Intel路线图曝光：10nm产品在2018年底推出

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在1月25日下午的财报会议上，Intel CEO Brian Krzanich（科再奇）对外明确表示，将在2018年晚些时候推出完全不受Meltdown和Spectre漏洞影响的芯片产品。

虽然在报告期内（2017年Q4）Intel给出了创记录的财务数据，但华尔街分析师也提出了安全漏洞对未来Intel影响的担心。

对此，科再奇表示，即便是把影响放大到最高，也不会对Intel未来的财务预期造成明显干扰。他还补充说，Intel已经安排了最强大脑来处理此事（指安全漏洞事件）。

同时，关于所谓的安全CPU产品究竟对应谁，知名媒体PCworld和TMHW也给出了自己的分析。

PW称，这款CPU产品应该是基于14nm工艺的Cascade Lake-X或者部分10nm Cannon Lake芯片。Cascade Lake-X是下一代Core X发烧级处理器的代号，用以接替在售的Skylake-X，按照早先路线图，定于Q4推出，时间倒是挺对的上号。

目前的Core X和普通酷睿的一个区别是，前者采用了Mesh bus网格互联架构，而后者是Ring Bus环形总线。

至于这批新处理器是否会刺激Intel的销量，PW认为要分两个领域看，消费级不会，但企业级用户可能会争相选择部署。

另一家权威硬件媒体TMHW和PW的看法基本一致，也就是10nm和新14nm都会有着底层级别的漏洞免疫。

关于先进制程，科再奇在财报会议上表示，14nm的产品在2018年会继续做下去。至于10nm，2017年末和2018上半年选择小规模出货，2018年下半年进入大规模制造。

最后，PW和TMHW均提到，未来的Intel芯片可能会涨价。

虽然从理论上说，Intel在2017年夏天就已经获悉相关漏洞，所以后来的路线图应该就是修正过的，但前AMD专家现在Moor Insights首席分析师Pat Moorhead却有着自己的看法，他称Intel要么就是在为发布的芯片中直接集成了修复，要不然就只能把新品延期1年。

在去年举办的Technology and Manufacturing Day的活动上，英特尔表示，10nm能在1平方毫米的面积内容纳超过1亿个晶体管，鳍片间距更小，10nm会和14nm一样，会使用在三代产品上，而并不是之前的Tick-Tock模式，分别是10nm、10nm+、10nm++，在这之后才会进入7nm，年底的10nm产品比起现在的14nm++，其在性能上能提升25%，功耗还降低45%，他们认为英特尔的10nm工艺会比三星和台积电的要更强。

英特尔高级院士Mark Bohr毫不保守的表示，通过采用超微缩技术（hyper scaling），英特尔10纳米制程工艺拥有世界上最密集的晶体管和最小的金属间距，从而实现了业内最高的晶体管密度，领先其他竞争对手的10nm整整一代。

到了 10 nm之后，我们不能像在以往节点一样，通过简单地缩小栅极宽度来推进制程。7 nm势必霈要昂贵的全新晶体管架构、沟道材料和内部连接。同时还需要全新的Fab 工具和材料。但就我们观察，这些目前都不够成熟。从技术的角度看来，我们可以生产7 mn或5 nm芯 片。但设计和生产这些制程的芯片，需要极强的资金 和能力。另外，在有多种选择的当下，如何选择正确的 技术也是实现这些制程的关键。

从之前的路线来看，在7 nm制程，最有希望的晶体管候选者就是高电子迁移率的III-V族FinFET,而5nm，我们会迎来下一代全新的晶体管。（而根据IMEC的报告，下一代晶体管出现的时间是7nm，比我们预想的更早）

在7 nm的时候，有三种晶体管可以选择，分别是环绕栅极场效应晶体管、量子阱FinFET和SOI FinFET。 根据IMEC的报告，环绕栅极场效应晶体管是最好的选择。但是同样，锗或Ⅲ-V族材料都应该是7 nm时沟道的首选材料。

关于7 nm时候的沟道材料的选择，IMEC将其范围缩窄到两个：一个是由80％锗组成的PFET；一种是 25％到50％混合锗的FET和0到25％混合锗且带有 strain relaxed buffers的NFET。最完美的选择材料是锗。 硅器件的运行电压是0.8 v和0.75 v，而锗器件的 工作电压是0.5 v。毫无疑问，使用锗让我们降低了 Vdd，进而降低了功耗。 而在7 nm之后，业界也给出了几种晶体管选择， 如上面提到的环形栅极、量子阱、SOl FinFET，还有 Ⅲ-V族FinFET和垂直纳米线。IMEC表示他们正在考量垂直纳米线的方方面面。同时他们也在探索如何生长沟道。

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