CMOS非门组成线性放大器电路图

　　1.引言 　　在电机驱动、UPS等系统中电压的稳定尤为重要，欠压、过压保护是必不可少的，因此通过在芯片内部集成过压、欠压保护电路来提高电源的可靠性和安全性。对功率集成电路，为提高电路的可靠性，保护电路同样必不可少。保护电路的设计要简单、实用，本文设计了一种CMOS 工艺下的欠压保护电路，此电路结构简单，工艺实现容易，可用做高压或功率集成电路等的电源保护电路。 　　2.工作原理分析 　　欠压保护的电路原理图如图1 所示。共由五部分组成：偏置电路、基准电压产生、欠压检测输入、比较器、反馈回路。 　　 　　本电路的电源电压是15V，M1、M2、M4、R1 是电路的偏置部分，给后级电路提供偏置，电阻R1 决定了电路的工作点，M1

上一篇我们介绍了阻碍CMOS传感器一大主要因素——像素间距，其实它只是影响图像好坏的众多因素之一，还有更多的技术难题摆在我们面前。 叠加和互联 除了像素缩放，CMOS图像传感器正在进行其他创新，如芯片堆叠。供应商也在使用不同的互连技术，如TSV(硅通孔技术)封装技术、混合键合和pixel-to-pixel。 多年来，包括像素阵列和逻辑电路在内的图像传感器都在同一个芯片上。最大的变化发生在2012年，当时索尼推出了一款两模堆叠的图像传感器。芯片堆叠可以使供应商将传感器和处理功能拆分到不同的芯片上。这允许更多的功能在传感器，同时也减少了模具尺寸。 为此，索尼开发了一种基于90nm工艺的像素阵列芯片。该芯片被堆叠在一个

　　静电在 芯片 的制造、封装、测试和使用过程中无处不在，积累的静电荷以几安培或几十安培的电流在纳秒到微秒的时间里释放，瞬间功率高达几百千瓦，放电能量可达毫焦耳，对芯片的摧毁强度极大。所以芯片设计中静电保护模块的设计直接关系到芯片的功能稳定性，极为重要。随着工艺的发展，器件特征尺寸逐渐变小，栅氧也成比例缩小。二氧化硅的介电强度近似为8×106V／cm，因此厚度为10 nm的栅氧击穿电压约为8 V左右，尽管该击穿电压比3.3 V的电源电压要高一倍多，但是各种因素造成的静电，一般其峰值 电压 远超过8 V；而且随着多晶硅金属化(Polyside)、扩散区金属化(Silicide)、 多晶硅 与扩散区均金属化(Salicid)等新工艺的

    Sony在去年7月宣布计画在2015年8月时将该公司影像感测器(CMOS+ CCD )月产能自现行的6万片扩增至6.8万片的水准，但来自智慧手机的CMOS影像感测器(CMOS image sensor)需求显然远超Sony预估，故Sony宣布将对CMOS感测器祭出追加增产措施。   Sony 2日于日股盘后发布新闻稿宣布，因看好使用于智慧型手机、平板电脑等行动装置的CMOS感测器需求将持续增长，故计画于2015年度(2015年4月-2016年3月)对旗下长崎、熊本及山形工厂合计投下约1,050亿日圆(投资额分别为780亿日圆、170亿日圆、100亿日圆)增产「积层型」CMOS感测器，目标为在2016年6月底将影像

　　高增长的经济体如巴西、印度尼西亚、印度和中国已出现新兴中产阶级和快速增长的汽车市场。这些市场要求汽车零售价相对较低，因此给汽车组件带来很大的成本压力。此外，在发达经济体如美国、欧洲国家和日本的汽车市场，自2008年全球金融危机发生后，对于成本敏感的解决方案需求也在不断增加，而且由于几乎所有轿车、卡车和货车都装有AM/FM收音机，收音机模块制造商正积极寻求降低成本且满足传统汽车级性能要求的解决方案。 　　使用在汽车上的AM/FM调谐器传统技术主要是10.7MHz中频调谐器架构的BiCMOS调谐器。这项技术/架构可实现收音机接收性能，但是成本却极其高昂：该技术将前端RF电路与后端的数字处理引擎（例如DSP和MCU）结合，在单

中国，2016年11月7日，全球领先的高性能传感器和模拟IC供应商艾迈斯半导体公司（ams AG，瑞士股票交易所股票代码：AMS）旗下品牌CMOSIS今天推出业内首款全局快门CMOS图像传感器CMV50000，它能够提供48M像素的高分辨率，是前一代CMOSIS全局快门CMOS图像传感器的两倍以上。 CMV50000是一个采用专利的8晶体管像素结构制作而成的中片幅48M像素传感器，像素大小为4.6 m，分辨率为7920 x 6002。它的噪音很低，且能够提供绝佳的电子快门效率。全局快门操作意味着能够捕捉到快速移动的物体影像，且不会发生失真。 在全分辨率模式下光学动态范围最高可达64dB，在二

    北京时间9月18日凌晨消息，徕卡今日在德国科隆召开新闻发布会，发布了数款新机身与镜头。其中值得关注的旁轴M系新机取消数字编号，首次采用CMOS传感器，加入实时取景与高清摄像等功能，并可通过转接环使用徕卡R系镜头。 　　在M9P之后，徕卡此次取消了命名中的数字编号，新机器不再按照顺序命名为M10，而直接命名为M。新机M没有使用M8和M9使用的柯达CCD传感器，转用了与比利时公司CMOSIS合作生产的全副CMOS传感器，总像素为2400万像素。新机M和S都使用了Maestro影像处理器。 　　机身参数方面：2400万像素CMOS传感器、ISO 200-6400、使用徕卡Maestro影像处理器、3英寸92万像素TFT显示

美国罗彻斯特大学的两名研究人员开发出了一种超低功耗的CMOS图像传感器方法，从而将进一步推动CMOS图像传感器在便携与远程无线设备中的应用。他们在设计上获得的进步来源于两个相互独立的概念：一个是降低芯片上进行模数转换操作的复杂性；而另一个则针对像素阵列采用新的几何形状，从而消除了数据压缩期间的浮点乘法运算。 采用第一种技巧的原型成像器已被证明每像素会消耗0.88纳瓦(nw)的功率。研究人员称，这种功耗比目前的有源像素传感器设计要低50倍。研究人员通过在芯片外围较远的地方设置一些模数操作，就能够减少像素点处的晶体管数量。 “当器件采集光信号时，电子元件是关闭的。”罗彻斯特大学的研究员Mark Bocko介绍，“比较器受时