NEC等开发出嵌入系统LSI的高速MRAM

      NEC和NEC电子2009年2月12日宣布，两公司已开发出了以嵌入系统LSI为目的的32Mbit高速MRAM（Magnetic RAM），并成功完成了实证实验。

　　NEC认为，通过将芯片上的SRAM替换为MRAM，可实现即使待机时切断电源，数据也不会消失的低耗电系统LSI（参阅本站报道）。该公司此前也一直在开发可嵌入系统LSI的高速MRAM技术，但高速运行的MRAM的单元尺寸比普通MRAM大，实现大容量成了一个难题。

　　此次开发的32Mbit MRAM削减了内存宏(Memory Macro)中周边电路的面积，将73％的宏面积分配给了内存单元。这样，证实了宏尺寸可缩小至与普通MRAM同样大小，有望实现大容量。

　　该32Mbit MRAM主要有两大特征。（1）开发出了可提高单元占有率的新写入电路，实现了高达73％的单元占有率；（2）采用了将电压水平转换导致的延迟最小化的解码器电路，实现了9ns的周期时间。

　　为了证实该产品在系统内的运行情况，在MRAM内存宏和外部输入输出间设置了转换电路，制作了可与非同期通用SRAM兼容的LSI。

　　两公司今后将以检验把大容量MRAM嵌入系统中的运行情况为目标，反复进行设计和试制。此次的成果已于2月11日（美国时间）在正于美国加利福尼亚州旧金山市举行的“IEEE International Solid-State Circuits Conference（ISSCC 2009)”上发布。