外接晶体管的扩流电路

单结晶体管原理(UJT-基极二极管) 单结晶体管（简称UJT）又称基极二极管，它是一种只有一个PN结和两个电阻接触电极的半导体器件，它的基片为条状的高阻N型硅片，两端分别用欧姆接触引出两个基极b1和b2。在硅片中间略偏b2一侧用合金法制作一个P区作为发射极e。其结构、符号和等效电呼如图1所示。 图1、单结晶体管 一、单结晶体管的特性 从图1可以看出，两基极b1与b2之间的电阻称为基极电阻： rbb=rb1+rb2 式中：rb1----第一基极与发射结之间的电阻，其数值随发射极电流ie而变化，rb2为第二基极与发射结之间的电阻，其数值与ie无关；发射结是PN结，与二极管等效。 若在两面三刀基极b2、b1

全球电子元器件与开发服务分销商e络盟宣布供应安世半导体最新系列功率氮化镓场效应晶体管（GaN FET）。该创新系列GaN FET外形尺寸小，可实现高功率密度及高效率功率转换，能够以较低的成本开发出更高效系统，同时还可助力电动车、5G通信、物联网等应用改进电源性能。随着越来越多的立法提高碳排放减排要求，实现更高效的功率转换和更高的电气化水平势在必行。GaN FET这一创新系列为设计工程师提供了真正解决这些问题的有效方案。 GaN技术突破了硅基IGBT和SiC等现有技术的诸多局限，可为各种功率转换应用带来直接和间接的性能效益。在电动车领域，GaN技术可直接降低功率损耗，从而为汽车实现更长的行驶里程。同时，更高效的功率转换还

符合汽车工业标准的全新晶体管组合具有与DPAK相当的散热和电气性能——但其占用面积仅为后者的一半 恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)（纳斯达克代码： NXPI）今日推出首款采用5 mm x 6 mm x 1 mm超薄LFPAK56 (SOT669) SMD电源塑封的双极性晶体管。新组合由6个60 V和100 V低饱和晶体管构成，集极电流最高为3 A (IC)，峰值集极电流(ICM)最高为8 A。新型晶体管的功耗为3 W (Ptot)，VCEsat值也很低——其散热和电气性能不亚于采用大得多的电源封装（如DPAK）的双极性晶体管，其占用面积也减少了一半。 恩智浦LFPAK封装采用实

　　绝缘栅双极晶体管IGBT（INSu1ated Gate Bipolar Transistor）是一种新型的复合功率开关器件。如图（a）为IGBT芯片的基本结构图，可以看出 ，IGBT比N型沟道的MOSFET多一个P＋层。 　　IGBT的特点如下。 　　（1）IGBT是一种电压控制的功率开关器件：IGBT等效于用MOSFET做驱动级的一种压控功率开关器件。 　　（2）IGBT比MOSFET的耐压高，电流容量大：IGBT导通时正载流子从P＋层流人N型区并在N型区积蓄，加强了电导调制效应，这就使IGBT在导通时 呈现的电阻比高压（300V以上）MOSFET低得多，因而IGBT容易实现高压大电流。前级是个电流较小的MOSF

　　随着电子技术的不断发展和新型元器件的问世， 开关电源以其体积小、重量轻、效率高、对 电网 电压适应范围宽等优势， 越来越受到大家的青睐， 在绝大多数领域中取代了传统的线性 电源 并被广泛地应用于不同的电子产品中。 　　我们知道， 在大部分的开关电源中， 功率 开关 晶体管工作在高电压、大电流的高频脉冲状态下，在这种条件下的开与关会给晶体管造成很大的冲击。二次击穿是造成晶体管损坏的重要原因之一。要设计出高性能、高可靠性的开关电源， 清楚地了解晶体管二次击穿的有关知识和避免措施很有必要。 　　现就双极型晶体三极管的二次击穿问题作一分析， 并探讨有效的解决办法。 　　1 关于二次击穿及防护 　　1.1 二次击穿的原因

汽车行业蓬勃发展，驾驶汽车的人越来越多，操作汽车方向盘也变得尤为熟悉和重要，其稳定可靠直接影响驾驶员的驾驶体验，而助力转向系统起到关键的作用，本文我们来聊聊当今主流的电子助力转向系统如何保证稳定可靠。 一、汽车助力转向系统发展历程 汽车助力转向系统从最早操作费力的传统机械转向系统，发展到机械液压助力转向系统，到当下普遍的电子液压助力转向系统，已经是在助力转向系统的发展历程中有了质的飞跃。现如今随着节能环保与智慧安全已成为时代发展的主题，电子助力转向系统（Electronic Power Steering，简称 EPS）随之诞生。在电子液压助力转向系统的基础上去除了液压助力系统，使得汽车助力转向系统变得更环保，更节能，更人性化

新浪科技讯 北京时间2月25日晚间消息，英特尔今年晚些时候将向设备厂商提供新一代Atom智能手机芯片，采用采用3D晶体管，以便于手机厂商对其进行测试。 　　这款智能手机芯片被称为Merrifield，采用3D晶体管。与英特尔当前的手机平台相比，Merrifield在性能和电池续航方面将大大提升。英特尔发言人称，Merrifield完全采用全新设计，新架构可以确保处理器运行速度更快，更节能。 　　英特尔去年5月发布了Merrifield，并表示该款芯片将定位于高端智能手机市场。最终，Merrifield将取代英特尔当前的智能手机芯片Clover Trail+。 　　Merrifield采用22纳米制造工艺，但

市场调研公司IC Insights的分析师Rob Lineback日前指出，消费电子设备的低电压运行、电池寿命延长和能量保护需要，将推动功率晶体管市场在2007年达成创纪录的规模。 价格下滑和单位出货量增长大幅放缓，导致2005年功率晶体管销售额比2004年创下的最高纪录81亿美元下降4.6%，至77亿美元。但是，这种下滑将是短期现象。功率晶体管销售额2006年预计增长3%左右，2007年进一步增长9%，从而使明年的全球销售额达到新的纪录高位87亿美元。 功率晶体管在汽车电子、个人电脑、手机、工业设备、家用电器、消费电子和许多电池驱动的便携产品领域中的应用稳步扩展。据IC Insi