首先需要了解NAND FLASH的结构。如图：以镁光MT29F4G08BxB Nand Flash为例，这款Flash（如上图）以4个扇区（sector）组成1个页（page）...
如今，有多种存储技术均具备改变嵌入式处理领域格局的潜力。然而，迄今为止还没有哪一种技术脱颖而出成为取代微控制器(MCU)中闪存技术的强...
磁性随机存取存储器(MRAM)是一种非易失性存储器技术，正在作为一种主流的数据存储技术被业界所广泛接受。它集成了一个磁阻器件和一个硅基选...
静态随机存储器（static RAM），简称SRAM。在电子设备中，常见的存储器有SRAM（静态随机访问存储器）、FLASH（闪速存储器）、DRAM（动态存...
1．半导体存储芯片的基本结构半导体存储芯片采用超大规模集成电路制造工艺，通过地址总线、数据总线和控制总线与外部连接。地址线是单向输...
在计算机系统中，无论使用动态RAM还是使用静态RAM，其最大的缺点是在断电以后，它所存储的信息即随之消失。即使是瞬时断电也会使它所存...
自问世以来，NAND闪存对ECC（纠错码）纠错能力的要求越来越高。虽然这不是一个新问题，但是支持最新的多层单元（MLC）架构和每单元存储三位数据（three-bit-per-cell）技术所需的ECC纠错能力让系统人员越来越难以应付。
过去 ......
东芝推出的微控制器实现了数码设备的高速运算功能 采用ARM® Cortex®-M4F和原创的 “PSC” 协处理器，实现了高速处理功能。
东京–东芝公司（TOKYO：6502）今天宣布，推出新产品“TMPM440F10XBG”，从此其应用于数码设备 ......
1 引言
铁电存贮器（FRAM）的核心技术是铁电晶体材料。这一特殊材料使得铁电存贮器产品同时拥有随机存取记忆体（RAM）和非易失性存贮器产品的双重特性。 铁电晶体材料的工作原理是：当我们把电场加载到铁电晶体材料 ......
数据获取及交换是多CPU系统的重要组成部分。在这类系统中,数据交换要求的通讯速率往往很高,平均速率一般在10k左右,有时甚至达100k以上。传统的并行接口和串行接口设计无论在通信速率,还是在可靠性方面都不易满足要求 ......
1 概述
在目前所有的非易失性存储器（PROM、EPROM、EEPROM和Flash）中,唯有Flash存储器几乎拥有现今讲究个性化的用户所需的所有特点,它具有掉电数据不丢失、快速数据存取速度、电可擦除、容量大、在线可编程、价格低廉 ......
1、引言 随着嵌入式系统应用领域的不断扩大，系统复杂性也在不断提高。闪存作为广泛使用的嵌入式存储设备，其管理技术和访问方式经历了一个由开发员直接控制到由操作系统的I/O软件间接控制的过程。然而目前现有的 ......
引 言 很多嵌入式系统，特别是应用于图像处理与高速数据采集等场合的嵌入式系统，都需要高速缓存大量的数据。DDR(Double Data Rate，双数据速率)SDRAM由于其速度快、容量大，而且价格便宜，因此能够很好地满足上述场合对大 ......
摘要 FM31256是一种基于I2C总线、采用铁电体技术的多功能存储芯片。除了非易失存储器外，该器件还具有实时时钟、低电压复位、看门狗计数器、非易失性事件计数器、可锁定的串行数字标识等多种功能。文章主要介绍了FM31256的基本功能、原理，并结合实例给出了其在电磁铸轧电源控制装置中的具体应用方法。
...
EEWorld订阅号
EEWorld服务号
汽车开发圈
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
单片机C语言编程与Proteus仿真技术 (徐爱钧)
Electric Motor Control: DC, AC, and BLDC Motors
