x4800 0000-5fff ffff,寄存器地址范围如下:
(4)存储控制器与外设的关系
BANK0-BANK5的连接方式类似,BANK6连接SDRAM时复杂一些,SDRAM内部是一个存储阵列,指定一个行,再指定一个列,就可以准确找到所需要的单元格,而SDRAM有4个逻辑表格(L-BANK)
那么SDRAM的访问步骤为:
1)CPU发出片选信号nSCS0(与nGCS6是同一引脚)有效,选中SDRAM芯片
2)SDRAM有4个L-BANK,需要两个地址信号来选中其中一个,即ADDR24、ADDR25,如下图
3)对被选中的芯片进行同一的行/列(存储单元)寻址
根据SDRAM芯片的列地址线数目设置CPU相关寄存器后,CPU会从32位地址中自动分出L-BANK选择信号、行地址信号、列地址信号,然后先后发出行地址信号、列地址信号。L-BANK选择信号在发出行地址信号的同时发出,并维持到列地址信号结束
如上图:行地址、列地址公用地址线ADDR2-ADDR14,使用nSRAS(R=Row)、nSCAS(C=Column)两个信号来区分它们,当nSRAS信号有效时,ADDR2-ADDR14发出的是行地址,对应地址空间bit[23:11],当nSCAS信号有效时,ADDR2-ADDR14发出的是列地址,对应地址空间bit[10:2]。
4)找到存储单元后,被选中的芯片就要进行统一的数据传输。
开发板使用两片16bit的SDRAM芯片并联形成32位的位宽,与CPU的32根数据线DATA0-DATA31相连,BANK6的起始地址位0x30000000
(5)存储控制器的寄存器使用方法
存储控制器共有13个寄存器,BANK0-BANK5只需要设置BWSCON和BANKCONx两个寄存器,BANK6、BANK7外接SDRAM时,还要设置REFRESH,BANKSIZE,MRSRB6,MRSRB7,等4个寄存器,下面分别说明
1)位宽和等待控制寄存器BWSCON
BWSCON中每四位控制一个BANK,最高4位对应BANK7、接下来4位对应BANK6,依次类推,如下图
STx:启动/禁止SDRAM的数据掩码引脚
WSx:是否使用存储器的WAIT信号
DWx:设置对应BANK的位宽,0b00对应8位,0b01对应16位,0b10对应32位,0b11表示保留
比较特殊的是BANK0,它没事ST0和WS0,DW0只读,由硬件跳线决定,0b01表示16位,0b10表示32位,BANK0只支持16、32两种位宽
所以可以确定BWSCON寄存器值为:0x22011110
2)BANK控制寄存器BANKCONx(x为0-5)
这些寄存器用来控制BANK0-BANK5外接设备的访问时序,使用默认0x0700即可
3)BANK控制寄存器BANKCONx(x为6-7)
MT[16:15]:设置BANK外接ROM/SRAM还是SDRAM,00=ROM/SRAM,01=保留,10=保留,11=SDRAM
MT=0b00时,与BANKCON0-BANKCON5类似
MT=0b11时,
Trcd[3:2]:RAS to CAS delay,设为推荐值0b01
SCAN[1:0]:SDRAM的列地址数,本开发板使用的SDRAM列地址数为9,0b00=8位,0b01=9位,0b10=10位
所以本开发板,BANKCON6/7均设为0x00018005
4)刷新控制寄存器REFRESH
REFEN[23]: 0=禁止SDRAM的刷新功能,1=开启SDRAM的刷新功能
TREFMD[22]: SDRAM的刷新模式,0=CBR/Auto Refresh,1=SelfRefresh
Trp[21:20]: SDRAM RAS预充电时间 00=2 clocks,01=3clocks,10=4clocks,11=不支持
Tsrc[19:18]: SDRAM半行周期时间 00=4clocks,01=5clocks,10=6clocks,11=7clocks,SDRAM行周期时间Trc=Tsrc+Trp
Refresh Counter[10:0]: SDRAM刷新计数,刷新时间=(2^11+1-refresh_count)/HCLK,在未使用PLL时,HCLK=晶振频率12MHz,刷新周期为7.8125us
refresh_count=2^11+1-12*7.8125=1955
REFRESH=0x008C0000+1955=0x008C07A3
5)BANKSIZE寄存器
BURST_EN[7]: 0=ARM核禁止突发传输,1=ARM核支持突发传输
SCKE_EN[5]: 0=不使用SCKE信号令SDRAM进入省电模式,1=使用SCKE信号令SDRAM进入省电模式
SCLK_EN[4]: 0=时刻发出SCLK信号,1=仅在方位SDRAM期间发出SCLK信号
BK76MAP[2:0]: 设置BANK6/7的大小,0b010=128MB/128MB,0b001=64MB/64MB,0b000=32M/32M,0b111=16M/16M,0b110=8M/8M,0b101=4M/4M,0b100=2M/2M
本开发板外接64MB的SDRAM
则本开发板BANKSIZE设为0xB1
6)SDRAM模式设置寄存器MRSRBx(x为6-7)
CL[6:4]: 0b000=1clocks,0b010=2clocks,0b011=3clocks
本开发板取0b011,所以MRSRB6/7取值为0x30
2、SDRAM相关
SDRAM有4个bank
数据 检索需要知道:Bank-列地址-行地址
外部设备属性和行地址多少位 列地址多少 多少个bank等都需要知道
只有配置好 存储管理器 ,才知道怎么去访问外部设备(SDRAM,网卡等)
SDRAM:列地址 行地址 刷新频率 bank地址位宽
把这些告诉存储器管理器,即配置存储器管理器。
SDRAM与CPU连接如下图所示:
查看芯片手册与2440手册,找到相关属性的值,准备配置给存储器控制器的相关寄存器。
位宽:16*2=32位 (2片SDRAM组成32位位宽)
bank怎么接S3C2440手册有告诉:
地址线为什么从A2开始?
2440以 字节为单位读取数据 sdram 是32位数据操作 CPU发出0 123地址返回的内容一样,具体由存储器管理器 实现到2440的分配。所以对于32位宽,从A2开始接。
2440最多接8个 类似SDRAM、网卡、nor flash的设备 因为有8个bank 即8个片选信号ngcs0-7.
配置寄存器
相关寄存器一共有13个(SWSCON, BANKCONx (x=0~7), REFRESH, BANKSIZE, MRSRB6, MRSRB7)
想使用SDram 需要先配置存储器管理器 :
SDRAM只需配置好SWSCON, BANKCON6,, BANKCON7, REFRESH, BANKSIZE, MRSRB6, MRSRB7, 一共7个寄存器
查看2440手册 我们知道存储器控制器需要设置的寄存器主要有如下几个:
6 7比较特别 可以接SDRAM 有更多设置,列地址等
配置过程参考:http://blog.csdn.net/crazyleen/article/details/5940454:
1.BWSCON位宽和等待控制寄存器
每4位控制一个BANK。最高4位控制bank7,递减类推。
STx: 内存为SDRAM,此位为0,SRAM的为1
WSx:通常设为0
DWx:用两位来设置位宽,0b00为八位,0b01为16位,0b10为32位,0b11为保留
我的开发板上是MT48LC16M16A2P型号的16位SDRAM,由2片组成32为的SDRAM,所以我设置的高4位为0b0010,。BANK6与BANK7的设置需相同,不管你用不用到BANK7,所以这里设子和为BWSCON=0x22000000
BANKCON6与BANKCON7
MT[16:15]: 设置bank外接的存储器类型,0b00为SRAM,0b11为SDRAM
设置为0b00的sram,其他位的设置与bank[1:5]的类似,设置为SDRAM的,其他未进行如下设置:
Trcd[3:2]: RAS to CAS delay, 我使用保守值:0b10
Scan[1:0]: SDRAM的列地址位数,0b00表示8位,0b01表示9位,0b10表示10位。查阅内存的datasheet得知,我的开发板上的是9位,所以,本开发板的bank6,bank7都设置为BANKCONx=0x00018005
刷新控制REFRESH
R_CNT[10:0]: 由公式R_CNT=2^11 + 1 - SDRAM频率(MHz) * SDRAM刷新周期(us)
查阅内存datasheet,我的是64ms 8,192-cycle refresh,所以刷新周期=64ms/8192=7.8125us
这里我还没使用PLL,sdram频率为晶振频率12MHz,
计算R_CNT=2^11 + 1 - 12 * 7.8125 = 1955
所以我的REFRESH设置为0x008c0000(其他位的固定设置) + 1955 = 0x008c07a3
BANKZIZE
Bk76map[2:0]: bank6,7的大小,0b001为65mb
我这里设置为0xb1
SDRAM模式设置
只需修改为CL[6:4],这是时序时间参数,我用保守值MRSRB67=0X30
结构:
3代码实现:
2440启动过程:
(1)nor
(2)nand(bank0失效,nor不可用)
实验流程:
(1) 关闭看门狗
(2) 设置存储控制器寄存器(配置)
(3) 复制代码到SDRAM中copy_steppingstone_to_sdram
(4) 设置堆栈
(5) 跳转main执行
arm-linux-ld-Ttext 0x30000000 head.o leds.o -o sdram_elf
链接地址:运行时,程序应该位于哪里
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