当您开始PCB 设计时,您需要解决数字引脚的信号完整性问题。在您需要的众多基本信号完整性因素中,其中之一便是数字端口的输入和输出电容。如此细微的数据,在产品说明书中可能是一项可有可无的内容。如果没有,您就需要对产品样品进行测量。更好的一种情况是,您可以通过IBIS模型获得该信息。
在IBIS模型中,引脚电容由两部分组成:C_pin 封装电容加上C_comp 缓冲器电容(请参见图1-2)。IBIS 模型中,[Pin]关键字涉及某种具体的封装,而[Pin]关键字上面的[Component]、[Manufacturer]和[Package]关键字描述了所选择的封装。您可以在[Pin]关键字表中找到封装电容,因为其与您关心的引脚有关。
图1IBIS 模型的输入缓冲器有封装寄生、ESD 单元和输入栅极。
图2IBIS 模型的输出缓冲器有封装寄生和输出栅极。
例如,在tsc2020.ibs模型(《参考文献1》)中,下面列表表明了SDA 封装C_pin值的所处位置。在您寻找相关信息时,IBIS 模型中的“|”符号表示其下面为注释部分。C_pin值为0.17059pF。
[Component] tsc2020rtv
[Manufacturer] TI
[Package] | 32 WQFN - RTV package
[Pin] signal_name model_name R_pin L_pin C_pin
1 PINTDAV PINTDAV 0.07828 1.47274nH 0.16721pF
2 RESET RESET 0.06596 1.22611nH 0.17049pF
3 SDA SDA 0.06482 1.20340nH 0.17059pF
等等
第二个电容值为相关缓冲器[Model]关键字下面的C_comp值。模型中的图8 显示了SDA_3缓冲器下tsc2020.ibs文件的一个C_comp例子。这里,高阻抗、低输出模式的C_comp典型值为2.7972710pF。
[Model] SDA_3
Model_type I/O_open_drain
| typ min max
| C_comp tri-state
|C_comp 2.7972710e-12 2.6509420e-12 2.9513260e-12
| C_comp high output
|C_comp 1.9121380e-11 2.2309670e-11 1.8775270e-11
| C_comp low output
C_comp 2.7972710e-12 2.9513260e-12 2.6509420e-12
如果您将C_pin值加上C_comp值,便可得到三态配置的缓冲器输入电容。就我们的举例来说,TSC2020、SDA引脚的总输入电容为0.17059 pF加上2.7972710 pF,也即约2.97 pF。
现在,如果您正考虑购买的这款产品宣称是一款“新产品”,是“改进型”产品,那么您所看到的这些标称数据实际远不能满足您的需要!如果您对标准产品说明书的缺失信息感到失望,请您善用产品的配套工具吧。
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