工程师博客丨打破藩篱，成就飞跃——美光推出 176 层 NAND

在 30 年的数据技术开发与市场营销生涯中，我有幸见证和参与了许多惊人的技术发展，它们改善了很多人的日常生活。但我从来没有因为一种新成就的诞生而感到如此兴奋，它就是 176 层 NAND。

这是一项了不起的人类成就，标志着 NAND 演变过程中的一个新的技术里程碑。为了理解 176 层 NAND 的重要意义，让我们将时间追溯到几十年前。

我们日常生活中习以为常的一些技术，比如手机、GPS 和互联网，都是经过多年的发展才能实现，它们建立在一层又一层的基础技术之上。例如，一部手机需要用到 CDMA（码分多址，一种现在很常见的技术）、低噪声放大器、数字信号处理器、强大的微处理器、耐用的充电电池、存储器（比如 NAND 存储）和许多其他技术。

在这些基础技术的开发过程中，我听到过反对的声音。他们总是说“这种想法在现实生活中永远行不通”，有些人因此会望而却步。然而，三到五年后，当这些技术出现在公开市场上，出现在你我每天都在使用的设备上时，我只会淡淡一笑。

但必须承认，有时候我自己也心存疑虑。在3D NAND 还属于一种新概念的时候，即 2014 年之前，主要的内存设计都是直接放置在硅晶圆上，通过扩大面积横向增加容量。而 3D NAND 则是以堆叠方式扩大容量。我最初认为这个想法不太可能成为现实。但就像许多受到质疑的技术一样，它成功了！

3D NAND 的投产是一件大事，它带来了更低的成本，实现了巨大的价值。美光的 176 层 NAND 成为一个重要的里程碑。这项技术所实现的密度是早期 3D NAND 的近 10 倍。10 倍密度意味着智能手机可以做更多事、存储更多内容，并且让更多人负担得起，同时提升他们的日常生活体验。我还期待我们的技术能够广泛应用于各种电子设备（包括云存储的基本结构单元）。

能够为这项伟大成就做出贡献，我感到非常自豪。除了比以前的器件密度更高，这款 176 层的新器件还通过创新的电路设计，实现了业界最高的数据传输率。美光的工程师在打造这种超高密度存储的同时，对 NAND 进行了重要的架构改造，为下游设备未来几年的创新奠定了基础。

这是真正让我兴奋的地方。这一进步不仅仅是工程技术上的飞跃——它还带来了自由，让人们可以做到更多、学到更多并拓宽眼界。美光 176 层 NAND 已经打开了通往数据的大门，不仅会有更多人能够以更低的成本更快地访问数据，而且他们使用的访问设备也会更好、更小、更快且价格更低。

当想起那些面对“不可能”没有动摇的人时，我心怀感激和敬畏。为了我们所有人，他们再一次将不可能变成了现实！我迫不及待地想要看到，富有创造力的设计师、制造商和推动者将如何用这种非凡的新设备为每个人的生活增添更多光彩。

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