STM32H7内部Flash的读保护说明（Level0默认，Level1连接保护，Level2设备和自举保护）-电子工程世界

RDP（read out protection）

1、Level 0（无保护）

默认设置，所有读写和擦除操作都可以正常支持。

2、Level 1 （Flash连接保护）

（1）可以防止连接调试器时读取Flash内容，或者RAM中存有恶意获取代码，也是禁止的。

因此只要调试器连接芯片，或者从内部RAM启动运行代码，都是禁止访问内部Flash的.

（2）如果没有检测到从内部RAM启动，从系统bootloader启动且没有连接调试器，对用户Flash的读写和擦除操作都是允许的，并且其它安全存储区也是可以访问的。否则是禁止访问的，一旦检测到对Flash的读请求，将产生总线错误。

（3）如果将Level 1切换到Level 0时，用户Flash区和安全区域将被删除。

3、Level 2（设备保护和自举保护）

（1）所有调试特性被关系。

（2）禁止从RAM启动。

（3）除了选项字节里面的SWAP位可以配置，其它位都无法再更改。

（4）禁止了调试功能，且禁止了从RAM和系统bootloader启动，用户Flash区是可以执行读写和擦除操作的，访问其它安全存储区也是可以的。

特别注意：Level2修改是永久性的，一旦配置为Level2将不再支持被修改。

一览表：

设置读保护的话，使用HAL的API可以设置，也可以使用STM32CubeProg设置：

关键字：STM32H7 内部Flash 读保护引用地址：STM32H7内部Flash的读保护说明（Level0默认，Level1连接保护，Level2设备和自举保护）

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推荐阅读最新更新时间：2024-11-17 08:44

STM32读保护功能和清除读保护功能设置

1、STM32对内部Flash的保护措施所有STM32的芯片都提供对Flash的保护，防止对Flash的非法访问 - 写保护和读保护。 1)、读保护即大家通常说的加密，是作用于整个Flash存储区域。一旦设置了Flash的读保护，内置的Flash存储区只能通过程序的正常执行才能读出，而不能通过下述任何一种方式读出：通过调试器(JTAG或SWD)；从RAM中启动并执行的程序； 2)、写保护是以四页(1KB/页) Flash存储区为单位提供写保护，对被保护的页实施编程或擦除操作将不被执行，同时产生操作错误标志。读与写设置的效果见下表：读保护写保护对Flash的操作功能

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STM32H7内部Flash的读保护说明（Level0默认，Level1连接保护，Level2设备和自举保护）

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