igbt保护电路

英飞凌推出超可靠的压接式IGBT ，进一步壮大Prime Switch系列的产品阵容 【2022年5月30日，德国慕尼黑讯】 Infineon Technologies Bipolar GmbH & Co. KG推出具有内部续流二极管（FWD）、采用陶瓷平板封装的全新压接式IGBT（PPI）， 进一步壮大其高功率Prime Switch系列的产品阵容。该PPI专为输配电应用而设计，是大电流模块化多电平转换器（MMC）、中压驱动器、直流电网断路器、风电变流器和牵引系统的理想选择。 Prime Switch Press Pack IGBT Prime Switch IGBT 的阻断电压为4.5 kV，不带有FWD的型号

1 输入整流桥的选择 1)整流桥的导通时间与选通特性 50Hz交流电压经过全波整流后变成脉动直流电压u1，再通过输入滤波电容得到直流高压U1。在理想情况下，整流桥的导通角本应为180°(导通范围是从0°～180°)，但由于滤波电容器C的作用，仅在接近交流峰值电压处的很短时间内，才有输入电流流经过整流桥对C充电。50Hz交流电的半周期为10ms，整流桥的导通时间tC≈3ms，其导通角仅为54°(导通范围是36°～90°)。因此，整流桥实际通过的是窄脉冲电流。桥式整流滤波电路的原理如图1(a)所示，整流滤波电压及整流电流的波形分别如图l(b)和(c)所示。 最后总结几点： (1)整流桥的上述特性可等效成对应于输入电压频率的占空比大约

　　引言 　　UC3842是美国Unltmde公司生产的一种性能优良的电流控制型脉宽调制芯片，它具有管脚数量少，外围电路简单等特点，因而得到了广泛的应用。但随着UC3842开关频率的提高，由它所构成的开关电源的保护电路也出现了很多问题。本文分析了UC3842保护电路的缺陷及改进的方法。 　　 1 UC3842的典型应用 　　UC3842的典型应用电路如图l所示。该电路主要由桥式整流电路，高频变压器，MOS功率管以及电流型脉宽调制芯片UC3842构成。其工作原理为：220V的交流电经过桥式整流滤波电路后，得到大约+300V的直流高压，这一直流电压被M0S功率管斩波并通过高频变压器降压，变成频率为几十kHz的矩形波电压，再

    摘要： IR2117是美国IR公司专为驱动单个MOSFET或IGBT而设计的栅极驱动器集成电路。文中介绍了它的引脚排列、功能特点和参数限制，同时剖析了它的内部结构和工作原理，最后给出了其典型应用电路图和应用举例。     关键词： 栅极 悬浮 自举 欠压 IR2117 IR2117是美国IR公司专为驱动单个MOSFET或IGBT而设计的栅极驱动器，它采用高压集成电路技术和无闩锁CMOS技术，并采用双直插式封装，可用于工作母线电压高达600V的系统中。其输入与标准的CMOS电平兼容，输出驱动特性可满足交叉导通时间最短的大电流驱动输出级的设计要求。其悬浮通道与自举技术的应用使其可直接用来驱动一个工作于

    富士电机与日本山梨大学的研究小组开发出了小型轻量的直接水冷式车载IGBT模块，并在功率半导体国际会议“ISPSD 2013”（2013年5月26～30日在日本石川县金泽市召开，日本电气学会主办）上发表了该模块采用的技术（演讲序号：5-4）。该模块的耐压为1200V，电流为500A，面积为320mm×170mm。据介绍，在海外，该模块已被用于2012年底上市的混合动力车（HEV），而在日本，将配备在预定2013年6月上市的HEV上。     原来的水冷式IGBT模块是把IGBT芯片封装在陶瓷基板上，在该基板下面配置名为“Base Plate”的金属板，然后在该金属板下面配置散热片。而直接水冷式IGBT模块省去了Base

中车株洲所发布信息称，该公司旗下中车时代电气的IGBT模块产品近日击败国际竞争对手，再次获得印度订单，这是截至目前中车时代电气IGBT在国外获得的最大订单。这也意味着中国自主研发生产的IGBT产品在海外市场运行稳健，逐步得到国际市场的认可。 中车时代电气半导体事业部总经理吴煜东介绍，此次中标的订单产品总数量超过1000只，这批产品将供应给印度一家变流器生产厂家，主要用于105台印度机车上。 2016年，中车时代电气800A/1700V的IGBT模块凭借优良的产品性能，拿下了第一批100台印度WAG-9机车的改造升级订单，这也是中国铁路行业最核心器件首次获得海外批量订单。 一年多来，中车时代电气提供的IGBT模块装车运行状况良好，获

    英飞凌科技股份有限公司推出新一代应用于新能源汽车的高压IGBT门级驱动器。有了专为混合动力/电动汽车的主逆变器而设计的全新EiceDRIVER SIL和EiceDRIVER Boost驱动器，汽车系统供应商便能够更轻松地设计出更具成本效益的HEV电力传动传动子系统，该系统完全符合ASILC/D功能安全要求标准（ISO26262）。新的EiceDRIVER的目标应用是使用400V、600V和1200V汽车级IGBT、功率高达120kW的HEV逆变器。

何设计出可靠和合理的驱动与保护电路，对于充分发挥MOSFET功率管的优点，起着至关重要的作用，也是有效利用MOSFET管的前提和关键。文中用IR2130驱动模块为核心，设计了功率MOSFET驱动保护电路应用与无刷直流电机控制系统中，同时也阐述了本电路各个部分的设计要求。该设计使系统功率驱动部分的可靠性大大的提高。 　　功率场效应晶体管由于具有诸多优点而得到广泛的应用;但它承受短时过载的能力较弱，使其应用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驱动与保护电路的设计要求;计算了MOSFET驱动器的功耗及MOSFET驱动器与MOSFET的匹配;设计了基于IR2130驱动模块的MOSFET驱动保护电路。该电路具有结构简单，实用性强，响应速