Vishay上线业内首个铁氧体磁珠阻抗计算器

Vishay新型SMD HI-TMP®液钽电容器可节省基板空间并提高可靠性 器件工作温度达+200 C，具有更高的耐抗热冲击能力，使用寿命长达2,000小时，适于石油勘探、国防和航空航天应用 宾夕法尼亚、MALVERN — 2021年6月28日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc. 推出可在+200 C高温下工作，采用小型C外形编码的新系列HI-TMP®表面贴装液钽电容器---T24系列。该系列电容器尺寸和占位面积小于同类插件和模压高温器件，更有效地利用基板空间，提高石油勘探以及国防和航空航天雷达应用的可靠性。 日前发布的电容器外形尺寸为9 mm x 7.1 mm x 7.4 m

考虑电缆阻抗匹配的视频信号分配电路 电路的功能 采用宽带信号的视频设备必须解决好与同轴电缆的匹配问题，一个输出端不能并联几根电缆。 信号分配的办法，可以在低输出阻抗放大器的输出端加几个匹配用的75欧电阻或象本电路那样，每路各加一个宽事缓冲放大器。 电路工作原理 本电路使用宽带视频用的OP放大器LM6361进行反相放大，这种放大器即使放大倍数为1也能稳定工作，用放大器A1的可变电阻VR1可使放大倍数调在1~3.5之间。

大家好，昨天我们已经介绍了电流和电压了，今天我将为大家介绍一个最基本的元器件--电阻，及与电阻、电流、电压相关的定律--欧姆定律。 电阻:电路中对电流通过有阻碍作用并且造成能量消耗的部分叫做电阻。电阻常用R表示。电阻的单位是欧，也常用千欧或者兆欧做单位。1k欧=1000欧,1M欧=1000000欧。导体的电阻由导体的材料、横截面积和长度决定。电阻的种类很多，从结构形式来分，有固定电阻、可变电阻和电位器三种。在电路中，电阻器的符号如图所示。 电阻可以用万用表欧姆档测量。测量的时候，要选择电表指针接近偏转一半的欧姆档。如果电阻在电路中，要把电阻的一头烫开后再测量。 阻值在兆欧以上，标注单位M。比如1兆欧，标注1M；2.7兆欧，标注2.7

　　微处理器电路主要完成通信、数据处理、功能控制、人机交互等工作。主要由TMS320F2812、晶体振荡器、电源控制、WATCHDOG等器件组成。其中晶体振荡器、电源控制和WATCHDOG是TMS320F2812能够正常运行的保证；DSP芯片配合完成各种控制任务。 　　 电源管理电路设计 　　TMS320F2812的工作电压分为两组，一组是供CPU内核使用的1.8V的VCCCORE，设计上选用TPS76718电源管理芯片，将+5V的电压变换为+1.8V；另一组是供I/O口使用的3.3V的VCCIO，选用TI公司的TPS76733电源管理芯片将+5V电压变为+3.3V。电源管理电路图如图5-3所示。 　　在设计DSP芯片与其它外

宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 6 月26 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新系列表面贴装多层陶瓷片式电容器(MLCC)--- VJ HIFREQ。器件具有高自振、大于2000的高Q值、小于0.05%的低介质损耗角，可在高频商用应用中工作。 VJ HIFREQ系列器件具有低介质损耗角，适用于滤波器和匹配网络、放大器和直流隔离电路。MLCC减小了在功率放大器模块、VoIP网络、移动基站、GPS系统和卫星、WiFi(802.11)和WiMAX(802.16)无线通信中的信号损失和能量消耗。 VJ HIFREQ系列电容器的外形尺寸为0

2021年7月22日 –专注于引入新品的全球电子元器件授权分销商贸泽电子 (Mouser Electronics)宣布其获得知名分立半导体和无源电子元件制造商Vishay Intertechnology, Inc.的2020年度美洲无源电子元件优质服务分销商大奖。Vishay授予这项殊荣，是为了表彰贸泽在设计市场中的新品引入支持、客户增长以及产品丰富度等方面的出色表现。 贸泽电子亚太区市场及商务拓展副总裁田吉平女士表示：“Vishay是贸泽重要的合作伙伴。我们由衷感谢Vishay将这一奖项授予贸泽，此举也进一步夯实了我们牢固的分销合作伙伴关系。我们的客户正积极将Vishay的创新元件运用到设计中，并且我们也期待着双方进一

0 引言     目前，在臭氧发生器、污水处理、烟气脱硫、高功率激光、等离子体放电等技术领域，高压逆变电源正得到越来越多的应用。传统的高压逆变电源一般由工频或中频变压器直接升压或LC串联谐振获得，不可避免地存在体积大、效率低的缺点。在目前许多需要高压电源的场合，采用高频技术和软开关技术，可以有效减小高频电源体积、重量和损耗，所以高频高压逆变电源是未来发展的方向。     由于高压逆变电源的应用领域不同，负载的阻抗也会不同；另外电源在工作时负载阻抗会随温度的变化而变化，所以研究负载的变化对逆变电源输出参数的影响有着重要的意义，也是设计一个优良电源的关键。本文根据实际应用中的逆变电源，分析了负载阻抗变化的特性。 1 实际电路及其工

第四代器件，提高额定功率和功率密度，降低导通和开关损耗，从而提升能效 美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2023年9月4日 — 日前， 威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型第四代650 V E系列功率MOSFET---SiHP054N65E，提高通信、工业和计算应用能效和功率密度 。Vishay Siliconix n沟道 SiHP054N65E导通电阻比前代器件降低48.2%，同时导通电阻与栅极电荷乘积下降59%，该参数是650 V MOSFET在功率转换应用中的重要优值系数（FOM）。 Vishay丰富的MOSFET技术全面支持功率转换过程，涵盖需要高压输