三星制成0.08毫米半导体衬底 今年有望实现商用

西部数据及其生产合作伙伴铠侠周四表示，用于闪存芯片生产的材料受到污染，影响了日本两家工厂的生产。　　这是全球半导体短缺持续之际，芯片生产遭遇的又一个挫折。两公司表示，他们正努力使横海市和北上市的工厂尽快恢复正常运营。　　闪存是很多电子设备的重要组成部分，取代了磁盘成为数据的主要存储。从苹果的iPhone到超级计算机，所有产品都使用了这种芯片。　　韩国的三星电子和SK海力士以及美国的美光科技是这类半导体的其他主要生产商。　　西部数据和铠侠的声明没有给出何时恢复生产的估计。通常情况下，芯片从一块硅片到可用于电子设备的成品元件需要三个月的时间。　　铠侠表示，受影响的产品是一种名为3D flash的新型芯片，该公司“预计其传统2D

全球半导体企业为了率先批量生产200层以上NAND闪存，展开了激烈的技术竞争。三星电子计划在2022年底或2023年上半年推出200层以上NAND闪存，并在明年上半年开始批量生产。据businesskorea报道，三星电子原计划在2021年末开始量产176层NAND，但考虑到市场情况，推迟到了2022年第一季度。不过美国的美光已经开始量产176层NAND，业内人士预测，三星电子将加快200层以上NAND闪存量产的步伐，以夺回被美光夺走的技术领先地位。业内人士称，三星电子将在128层的单片存储器上叠加96层，推出224层的NAND闪存。与176层相比，224层NAND闪存的生产效率和数据传输速度将提高30%。另外，美光和SK海力士

NAND闪存厂商都准备在2022年底到2023年期间推出200层以上的芯片产品，这是行业向更高密度的3D NAND闪存过渡的里程碑。据《电子时报》援引消息人士称，在这些供应商中，三星电子和美光科技可能是首批开始批量生产200层以上3D NAND闪存芯片的厂商。该人士表示，三星在韩国平泽的新工厂于2021年下半年开始生产，并将在今年提高176层3D NAND芯片的产量。过渡到176层3D NAND闪存制造，预计将使三星新工厂的总产量在2022年提高到每月5万个晶圆。此外，三星还计划在中国西安工厂扩大128层3D NAND芯片的产量。目前，该工厂正在建设第二期工厂，每月可生产13万至14万片晶圆。第一期工厂的月均生产量为12万

随着市场需求推动存储器技术向更高密度、更优性能、新材料、3D堆栈、高深宽比 (HAR) 刻蚀和极紫外 (EUV) 光刻发展，泛林集团正在探索未来三到五年生产可能面临的挑战，以经济的成本为晶圆厂提供解决方案。增加3D NAND闪存存储容量的一种方法是堆栈加层，但堆栈高度的增加会带来更大的挑战。虽然这些挑战中最明显的是结构稳定性问题，但层数的增加意味着需要使用更深的通道来触及每个字线、以及更窄的狭缝沟槽以隔离连接到位线的通道（图1）。图1：随着3D NAND堆栈超过128层，堆栈高度接近7微米，并将所需的通道孔和狭缝转变为高深宽比 (HAR) 特征，刻蚀的挑战越来越大。高深宽比刻蚀的挑战在硬掩膜沉积和开口形成以便刻蚀垂直通道之前，沉积

据业内人士透露，2021年无线耳机销量强劲，苹果加大对AirPods芯片采购力度，要求兆易创新、华邦电、旺宏等供应商为AirPods 3提供更多的NOR闪存，并为2022年下半年推出新一代AirPods Pro做好准备。《电子时报》援引上述人士称，华邦电和宏旺都已提高了对AirPods 3的供货，到2022年，两家公司预计都将在AirPods 3的整体NOR闪存供应中占据更大的比例。兆易创新方面，满足苹果的需求已经是其首要任务，虽然对AirPods 3的供应减少，但该公司将加快对下一代AirPods Pro系列的NOR闪存出货量。三家公司拒绝就具体客户和订单对《电子时报》置评。据报道，华邦电是AirPods Max耳机的独家

2021年12月30日，SK海力士今日宣布，已于12月30日圆满完成了收购英特尔NAND闪存及SSD业务案的第一阶段。继12月22日获得中国国家市场监督管理总局的批准后，SK海力士今日完成了第一阶段的后续流程，包括从英特尔接管SSD业务及其位于中国大连NAND闪存制造厂的资产。作为对价，SK海力士将向英特尔支付70亿美元。此后，预计在2025年3月或之后的第二阶段交割时，SK海力士将支付20亿美元余款从英特尔收购其余相关有形/无形资产，包括NAND闪存晶圆的生产及设计相关的知识产权、研发人员以及大连工厂的员工。届时，收购交易将最终完成。新设立的美国子公司将运营此次收购的英特尔SSD业务。该新公司的名称定为“Solidigm