SD缓存、FeRAM、MRAM和PRAM的新技术纷纷发布

      在半导体电路技术国际会议“2009 IEEE International Solid-State Circuits Conference（2009 ISSCC）”开幕前夕的09年2月8日（星期日），主办方就4项技术分别举行了研讨会。这四个研讨会分别为汇集了以SSD为中心的内存子系统相关主题的“SSD Memory Subsystem Innovation”（F1）、致力于医用图像传感器技术的“Medical Image Sensors”（F2）、关于4G手机用RF技术的“GIRAFE：4G RF Frontends”（F3）、以及以超低电压电路设计为对象的“Ultra-Low-Voltage Circuit Design”（F4）。研讨会均从周日早上8点左右持续到傍晚。

      其中，SSD Memory Subsystem Innovation以“为专家们提供一个相互讨论内存系统重要课题的场所”（研讨会发起人兼会议主持人——东京大学竹内健）为目的。竹内表示，阻碍目前产品性能的主要原因是DRAM和硬盘间的性能瓶颈。产品的内存层按距离CPU运算电路最近的顺序依次为，“CPU的寄存器（不足1ns）、SRAM（不足1ns）、DRAM（10ns）以及硬盘（10ms），DRAM和硬盘间存在极大的性能差距。作为弥补该性能差的方法，目前主要集中在SSD的改进上”（东京大学竹内）。

      SSD Memory Subsystem Innovation上显示的SSD动向之一是，被称为新一代非易失性RAM的强介电体内存（FeRAM）、磁阻内存（MRAM）及相变内存（PRAM）供应商已开始将目标放在替换配备于SSD上的缓存用DRAM上。比如，研究FeRAM的东芝表示：“Windows OS可以将系统死机的影响控制在最小限度内，因此能够以非常短的间隔发出名为Flush Cache Commands的小规模数据。而目前的SSD用缓存为易失性DRAM，因此用户不想长时间在DRAM上保存Flush Cache Commands。这样一来，便会频繁发生NAND的区块拷贝，经常进行效率极低的写入动作。 另外，如果将SSD的缓存由DRAM改为非易失性RAM的FeRAM的话，系统便会将一定容量的Flush Cache Commands存入FeRAM，汇总后一起写入NAND闪存。由于可减少向NAND的无谓写入，因此有助于提高SSD的性能、降低耗电量以及增加可改写的次数等”（东芝）。

      此外，瑞士恒忆（Numonyx）和NEC也分别就PRAM和MRAM适合用作SSD缓存做了说明。理由与东芝基本相同。