NI发布业界最高精度的PXI源测量单元

安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟宣布供应来自世界领先电子测试与测量设备制造商Rohde & Schwarz的新型NGU系列源测量单元（SMU）产品。 全新上市的NGU系列源测量单元专为解决挑战型应用对半导体和无线通信测试的需求而设计，具有超高精度和快速负载恢复时间，且所有型号均提供三年标准质保。客户现可通过e络盟购买NGU系列产品，其中包括：  R&S®NGU201 — 无线通信测试专业仪器，采用双象限架构，可用作源端和吸收端来模拟电池和负载。NGU201经调节可对功率高达60W的任何电池供电设备（如手机、平板电脑及物联网设备）进行完整的电池耗电

1. IV范围 针对设备选用具有适当电压电流范围的源测量单元(SMU)对于应用的成功至关重要。IV范围通常由图1中象限图来表示，它指的是SMU可以拉或灌的电压和电流值。拉和灌这两个词描述的是设备的功率流入和流出。拉电流的设备可为负载提供电流，而灌电流的设备就像一个负载，被动吸收流入的电流，且可为电流提供返回路径。 图 1. 四个象限区域表示设备拉灌的电流或电压值   在上面的象限图中，I和III象限代表设备处于拉电流状态，而象限II和IV代表设备处于灌电流状态。在象限I和III内均能够拉电流的设备有时也称其具有两极性，因为这些设备能够既能产生正电压和电流，也能产生负电压和电流。“四象

1. 基于NI SourceAdapt技术的NI系统源测量单元 源测量单元(SMU)是一种精密的仪器，可同时对同一通道的电流和电压进行同步源测量。 该功能使得SMU成为从精准直流电源到分析分立元件或集成电路等半导体组件的特性等各种应用的理想之选。   某些SMU针对特定的应用或者需求作了优化，例如泄露测试、大功率IV扫描、为具有快速瞬态响应的移动设备供电。 这些仪器完美地提供了某一特定的功能，但是您可能需要多个这样的SMU来完全分析需要各种不同激励或功能的设备的特性。 或者，您也可以选择系统SMU，它将高功率、高精度、高速源测量功能集成到单个仪器上， 使您能够执行各种不同的功能以及通过同一针脚进行各种不同的设备测试

所有源测量单元(SMU)都有一个直流功率边界，代表该仪器进行吸灌电流操作时的电压和电流限制值。 此外，有些SMU在超过基本的直流电源边界时也可以工作，因为它们输出的是脉冲电流或电压，而不是提供恒定直流电源。 即使脉冲边界的延伸存在输出限制，但这些SMU对于高功率 IV特性分析而言仍然很有用，有助于降低整体复杂度。   1. 脉冲测试的优势 在脉冲模式下进行测试有两个主要优势：   更宽的功率边界——使用单个SMU在高瞬时功率下进行测试 输出高功率脉冲适用于某些设备的IV特性分析，例如高亮度LED、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和MOSFET；而输入高功率脉冲则适用于SMU

源测量单元(SMU) 由于其将可编程电源、可编程负载和DMM的功能集成到一台仪器而日益普及。 然而，大多数工程师只是表面上理解了SMU对其测试系统性能和吞吐量的影响。 为了实现减少成本和测试时间的最终目标，以下七个技巧可让您更快速、更经济地分析和验证产品。 1使用示波器监测启动电压 SMU未达到稳定状态就开始测量会导致不确定的测试结果，但等待过久又会浪费宝贵的时间。 这时，您可使用示波器或数字化仪来探测SMU的输出电平，同时将其连接到待测设备（DUT）以确保等待SMU达到稳定状态开始测量的时间不会过短或过长。   图1. 使用示波器或数字化仪探测SMU的电压输出线，优化

新闻发布– 2016年7月11日– NI（美国国家仪器，National Instruments, 简称NI） 作为致力于为工程师和科学家提供解决方案来应对全球最严峻的工程挑战的供应商，近日宣布推出NI PXIe-4135源测量单元(SMU)，其测量灵敏度达10 fA，输出电压高达200V。工程师可以使用NI PXIe-4135 SMU来测量低电流信号，并利用NI PXI SMU的高通道密度、高速的测试吞吐率和灵活性来实现晶圆级参数测试、材料研究以及分析低电流传感器和集成电路的特性等各种应用。   “我们的顺序参数测试需要采集数百万个数据点，电流泄露通常在pA级。&rdquo