ADI多路复用器具最低导通电阻-电子工程世界

分享到: 微博; QQ; 微信; LinkedIn

Analog Devices, Inc.（纽约证券交易所代码: ADI），高性能信号处理解决方案供应商，最新推出两款基于ADI公司独有的iCMOS™（工业CMOS）工艺技术制造的模拟多路复用器ADG1406和ADG1407，采用节省空间的封装，可在±5V、±12V或±15V的供电电压下工作，具有业界最低的导通电阻。这两款器件的低导通电阻和导通电阻平坦度特性，是低失真应用的关键因素，为数据采集和增益开关应用的理想解决方案。

关于ADG1406和ADG1407多路复用器

ADG1406和ADG1407多路复用器的最大导通电阻为10 Ω，在±10V的信号范围内电阻变化小于0.9 Ω。16通道的ADG1406可以将十六个单端输入通道中的一个切换到公共输出通道。8通道的ADG1407可以将八个差分输入通道中的一个切换到公共差分输出通道。这两款产品的最大工作电压范围高达33 V，支持轨到轨工作，采用先断后合开关动作。iCMOS制造工艺技术使这两款产品具有超低的功耗。

供货和报价

ADG1406和ADG1407采用28引脚TSSOP封装与32引脚5 mm×5 mm LFCSP封装，现在可提供样片，预计2008年7月批量生产。ADG1406和ADG1407的千片订量报价均为4.81美元/片。

关键字：高性能信号处理工艺技术模拟多路复用器编辑：吕海英引用地址：ADI多路复用器具最低导通电阻

上一篇：成本降低封装减小 MEMS市场将爆发
下一篇：最小晶体管仅1个原子厚10个原子宽

推荐阅读最新更新时间：2023-10-12 20:13

三星发布采用45nm工艺技术的应用处理器

　　日前，韩国三星电子发布了采用45nm低功耗CMOS工艺技术的应用处理器“S5P6440”。其特点是图形性能高、功耗及成本低等。适用于PND等家电产品。　　　　该处理器配备有英国ARM工作频率533MHz或667MHz的CPU内核“ARM1176”。CPU内核、芯片上的所有硬件加速器及周边部件接口均由工作频率166MHz、64bit总线“AXI”连接。　　　　还配备有支持现行及新一代多值NAND闪存的错误订正用硬件，以及支持移动DDR或DDR2的DRAM控制器。支持MIPI（mobile industry processor inteRFace）的显示器连接用接口“DSI”，OS支持美国微软的“Windows C

[单片机]

ADI多路复用器具最低导通电阻

Analog Devices, Inc. （纽约证券交易所代码 : ADI ），高性能信号处理解决方案供应商，最新推出两款基于 ADI 公司独有的 iCMOS ™（工业 CMOS ）工艺技术制造的模拟多路复用器 ADG1406 和 ADG1407 ，采用节省空间的封装，可在± 5V 、± 12V 或± 15V 的供电电压下工作，具有业界最低的导通电阻。这两款器件的低导通电阻和导通电阻平坦度特性，是低失真应用的关键因素，为数据采集和增益开关应用的理想解决方案。关于 ADG1406 和 ADG1407 多路复用器 ADG1406 和 ADG1407 多路复用器的最大导通电阻为 10

[模拟电子]

富士通与台积电合作发展28纳米工艺技术

日本富士通微电子株式会社与台湾积体电路制造股份有限公司27日宣布，双方同意以台积电先进的技术平台为基础，针对富士通微电子的28纳米逻辑IC产品进行生产、共同开发并强化28纳米高效能工艺。在这之前，富士通微电子与台积电已经就40纳米工艺进行合作。这项协定代表富士通微电子将延伸已经在台积电生产的40纳米产品，双方将共同发展最佳化的28纳米高效能工艺，而首批28纳米工程样品预计于2010年年底出货。这项先进技术的合作将富士通微电子在先进高速工艺与低耗电设计技术的专长及优势，以及台积电节能的高效能逻辑／系统单芯片工艺及「开放创新平台」（Open Innovation Platform）中的先进技术相结合。这次延伸至28

[半导体设计/制造]

华力微电子与联发科技合作开发28纳米工艺技术

上海华力微电子有限公司（以下简称“华力微电子” ）与全球领先的IC设计厂商 -- 联发科技股份有限公司（以下简称“联发科技”）共同宣布，华力微电子将与联发科技在28纳米工艺技术和晶圆制造服务方面紧密合作，部分联发科技移动通信处理器的代工将交由华力微电子完成。华力微电子此前已为联发科技的移动通信基带芯片、无线及连接IC产品提供不同工艺技术的支持。藉由本次在28纳米技术及晶圆制造服务上的新协作，不仅有利于华力微电子加速完善28纳米工艺平台，使其成为中国本土首批具备28纳米量产能力的晶圆代工企业之一，也将深化联发科技与中国大陆产业链的合作关系。双方期望进一步强化合作伙伴关系，共同为移动通信市场的发展提供更多元化的28纳米产品。

[单片机]

Intersil推出新专利双极工艺技术的运算放大器

Intersil公司今天宣布，推出首款采用该公司新的专利双极工艺技术的运算放大器 --- ISL28207。 Intersil的ISL28207是双40V低功耗双极精密运算放大器，具有出色的直流精度和极好的温漂性能。器件的最大偏置电压低至75μV，典型输入偏置电流为60pA。输入偏置电压的最大温漂仅有0.65μV/℃，输入偏置电流的温漂仅有0.2pA/℃，使其成为16bit和24bit应用的理想之选。ISL28207具有4.5V～40V的宽工作电压范围，工作温度范围为-40～+125℃。 ISL28207的核心优势包括：先进的偏置电流抵消技术实现了在工作温度范围内的极低偏置电流

[模拟电子]

Intersil推出新专利双极<font color='red'>工艺技术</font>的运算放大器

英特尔45nm半导体工艺技术全解析

　　英特尔公司45nm工艺技术的主要特点是采用铪基高k介电材料，将氮化钛(TiN)用于PFET取代栅极，并将TiN阻挡层与一种功函数调整金属组成的合金用于NFET取代栅极。　　英特尔公司的45nm HKMG(高k金属栅极)技术的一些重点在于：高k栅极先加工、金属栅后加工的集成方式；氧化铪栅极介电材料(1.0nm EOT)；以及双带边功函数金属栅极(TiN 用于 PMOS，TiAlN 用于 NMOS)。栅极后加工集成是一个重点，需要在英特尔公司工艺流程中作进一步说明。　　上面提到的“先加工”和“后加工” 是指按照多晶硅积淀工艺形成高k栅极和金属栅极的顺序。目前众所周知的是，英特尔公司在45nm节点采用了一种

[焦点新闻]

纵观芯片制造工艺技术，CMOS仍将独领风骚数十年

一位业内技术专家指出，CMOS将在未来的数十年内仍然是芯片工艺技术针对性能和成本的选择。德州仪器(Texas Instruments)DSP分部首席专家Gene Frantz表示，尽管过去10年里CMOS工艺和设备技术取得巨大进展，硅技术仍然在理论极限以下表现卓越。他相信，硅将继续在许多年内充当前沿的半导体技术。Frantz表示：“硅仍然是技术首选，并将在成本考虑的许多年内依然如故。” 硅晶体管门长的理论极限大约为1.5nm，他指出：“看看当今的65nm CMOS工艺，其最小门长为39nm，这仍然大于理论极限的25倍。”对于门延迟来说情况类似，门延迟决定了逻辑的基本速度。理论极限是0.04ps，短于当今65nm逻辑器

[焦点新闻]

LED工艺技术介绍

LED 的应用面很广，然而芯片本身价格过高和发光效率有待提升的问题，始终困扰着 LED照明技术的推广普及。发光效率要提升，就要有效增加取出效率。而LED的发光顏色和发光效率与制作LED的材料和工艺有关，制造LED的材料不同，可以产生具有不同能量的光子，藉此可以控制LED所发出光的波长，也就是光谱或顏色。一、透明衬底技术 LED通常是在GaAs衬底上外延生长InGaAlP发光区GaP窗口区制备而成。与InGaAlP相比，GaAs材料具有小得多的禁带宽度，因此，当短波长的光从发光区与窗口表面射入GaAs衬底时，将被悉数吸收，成为器件出光效率不高的主要原因。在衬底与限制层之间生长一个布喇格

[电源管理]

热门资源推荐
热门放大器推荐

小广播

热门活动

换一批

■TI 有奖直播 | 使用基于 Arm 的 AM6xA 处理器设计智能化楼宇

■Follow me第二季第3期来啦！与得捷一起解锁高性能开发板【EK-RA6M5】超能力！

■报名直播赢【双肩包、京东卡、水杯】| 高可靠性IGBT的新选择——安世半导体650V IGBT

■30套RV1106 Linux开发板（带摄像头），邀您动手挑战边缘AI~