道康宁新一代低介电常数半导体薄膜技术荣获美国专利

新沉积技术让晶片制造商利用碳化硅和碳氧化硅薄膜制造更好的绝缘层

全球材料、应用技术及服务的综合供应商道康宁公司先进技术与新业务拓展部门日前宣佈，其最新的低介电常数碳化硅与氢化碳氧化硅 (low-k SiC and H:SiOC) 薄膜制造方法已获得美国专利。这套方法利用电浆辅助化学气相沉积制程 (PECVD) 让含氧气体与带有应力硅键结的环硅烷化合物进行反应。

晶片制造商近年来已开始利用低介电常数绝缘材料来减少电晶体间的电性干扰，以使这些电晶体的位置能够更靠近，进而制造出体积更小、速度更快和耗电更少的晶片。但随著半导体元件不断微缩，传统的低介电常数薄膜越来越容易受到制程高温破坏，而更难附著在晶片导线所用的金属层上。

道康宁预期从32奈米开始，新一代晶片都会利用这种低介电常数制程制造层间介质。

道康宁电子与先进技术事业部的全球执行总监Jeroen Bloemhard表示：“获得这项专利证明我们的晶片技术正持续精进，而我们也致力于保护公司的智慧财产。我们将继续在硅材料产业发挥影响力，并正积极投资于研发，以满足未来的市场需求。”

道康宁先进技术与新业务拓展部门致力提供具有特殊及高纯度硅胶与硅晶材料的产品和解决方案，以满足电子、光电和半导体产业的需求。如需取得相关资讯，请至以下网站查询：
http://www.dowcorning.com/content/etronics/etronicschem/default.asp。