一种晶体管混合式应急电源电路

LED 开关电源设计原理及全过程如下： 一、概论 　　开关电源是利用现代电力电子技术，控制开关管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的一种电源，开关电源一般由脉冲宽度调制(PWM)控制IC和MOSFET构成。开关电源和线性电源相比，二者的成本都随着输出功率的增加而增长，但二者增长速率各异。线性电源成本在某一输出功率点上，反而高于开关电源，这一点称为成本反转点。随着电力电子技术的发展和创新，使得开关电源技术也在不断地创新，这一成本反转点日益向低输出电力端移动，这为开关电源提供了广阔的发展空间。 　　电源有如人体的心脏，是所有电设备的动力。但电源却不像心脏那样形式单一。因为，标志电源特性的参数有功率、电源、频率、噪声及带载

对于要使用互补双极 晶体管 的电路设计，有时候需要筛选出与直流增益(β)相匹配的NPN和PNP晶体管。这样一种要求匹配的电路例子是放大器的输出级。图1中的电路给出了一种简单的测试设备，能够获得这种匹配。 晶体管Q1和Q2是待测器件，要看两者是否匹配。在测试设备上，Q1和Q2共用一个基极电流(IB)；由于电流没有其它更多流出路径，因此不需要做额外补偿。但要注意，β应足够高，使IE≈IC。还有一个要记住的细节，就是电阻R1和R2应相等。 为了给晶体管一些余量，在晶体管基极连接间引入一个额外的压降。这个压差几伏就合适，因此D1的好选择是一只蓝色LED。这只二极管帮助将Q1的基极电压(VB1)设定在大约电源电

随着汽车智能化的发展，车上的用电设备如GPS、 行车记录仪 、 空气净化器 等也越来越多，满足乘车人多方面需求的同时，大大提高了驾驶感受，而额外的用电设备加大了蓄电池的负担，容易造成电瓶亏电无法启动汽车，给车主带来了很大的困扰。     当人们还在苦于天气寒冷或者汽车蓄电池亏电而无法启动汽车时，发明应急启动电源这个点子无疑是十分具有创意的。     应急启动电源产品在短短几年经历了飞速的发展，从最初的单一汽车应急启动，到如今成为集移动电源、车载气泵、户外照明等于一身的“神器”，越来越多的驾友们习惯了在汽车后备箱里备上一台以防应急之需。随着科技的发展，应急启动电源逐渐向着多功能、安全环保、轻便及体积小等方向发展，应用不仅局限在汽车

现代电子技术应用中电子管的使用虽然已经较少，但由于电子管有晶体管不可替代的一些优越特性，所以在部分领域特别是音响电路中还受到人们的亲睐。这是一款由“靓”音电子管和音响集成电路联合组成的混合放大器。该放大器由电子管作前级，音响专用集成电路AD711 和LM1875 作后级，电路失真小、输出阻抗低、动态范围大，能保证良好的音质。因与集成电路结合，电路简单。 　　一、电路工作原理 　　电路原理如图1 所示。 　　此电路只画出左声道部分，右声道略。电路选用双三极6N2 型电子管构成线路输入放大器(6N2 的一半VE1L 用于左一声道，另半VE1R 用于右声道)。R2 为输入级的直流偏置电阻，屏流Iao 流经R2 时，产生约1

　　可嵌入心电震发生器（Implantable Cardivoerter Defibrillators-ICD）已通用几年了。ICD在连接到心脏的两个电极之间施加高压脉冲，它随时检测心脏纤维性颤动。此脉冲可高达800V，在几毫秒期间电流达几十安培。 　　用电荷泵产生高电压并把它存储存一个大电容器上。通常，电击（脉冲）通过一个2相脉冲传送到心脏。图1示出2相电震发生器系统和产生所需双相脉冲的高压桥的原理框图。此应用由两个相同的半桥组成，每个半桥有两个开关，一个连接地、一个连接高电压。隔离栅双极晶体管（IGBT）最常用做开关元件，因为IGBT具有最小的导通电阻及硅面积。高端IGBT需要一个栅极电压，此电压比开关电压高10～15V。通常

多数情况下有用信号都是非常微弱的，在这些应用中噪声系数成了表征晶体管性能优劣的主要参数。本文讨论了一种添加并联电阻来稳定低噪声放大电路中晶体管工作点的设计方法。 几乎所有通信系统的接收电路的输入级都要用到低噪声放大器(LNA)，作用是放大有用信号的同时避免恶化信噪比。多数情况下有用信号都是非常微弱的，在这些应用中噪声系数成了表征晶体管性能优劣的主要参数。噪声系数反映了晶体管引入噪声的最小值，它不是一个绝对的数值，它与偏移量尤其是输入匹配条件有关。 正如许多微波教科书中所描述的那样，为特定的晶体管设计匹配网络非常容易，工程师仅需了解该晶体管相关偏移点的S和噪声参数即可。然而如果考虑稳定性就会出现问题。教科书中关于噪声匹配的标准设计步

致力于提供功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的供应商美高森美公司(Microsemi Corporation, 纽约纳斯达克交易所代号：MSCC) 推出新型750W RF晶体管扩展其基于碳化硅(silicon carbide，SiC)衬底氮化镓(gallium nitride，GaN)高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor，HEMT)技术的射频(radio frequency，RF)功率晶体管系列。在全系列空中交通管制和防撞设备中，MDSGN-750ELMV提供了突出的最高功率性能。目标应用包括商用二次监视雷达(secondary surveillance radar，S

　　北京时间4月21日消息，据美国连线杂志报道，目前，英国研究人员研制世界上最小的电子晶体管，其厚度为1个原子，直径10个原子。 　　这项最新研制的新型电子晶体管比之前32纳米硅材料电子晶体管小3倍，英国曼彻斯特大学研究人员科斯特亚·诺沃舍罗夫说，“这种电子晶体管可用于任何半导体制造。”他和另一位合著作者将该研究报告发表在《科学》杂志上。 　　电子晶体管形式的逻辑门可加强计算处理能力。根据摩尔定律，每隔24个月，集成电路上的晶体管的数量将翻番，从而不断提升计算机性能。然而当前电子晶体管材料发展受限，只能采用硅作为材料。目前硅材料只能维持未来10年的摩尔定律发展。现在，最新研制的采用石墨烯(graphene)材料制成的电