新型DirectFETplus功率MOSFET系列【IR】

最新更新时间:2011-02-14来源: EEWORLD 关键字:DirectFETplus  功率MOSFET  IRF6811 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章

    全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出DirectFETplus功率MOSFET系列,采用了IR的新一代硅技术,可为 12V输入同步降压应用提供最佳效率,这些应用包括新一代服务器、台式电脑和笔记本电脑。

   

    IRF6811和IRF6894是新系列DirectFETplus的首批器件,比上一代器件减少了导通电阻 (RDS (on) ) 和栅极电荷 (Qg) ,使其效率大幅提高2%。此外,这些器件具有超低栅极电阻 (Rg) ,通过把DC-DC转换器的开关损耗降至最低来进一步提高效率。

    IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“新款IRF6811和IRF6894芯片组利用IR的DirectFET 封装技术,并采用IR的新一代硅技术来优化关键的 MOSFET参数,为下一代计算需求提供性能卓越、可靠性高及占位空间小的最佳解决方案。”

    IRF6811控制MOSFET及IRF6894同步MOSFET分别以小罐及中罐供货。25V DirectFETplus 组件结合了业界领先的导通电阻和栅极电荷以及低电荷,将传导和开关损耗降到最低。IRF6894还设有集成式单片肖特基二极管,可降低由体二极管传导和反向恢复导致的损耗。新型DirectFETplus MOSFET与上一代器件的占位面积兼容。

关键字:DirectFETplus  功率MOSFET  IRF6811 编辑:赵思潇 引用地址:新型DirectFETplus功率MOSFET系列【IR】

上一篇:IDT 将在IIC China 展示先进混合信号产品
下一篇:可以任意设定线性特性的数字式线性化电路

推荐阅读最新更新时间:2023-10-12 20:20

IR潘大伟:善用功率器件,为节能设计保驾护航
在可以预见的未来,电能将会成为我们主要的消耗能源。大至高速列车,小至手机,都不能脱离电能而存在。无论什么类型的电能,大部分都难以直接使用,必须借助功率半导体进行功率变换以驱动设备。近年来,全社会追求低能耗风潮愈演愈烈,如变频空调、变频冰箱等产品层出不穷,其最终目的就在于最大限度减少电能损耗,实现变频功能也需要功率器件发挥自身神奇作用。如何才能实现更高效的节能设计?功率器件是如何达成节能的?电子发烧友网编辑带着种种疑问,专访了知名电源厂商IR公司亚太区销售副总裁潘大伟先生。   亟待解决电机节能设计问题   随着社会的发展不断向前推进,人们的生活水平也得到了提高,冰箱、空调以及其他的自动化产品开始进入千家万户。这些产品一年消
[模拟电子]
<font color='red'>IR</font>潘大伟:善用功率器件,为节能设计保驾护航
IR推出双输出SupIRBuck稳压器
全新双输出器件对5V到12V输入、1V到21V输入 (使用5V外偏置) 单电源轨操作进行了优化。IR3891和IR3892采用了纤巧的5×6mm PQFN封装,在165mm2的小巧占位面积内,分别为需要4A/通道或者6A/通道的应用带来极为紧凑的解决方案。 IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“IR3892单面电路板设计与传统的利用两个6A单输出转换器的设计相比,缩减电路板面积达46%。该器件也可用于双面电路板设计,可将传统设计中电路板面积所需空间减少到30%以下。” IR3891和IR3892配备获得专利的调变电路,能够在无抖动及无噪声的情况下以更高频率或带宽操作,实现更理想的瞬态响应,并可减少输出电容器数量和缩小整体系
[电源管理]
<font color='red'>IR</font>推出双输出SupIRBuck稳压器
IR推出IRS2538DS控制IC电感镇流器替代方案
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 近日推出可靠、高效且符合成本效益的控制IC,适用于荧光灯内的电感镇流器。 IRS2538DS效仿电感镇流器控制系统,采用IR的镇流器及高电压专利技术,以此提供易用、高性能且符合成本效益的单芯片式电感镇流器替代方案。 IRS2538DS采用SO8小型封装,通过崭新的控制方法实现高功率因数和超低总谐波失真 (THD) ,因而无需在输入端配备功率因数校正级和电解电容器。全新IC集成了600V半桥式控制电路、自举MOSFET和完善的保护功能,可进一步减少器件数量和电路板面积,提升可靠性。 IR亚太区销售
[电源管理]
60A额定电流器件 小尺寸大电流【IR
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出集成式PowIRstage® 产品系列的第一个产品IR3550,比竞争对手的解决方案提供更高效率和更出色的热性能。该产品除了拥有最小的占位面积外,还简化了DC-DC转换器的设计,适用于下一代高性能服务器、存储和通信系统。 额定电流为60A的IR3550可简化大电流及高性能多相降压稳压器的设计和实施,有助于实现比同类方案更低相位、更低成本的系统解决方案。 新推出的PowIRstage解决方案在一个高密度纤薄6mm x 6mm x 0.9mm PQFN封装中集成了高性能同步降压栅极驱动器、肖特基二极管,以
[电源管理]
实现IR接近检测的高速运算放大器
  IR(红外)接近传感器可以检测一个物体的存在,物体与一个基准的距离,或两者均可检测。其应用包括速度探测、自动水龙头的人手探测、传送带上物体的自动计数或检查,以及打印机的纸边缘检测等。例如,最新一代的智能手机可以在屏幕接触到脸颊或耳朵时,关闭LCD触摸屏,防止对某些键的误操作。   在检测物体时,接近传感器会向物体发射IR脉冲,然后“聆听”反射回来的任何脉冲。一只IR LED负责发射IR信号,而一只IR光电探测管则负责探测反射信号。反射信号的强度与物体距离IR收发器的距离成反比。当物体距离较近时,反射的IR信号较强,因此可以校准光电二极管探测器的输出,确定一个物体的精确触发距离。触发距离是用于确定一个物体是否存在的阈值。
[模拟电子]
Mouser备货Vishay Siliconix的Si8802 TrenchFET®功率MOSFET
2012年11月19日 – Mouser Electronics, Inc.正在备货Vishay Siliconix的第一款MOSFET产品,其额定导通电阻低至1.2V并采用了业界最小尺寸的芯片级封装。 Vishay Siliconix的Si8802 TrenchFet®功率MOSFET是第一款额定导通电阻低至1.2V的N沟道器件,采用尺寸最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装——Vishay的MICRO FOOT®。 8V、N沟道的Si8802与尺寸第二小的芯片级器件相比可节省高达36%的电路板空间,而其导通电阻却仍然相近——甚至更低。 对于需要P沟道器件的设计,Vishay的Si8805是业界第一款P沟道功率MO
[电源管理]
ST推微欧功率MOSFET晶体管,提高并联服务器电源能效
最新技术使导通电阻达到了业内最低水平,有利于MOSFET OR-ing应用 中国,2007年11月30日 — 意法半导体(纽约证券交易所:STM)今天推出一款型号为STV300NH02L的新的功率MOSFET,这款新产品的特性是导通电阻极低,达到微欧的水平,在要求严格的电源系统中,新产品有助于降低损耗,提高能效。这个高电流的N沟道MOSFET器件是为并联电源专门设计的,为了提高系统的可靠性,服务器广泛使用并联电源冗余结构。 ST开发出一项引线带楔焊键合创新技术,典型导通电阻Rds(on) 极低,只有800微欧 (0.8毫欧),为高电流的MOSFET器件创造了一个新的工业基准。这款20V的产品是降低高效直流直流变换器二次
[新品]
IR推出新型 20V 微电子功率 IC 光电继电器 可减少 50% 的导通电阻
全球功率半导体和管理方案领导厂商 ——国际整流器公司( International Rectifier ,简称 IR )近日推出光电继电器系列,主要应用于电脑、电脑外围设备、电源系统及配电系统、音频设备及电子仪器等市场 。   最新 PVN012A 系列可比原有产品减少 50% 的 AC/DC 导通电阻 ( R DD-ON ), 同时在 满占空比( 100% ) 条件下可增加达 37% 的 AC/DC 额定负载电流 。新产品也规定了最大脉冲(浪涌)负载电流。    IR 中国及香港销售总监严国富表示:“ PVN012A 系列 以其小封装、低导通电阻和高负载电流密
[新品]
小广播
最新模拟电子文章
换一换 更多 相关热搜器件
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved