11月2日消息,据外电报道,三星公司近日开发出了新的芯片堆栈技术,它用多芯片封装形式(MCP)将16GB NADN闪存集成在一块芯片上。
新工艺将16片NAND闪存芯片整合为16GB容量的芯片塔。三星公司称,更薄的MCP是许多关键技术的整合,比如更薄的晶圆、芯片层的重新分配、芯片外观和布线等。
三星公司称,新的晶圆薄化技术可将晶圆厚度减少到30纳米,相当于20-30纳米的人类细胞大小。
改进的激光刻蚀技术将晶圆切割成独立芯片,但不会将其变成碎块。
三星采用重新分层技术将多芯片垂直地堆栈,新技术可让芯片封装者从一段连接线路,而传统方法需要从芯片两端连线。
由于采用一端连接技术,每片芯片以弯曲形式堆栈,从而使整体空间和线路长度降至最小,16片芯片封装后的厚度是1.4mm。
三星公司的声明说,新的MCP技术支持业界对小型化和高密度储存设备的需求,它可以容纳高强度的多媒体应用。
关键字:堆栈 多芯片 封装
编辑: 引用地址:三星开发16GB闪存芯片 相当20-30纳米人类细胞
新工艺将16片NAND闪存芯片整合为16GB容量的芯片塔。三星公司称,更薄的MCP是许多关键技术的整合,比如更薄的晶圆、芯片层的重新分配、芯片外观和布线等。
三星公司称,新的晶圆薄化技术可将晶圆厚度减少到30纳米,相当于20-30纳米的人类细胞大小。
改进的激光刻蚀技术将晶圆切割成独立芯片,但不会将其变成碎块。
三星采用重新分层技术将多芯片垂直地堆栈,新技术可让芯片封装者从一段连接线路,而传统方法需要从芯片两端连线。
由于采用一端连接技术,每片芯片以弯曲形式堆栈,从而使整体空间和线路长度降至最小,16片芯片封装后的厚度是1.4mm。
三星公司的声明说,新的MCP技术支持业界对小型化和高密度储存设备的需求,它可以容纳高强度的多媒体应用。
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