MSP430F169 FLASH 操作

本章介绍430F169的FLASH操作以及特性

建议点击下方链接根据官方手册进行程序书写

废话不多说冲！！！

什么是FLASH 简单来说就像是储物间，你的代码就是物品存储在里面，用到那个代码时取出来用再放回去！

1 430F169 具有60KB主存和256B闪存和2KB RAM

相对于其他的单片机来说是比较大的存储空间了

2 注意事项

（敲黑板）

在进行FLASH操作的时候必须保证电压在2.7V以上时钟频率在257~476KHZ之间，不然会出现意想不到的错误

3 FLASH的写入和擦除

（敲黑板）

430F169这款芯片只支持段擦除或者块擦除（擦除主存段）或者全部擦除（主存加闪存）。

选择WRT或者BLKWRT选择是字/字节或者段写入

从RAM写入FLASH流程如下（*字写入*）

<1>关闭所有中断和看门狗（一般情况下关门狗默认关闭）

<2>通过BUSY判断FLASH是否忙碌

<3>设置FLASH控制寄存器 设置字写入（可以理解为解锁）

<4>写入数据

<5>设置控制寄存器（上锁）开启中断

从RAM写入FLASH流程如下（块写入）

<1>关闭中断和看门狗定时器

<2>判断是否忙碌

<3>设置FLASH控制寄存器

<4>设置块写入还是段写入

<5>是否等待

<6>是否忙碌

<7>是否写入其他快

<8>打开中断

4 停止操作FLASH

任何关于FLASH的读写操作可设置EMEX位来停止

5 4KB的FLASH例子如图

5 FLASH寄存器

<1>FCTL1,FLASH控制寄存器1（主要用来选择块写入或者字写入，擦除的方式）

<2>FCTL2,FLASH控制寄存器2（选择FLASH时钟和分频比）

<3>FCTL3,FLASH控制寄存器3（上锁，等待，忙碌）

<4>IE1，中断使能寄存器（内存访问冲突中断）

更加详细的细节请下载用户指导手册！！！！

6 写入FLASH操作流程（以我的代码为例）

<1>选择flash的时钟确定分频比（FLASH最后的时钟要在257~476Khz之间）

<2>FCTL1和FCTL3赋予写的权限擦除方式为段擦除

<3>执行一次假写（必须有）

<4>FCTL1赋予写权限选择字写入

<5>写入数据

<6>FCTL1和FCTL3关闭写权限上锁放置误操作

(本人用的是闪存A和B地址0X1010和0X1080)

void flash_init(void)

{

 FCTL2 = FWKEY + FSSEL0 + FN5;  //FLASH时钟初始化  MCLK（8MHZ） 32分频

}

void write_flashA(void)         //FLASH段A写入数据

{

  char *flash_ptr;

  unsigned int i;

  flash_ptr = (char *) 0x1080;   //指针指向你写的F

  FCTL1 = FWKEY + ERASE;   //执行写操作权限 擦除个别段

  FCTL3 = FWKEY;           //赋予写操作权限

  *flash_ptr = 0;          //执行一次flash 需要一次假写入

  FCTL1 = FWKEY + WRT;     //执行写操作权限 打开写模式

  for (i=0; i<128; i++)

  {

    *flash_ptr++ = value;//写入数据  真正执行写操

    value++;

  }

  FCTL1 = FWKEY ;           //清除 WRT写操作位

  FCTL3 = FWKEY + LOCK;    //FLASH上锁 防止误操作

}

7 确定FLASH写入成功

主程序

#include "msp430x16x.h"

#include "System_clock.h"

#include "flash.h"

void main( void )

{

  // Stop watchdog timer to prevent time out reset

  WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD;

  System_clock();               //初始化时钟

  flash_init();

  _DINT();                      //关闭中断

  write_flash(0x1010,123);

  write_flashA();

  copy_flashAtoB();

  read_and_write_one_flash();

  write_flash(0x1010,255);

  write_flash(0x1080,255);

  while(1)

  {

  }

}

(本人用的是闪存A和B地址0X1010和0X1080)

打开工程（下面有链接）点击 VIEW->Memory->memory1->0x1010->go to

430芯片初始状态都是0XFF如图

添加断点如图点击运行

点击单步调试

0X1010地址被写入123（0x7b）

一直单步调试流程图如下