顺应NAND未来旺盛需求，东芝意欲翻番闪存产量

东芝公司日前表示，计划三年内投资180亿美元，一半用于半导体，主要是扩充NAND闪存产量。东芝总裁兼首席执行官Atsutoshi Nishida表示，将增加NAND闪存产量，将两座新工厂的产能扩大至两倍。

4月初，东芝及其NAND合作伙伴SanDisk Corp.披露了Fab 4的计划。Fab 4将月产10万片晶圆，预计2007年第四季度开始运作。东芝还确认了在别处兴建第二座生产厂Fab 5的计划。

Fab 5预计将于2008年财年开始运作，东芝和SanDisk将分享所有权。

对于可能产能过剩的担心，Nishida回应说：“尽管我们半导体预算约有1万亿日元，我们将根据市场状况决定实际投资额。但我们的产能根据对NAND未来需求的预计将严重短缺。”

东芝预计NAND闪存市场将在2008年由今年的170亿美元增至230亿美元。电子设备的销售预计将年增18%，由当前财年的146亿美元增长至2008财年的206亿美元。