器件通过AEC-Q200认证,其分压比公差低至±0.05%,长期分压比稳定率为0.015 %,采用小尺寸8-Pin SOIC封装。
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编辑:刘东丽 引用地址:Vishay的新系列薄膜电阻网络可提供更好的ESD和潮湿防护
宾夕法尼亚、MALVERN — 2015 年 5 月4 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出通过AEC-Q200认证的新系列高精度双列直插式薄膜电阻网络---AORN。Vishay Dale Thin Film AORN系列具有±5ppm/℃的TCR跟踪、±0.05%的严格分压比公差,在+155℃下经过1000小时后的长期分压比稳定率为0.015%。为提高ESD和潮湿防护能力,电阻网络在高纯度铝或陶瓷衬底上构造出一层氮化钽电阻膜。
AORN系列器件有两种配置:在同样的封装内,用做1kΩ~100kΩ的4个等值电阻和用做分压比从1:1到1:100的两个电阻分压器。电阻网络具有耐用、模塑的50mil节距结构和窄形(0.150英寸)8-pin SOIC封装,符合JEDEC MS-012。器件每个电阻芯的典型功率为100mW。
AORN电阻网络的集成结构能够实现比分立SMT芯片更高的精度,非常适合精密分压器、运算放大器和电池管理应用。典型最终产品包括汽车、通信、工业、过程控制和医疗设备。
电阻网络通过AEC-Q200各项认证,10kΩ以上电阻的ESD高达2kV。器件具有小于-30dB的极低噪声,电压系数小于0.1ppm/V,工作温度从-55℃到+155℃。AORN系列器件符合RoHS,无卤素,通过per ASTM B 809的耐硫测试。
新的电阻网络现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为八周。
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Vishay新款5050外形尺寸汽车级IHLP®电感器可在+180℃高温下工作
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Vishay将在2014年中国(成都)电子展展出业界最先进技术
宾夕法尼亚、MALVERN — 2014 年 7 月7 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,将在7月10日至12日成都世纪城新国际会展中心举行的2014年中国(成都)电子展夏季会上展出一系列技术。在3号展厅A21A展位,该公司将展出其最新的创新产品,包括无源元件、二极管、功率MOSFET、功率IC和光电子产品。 在2014年中国(成都)电子展上,Vishay Siliconix将展出在4.5V栅极驱动下导通电阻低至0.00135Ω的TrenchFET® 第四代 MOSFET,提高效率的500V、600V和650V E系列器件,小尺寸、高功率密度,通过AE
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采用钽外壳、全密封的器件为航空和航天系统提供坚实的可靠性。
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该 CRCW.
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