力源产品目录--电源管理器件

赛灵思为分立的μP/μC和基于ASIC的器件提供替代解决方案 作者：Raj Kulkarni 嵌入式市场顾问 赛灵思公司 E-mail: raj.kulkarni@xilinx.com 在向一个嵌入式产品设计做出几年的财力和物力投资之后，你最不愿意听到的消息就是你所采用的器件已经“生命终止”。在分立的嵌入式处理中，陈旧过时意味着你必须为你的下一个设计转向采用另外一种处理器，并且完全可能要重新设计你想在市场中保持的现有产品。即使是半导体行业中的巨头，也并不是总能够为所有类型的应用找到利用个别分立解决方案的途径。许多最终产品无法证明采用特定的分立器件是恰当的，因此，随着时间的推移，甚至长期供应商也会在不合适的时间停止为他们

上海，2012年11月20日 –富士通半导体（上海）有限公司今日宣布采用其基于硅基板的氮化镓 (GaN) 功率器件的服务器电源单元成功实现2.5kW的高输出功率，富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用，对实现低碳社会做出重大贡献。 与传统硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有导通电阻低和能够进行高频操作等特性。而这些特性恰恰有利于提高电源单元转换效率，并使电源单元更加紧凑。富士通半导体计划在硅基板上进行GaN功率器件的商业化，从而可以通过硅晶圆直径的增加，来实现低成本生产。按照此目标，富士通半导体自2009年起就在开发批量生产技术。此外，富士通半导体自2011年起开

微细间距QFP器件手工焊接指南 范围 本文试图帮助设计者在没有表面安装设备的情况下制作第一个使用Cygnal TQFP和LQFP器件的样机系统本应用笔记假定读者至少具有通孔焊接的基本手工焊接技术本文介绍如何拆除清洗和更换一个具有0.5 mm间距的48脚TQFP器件 安全 所有的工作都应在一个通风良好的环境完成长时间暴露在焊锡烟雾和溶剂下是比较危险的在使用溶剂时不应有火花或火焰存在 工具和材料 合适的工具和材料是做好焊接工作的关键下表中列出Cygnal推荐的工具和材料其它的工具和材料也能工作因此用户可以自由选择替代品强烈建议使用低温焊料 所需的工具和材料 1 卷装导线规格30* 2 适于卷装

LDMOS (Lateral Diffused MetalOxide Semiconductor Transistor，横向扩散金属氧化物半导体)以其高功率增益、高效率及低成本等优点，被广泛应用于移动通信基站、雷达、导航等领域。射频大功率LDMOS由于具有P、L波段以上的工作频率和高的性价比，已成为3G手机基站射频放大器的首选器件。 随着IC集成度的提高及器件特征尺寸的减小，栅氧化层厚度越来越薄，其栅的耐压能力显著下降，击穿电压是射频LDMOS器件可靠性的一个重要参数，它不仅决定了其输出功率，它还决定了器件的耐压能力，因此必须要采取措施以提高器件的击穿电压。 本文将在基本LDMOS的基础上，通过器件结构的改进来提高LDMOS的抗击

DSP问世以来，以其强大的功能、合理的价格已经被设计者广泛应用。但不同于FPGA器件的是，DSP并不是为现场可编程而开发的，因此，在嵌入了DSP器件的产品中，如果需要对产品性能进行升级而需要升级程序时，往往会由于现场可编程能力缺乏，而给用户造成麻烦。本文以TI公司的54系列DSP为例，通过对DSP开发过程的分析和代码生成机理的深入研究，找到了一种对DSP器件进行现场编程的方法。 1 54x DSP的开发 CCS集成开发环境是TI公司针对其全系列DSP开发的仿真编译器，可开发目前TI公司几乎所有类型的DSP芯片。在CCS集成开发环境下，54x DSP的开发一般分为以下几个步骤：程序编写、程序编译、COFF文件生成、仿真运行、HEX

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，扩展IHSR系列高饱和商用电感器，推出最新4 mm x 4 mm 1616外形尺寸超薄封装器件---IHSR-1616AB-01。Vishay Dale IHSR-1616AB-01专为计算机、工业和通信应用多相大电流电源及滤波器而设计，直流电阻 (DCR) 比一般功率电感器降低50 %，直流电阻标准允差为5 %，最低3 %允差可用于更精确的电流采样。 日前发布的器件频率范围高达5MHz，特别适合用于DC/DC转换器能量存储，以及电感器自谐振频率 (SRF) 以下大电流滤波（参见下表）。应用包括笔记本电脑、台式电脑以及服务器

在经过多年研究和设计之后，碳化硅(SiC)和氮化镓 (GaN)功率器件正变得越来越实用。这些器件尽管性能很高，但它们也带来了许多挑战，包括栅极驱动要求。SiC要求的栅极电压(Vgs)要高得多，在负偏置电压时会关闭。GaN的阈值电压(Vth)则低得多，要求严格的栅极驱动设计。宽带隙(WBG)器件由于物理特点，机身二极管压降较高，因此对空转时间和打开/关闭跳变的控制要求要更严格。 准确的电源和测量测试对表征这些高压器件非常关键，以便能够及时制订正确的设计决策。提高设计裕量和过度设计只会推动成本上升，导致性能下降。此外，这些器件一般会涉及超过200 V的高压，因此确保人身安全，防止触电非常关键。 高压器件测试 高压半导体器件基本

在理想元件理论中，电容表现为容性。然而，这仅在特定的工作条件下成立，且取决于频率范围。本文重点 介绍不同电容的阻抗特性，并说明电容何时会表现为容性，何时不表现为容性。 通常用阻抗和频率来表示电容的频率特性。通过研究这些频谱，可获得大量电化学、物理和技术相关信息 。由于在某些情况下，产品规格书无法提供所有数据，工程师们不得不依靠测得的频谱为电路设计选择合适的元件。为了尽可能完善数据库，伍尔特电子 (Würth Elektronik eiSos, WE) 采用在线工具 REDEXPERT 为用户提供频谱和其他测量数据。 通过图 1 所示的电路，几乎可以对所有类型电容阻抗与频率的变化关系进行建模，包括多层陶瓷电容 (MLCC