在电路中双极晶体管构成了电路的核心,实现了VBE与VT的线性叠加,获得近似为零温度系数的输出电压。图中双极型晶体管Q1和Q2的发射区面积相同,Q3和Q4的发射区面积相同,考虑设计需求,取Q1和Q2的发射区面积为Q3和Q4的发射区面积的8倍。带隙基准电压源核心电路:
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推荐阅读最新更新时间:2023-10-13 10:58
技术文章—如何选择基准电压源
为何需要基准电压源 这是一个模拟世界。无论汽车、微波炉还是手机,所有电子设备都必须以某种方式与“真实”世界交互。为此,电子设备必须能够将真实世界的测量结果 (速度、压力、长度、温度) 映射到电子世界中的可测的量 (电压)。当然,要测量电压,您需要一个衡量标准。该标准就是基准电压。对系统设计人员而言,问题不在于是否需要基准电压源,而是使用何种基准电压源? 基准电压源只是一个电路或电路元件,只要电路需要,它就能提供已知电位。这可能是几分钟、几小时或几年。如果产品需要采集真实世界的相关信息,例如电池电压或电流、功耗、信号大小或特性、故障识别等,那么必须将相关信号与一个标准进行比较。每个比较器、ADC、DAC 或检测电路必须有一个
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一种用于D/A转换电路的带隙基准电压源的设计
摘要:本文介绍了带隙基准电压源的原理,实现了一个高精度的带隙基准电压源电路。此电路在-20℃"100℃的温度范围内,有效温度系数为6.1ppm/℃;电源电压在1.6V"2.0V 变化时,其电源抑制比为103.7dB。 基准电压源在DAC电路中占有举足轻重的地位,其设计的好坏直接影响着DAC输出的精度和稳定性。而温度的变化、电源电压的波动和制造工艺的偏差都会影响基准电压的特性。本文针对如何设计一个低温度系数和高电源电压抑制比的基准电压源作了详细分析。 从DAC电路的实际工作环境考虑,电源电压的变化范围是1.6V"2.0V ,温度变化范围是-20℃"100℃。本带隙基准电压源的设计指标为:1. 输出的基准电压在1.22V左右;2. 电源
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14位Pipeline ADC设计的带隙电压基准源技术
14位Pipeline ADC设计的带隙电压基准源技术
目前,基准电压源被广泛应用与高精度比较器,A/D,D/A转换器,动态随机存储器等集成电路中。基准电压源是集成电路中一个重要的单元模块。
它产生的基准电压精度,温度稳定性和抗噪声干扰能力直接影响到芯片,甚至整个系统的性能。特别是在D/A,A/D数据转换系统中,基准源的性能与量化器的量化精度密切相关。随着D/A,A/D精度的不断提高,精确稳定的基准源的设计成为关键。因此,设计一个高性能的基准电压源是具有十分重要的意义。 1 分析电路设计及原理 1.1 传统带隙基准的分析 传统的带隙电压基准结构中,通过具有正温度系数的VT和一个具有负温度系数电压VBE的线
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带隙基准计算器(BGRC)功能
带隙基准计算器(BGRC)是一个 带隙基准电路 的设计和分析。所有的电路参数和输出电压的计算结温的功能。惠普® 50G计算器或免费的PC模拟器,可以使用计算器。
带隙基准计算器
带隙参考计算器(BGRC)是HP50克计算器的程序,设计和分析的两个晶体管的带隙电压参考电路。BGRC计算交界的函数所有的电路参数和输出电压的温度。BGRC也可以运行在一个PC机使用的免费程序HPUserEdit 5.4,在发现或模拟设计计算器 “页面。图1 的带隙基准 的BGRC是一个很好的教学工具,它允许一个设计理论上完美的带隙电路。探讨的主题包括:一阶调整,以尽量减少与温度误差的斜坡,以及优化的二阶曲率校正电路 。” BGR
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一种高精度BiCMOS电流模带隙基准源
在模拟及数/模混合集成电路设计中,电压基准是非常重要的电路模块之一,而通过巧妙设计的带隙电压基准更是以其与电源电压、工艺、温度变化几乎无关的特点,广泛应用在LDO及DC-DC集成稳压器、射频电路、高精度A/D和D/A转换器等多种集成电路中。随着大规模集成电路的日益复杂和精密,亦对带隙基准电压的温度稳定性提出了更高的要求。传统的带系基准电压源只能产生固定的近似1.2 V的电压,不能满足在低压场合的应用。电流模带隙电路采用正温度系数的电流支路(PTAT)和负温度系数的电流支路(CTAT)并联产生与温度无关的基准电流。然后让此电流在电阻上产生基准电压。电流模带隙结构可以得到任意大小的基准电压。本文提出一种新的电流模带隙结构并采用一阶
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一种带隙基准电压源的设计与仿真
基准电源与电源本身及其工艺关系很小,而温度特性稳定,被广泛使用在模拟电路之中。基准电源的温度特性和噪声特性是决定电路精度和性能的重要因素。基准电源的输出电压和(或)电流几乎不受温度和电源电压的影响,是模拟集成电路中不可或缺的关键模块。基准电源根据输出的类型可分为 基准电压源 和基准电流源。基准电压源主要有齐纳二极管、隐埋齐纳二极管和带隙基准电压源3种,基准电流源主要是简单基准电流源、阀值电压相关电流源和带隙基准电流源。准电压源和基准电流源两者并不孤立,电压基准可以转换为电流基准,电流基准也可以转换为电压基准。
1 带隙基准电压源的基本原理
带隙基准电压源的基本原理是利用双极型晶体管基区一发射区电压VBE具有的负温度
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低压CM0S带隙基准电压源设计
基准电压源广泛应用于 电源 调节器、A/D和D/A转换器、数据采集系统,以及各种测量设备中。近年来,随着微 电子 技术的迅速发展,低压低功耗已成为当今 电路 设计的重要标准之一。比如,在一些使用 电池 的系统中,要求 电源 电压在3 V以下。因此,作为电源调节器、A/D和D/A转换器等 电路 核心功能模块之一的电压基准源,必然要求在低电源电压下工作。
在传统的带隙基准源设计中,输出电压常在1.25 V左右,这就限制了最小电源电压。另一方面,共集电极的寄生BJT和运算放大器的共模输入电压,也限制了PTAT电流生成环路的低压设计。近年来,一些文献力图解决这方面的问题。归纳起来,前一问题可以通过合适的 电阻 分压来实现;第二个问题
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