ST推出基于SOI基板的0.16μmBCD工艺制造芯片

　　意法合资的意法半导体（ST Microelectronics）宣布，该公司验证了计划用于医疗器械及混合动力车和电动汽车充电器的“超低”功耗芯片用工艺技术。该技术由名为SmartPM（Smart Power Management in Home and Health）的欧洲联盟开发。

　　SmartPM是在EU的ENIAC（欧洲纳电子行动顾问委员会）框架内结成的联盟，由意法半导体和欧洲的17个伙伴团体组成。17个团体分别是比利时、法国、德国、爱尔兰、意大利、荷兰、挪威、西班牙以及瑞典等9个国家的企业和学术机构。

　　此次用于制造验证芯片的是使用SOI（silicon-on-insulator）基板的BCD（bipolar-CMOS-DMOS）工艺，采用 0.16μm的曝光技术。利用该工艺，可在一枚芯片上集成绝缘层完全分离的高密度逻辑电路（1.8V和3.3V的CMOS）、最大耐压为300V的功率 MOSFET晶体管、低噪声元件以及高电阻寄存器。能够实现利用原来的体硅基板无法实现的ASIC。

　　验证芯片由意法半导体与世界顶级医疗器械厂商合作开发。是一款用于超声波扫描仪的芯片。此次的芯片可进行100沟道以上的处理，利用该芯片，能够实现拥有数千沟道的新一代超声波扫描仪。另外，利用现有的普通技术，一枚芯片只能进行8沟道左右的处理。