英特尔美光揭示NAND接口新突破

　　英特尔和美光已经推出了一种高速、高效的NAND闪存接口技术，据称比现有器件可以提供高达5倍以上数据传输速率。

　　美光已经推出了基于该技术第一个NAND器件，这个技术由英特尔和美光共同开发，充分利用了开放NAND闪存接口（ONFi）工作组定义最新接口规范。

　　开放NAND闪存接口（ONFi）工作组成立于2006年。最新的规范被称为ONFi 2.0，它定义了一个高速NAND同步接口，接口性能可以高达 133兆字节每秒（Mb/s）。传统NAND异步接口的最大速度为50Mb/s，因此阻碍了固态硬盘等的应用性能。

　　基于ONFi 2.0规格的器件据称可以减少传输数据以及从缓冲器读取数据所需时间，这种性能是通过DDR(双数据率)信令和源同步时钟两种技术实现的。

　　美光NAND闪存市场开发经理Kevin Kilbuck称，这项技术解决了NAND闪存接口中恼人的“性能瓶颈”。美光和英特尔2005年成立了一家名为“IM Flash Technologies LLC”的闪存制造合资企业。

　　英特尔和美光使得接口技术更进一步。使用四级架构，NAND接口速度可以达到200MB/s的读速度，100MB/s的写速度。相比较之下，传统的单层单元闪存NAND的读速度被限制在40MB/s，写速度不到20MB/s。

　　这使得计算、视频、摄影和其他消费应用可以在短时间传输数据。它同时也为计算机、数码相机、MP3和手机之间传送数字内容提供了一种更快的方式。

　　“计算市场使用以NAND为基础的解决方案来加速使用缓存和固态驱动器的系统性能。”英特尔NAND产品小组的市场经理Pete Hazen说。

　　“英特尔和美光的高速NAND可以提供传统NAND高达5倍的性能，可以支持那些高性能系统接口的嵌入式解决方案和移动解决方案 ，包括PCIe和即将推出的USB 3.0标准，”他说。

　　镁光声称自己是第一家基于该技术的第一个产品。这个公司正在提供一个8GB、SLC(单层单元闪存)器件的样品。

　　在50nm工艺节点进行设计，美光的8-Gbit SLC高速NAND器件正在向OEM和控制器制造商提供样片，预计在2008年下半量产年。公司也希望在2009年发布ONFI 2.0衍生NAND，包括MLC多层单元闪存版本。

　　未来几代的规格将提供高达400 MB/s速度。下一代的ONFi规格预计在2009年完成，预计ONFi 2.0接口速度翻倍。ONFi创始公司包括Hynix、英特尔、Phison、美光、索尼和ST。