PN结的形成及工作原理

  器件采用TO-220AB、ITO-220AB和TO-263AB封装,具有10A至60A的宽电流等级，在10A时的典型VF低至0.33V 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出12个具有三种功率封装的45V器件，这些器件具有10A～60A的宽电流等级，扩充了其TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器。这些整流器在10A时具有0.33V的极低典型正向压降，针对在太阳能电池接线盒中用作提供保护功能的旁路二极管进行了优化。 今天发布的器件包括双芯片的V(B,F)T1045CBP、V(B,F)T2045CBP、V(B,F)T3045CBP和V(B,F)T6045CBP。每款器件均提供TO-220

汽车电气化浪潮正席卷全球，电动汽车搭载的电机、车载充电器和DC/DC转换器等高压汽车系统都需要碳化硅（SiC）等创新电源技术。Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）今日宣布推出最新通过认证的700和1200V碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）功率器件，为电动汽车（EV）系统设计人员提供了符合严苛汽车质量标准的解决方案，同时支持丰富的电压、电流和封装选项。 Microchip新推出的器件通过了AEC-Q101认证，对于需要在提高系统效率的同时保持高质量的电动汽车电源设计人员来说，可以最大限度地提高系统的可靠性和耐用性，实现稳定和持久的应用寿命。新器件卓越的雪崩整流性能使设计人员可以减少对外

一、定性判断场效应管的好坏 先用万用表R×10kΩ挡(内置有15V电池)，把负表笔(黑)接栅极(G)，正表笔(红)接源极(S)。给栅、源极之间充电，此时万用表指针有轻微偏转。再改用万用表R×1Ω挡，将负表笔接漏极(D)，正笔接源极(S)，万用表指示值若为几欧姆，则说明场效应管是好的 。 二、判断结型场效应管的电极 将万用表拨至R×100档，红表笔任意接一个脚管，黑表笔则接另一个脚管，使第三脚悬空。若发现表针有轻微摆动，就证明第三脚为栅极。欲获得更明显的观察效果，还可利用人体靠近或者用手指触摸悬空脚，只要看到表针作大幅度偏转，即说明悬空脚是栅极，其余二脚分别是源极和漏极。 判断理由：JFET的输入电阻大于10

    宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 12 月6 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出具有高电流密度的新款45V TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器--- VSSAF3L45和VSSAF5L45。整流器采用高度0.95mm的表面贴装SlimSMA™ DO-221AC封装，正向电流为3A和5A。     新的VSSAF3L45和VSSAF5L45在3A下具有0.37V的极低正向压降，可在低压高频DC/DC转换器、续流二极管，以及智能手机充电器等空间受限应用的极性保护中减少功率损耗，并提高效率。     新整流器的最高工作结

罗姆近日面向车载、电源设备，开发出高温环境下亦可使用的超低IR肖特基势垒二极管“RBxx8系列”。与传统的车载用整流二极管相比，可降低约40%的功耗，非常有助于电动车（EV）和混合动力车（HEV）等要求更低功耗的电路节能。 本产品已从1月份开始销售样品（样品价格50～200日元／个），从5月份开始以月产100万个的规模进行量产。关于生产基地，前期工序在罗姆ROHM Wako Co., Ltd.（日本冈山县），后期工序在ROHM-Wako Electronics (Malaysia) Sdn. Bhd.（马来西亚），ROHM Integrated Systems (Thailand) Co.,Ltd.（泰国）、ROHM Kore

　　 在pcb板的设计当中，可以通过分层、恰当的布局布线和安装实现PCB的抗ESD设计。通过调整PCB布局布线，能够很好地防范ESD。*尽可能使用多层PCB，相对于双面PCB而言，地平面和电源平面，以及排列紧密的信号线-地线间距能够减小共模阻抗和感性耦合，使之达到双面PCB的1/10到1/100。对于顶层和底层表面都有元器件、具有很短连接线。 　　来自人体、环境甚至电子设备内部的静电对于精密的半导体芯片会造成各种损伤，例如穿透元器件内部薄的绝缘层；损毁MOSFET和CMOS元器件的栅极；CMOS器件中的触发器锁死；短路反偏的PN结；短路正向偏置的PN结；熔化有源器件内部的焊接线或铝线。为了消除静电释放(ESD)对电子设备的干

      日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出电流密度高达2A~4A、采用低尺寸表面贴装SMA和SMB封装的新款100V TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器。                 今天发布的器件包括采用DO-214AC(SMA)封装的VSSA310S和VSSA210，以及采用DO-214AA(SMB)封装的VSSB410S和VSSB310。SMA和SMB封装的厚度分别只有2.29mm和2.44mm。       由于器件具有0.56V的极低典型前向电压降和优异的雪崩容量，可在续流二极管、DC-DC转换器，以及开关电源(SMP