多年来,苹果推出的新产品一直推动着NAND闪存市场的增长,所谓的“苹果效应”提高了海力士(Hynix)、三星、东芝和其它NAND闪存芯片厂商的业绩。
但Semico调研公司在新发表的一份报告中说,尽管苹果即将开始销售3G版iPhone,以及在MacBook Air中采用固态硬盘,但今年迄今为止,NAND闪存芯片市场还没有出现以往数年出现的“苹果效应”。
Semico表示,美国次贷危机打击了消费者的消费信心,燃油价格飞涨使得消费者的可自由支配收入减少,这两个因素抑制了消费电子产品的销售。
据Semico称,今年NAND闪存芯片的销售量针由去年的250,860万片增长到352,850万片,但销售额的增长幅度将由去年的25%下滑到13%。
关键字:NAND闪存
编辑:梁朝斌 引用地址:https://news.eeworld.com.cn/news/market/200807/article_21618.html
推荐阅读
三星将在年底推出200层+NAND闪存
全球半导体企业为了率先批量生产200层以上NAND闪存,展开了激烈的技术竞争。三星电子计划在2022年底或2023年上半年推出200层以上NAND闪存,并在明年上半年开始批量生产。据businesskorea报道,三星电子原计划在2021年末开始量产176层NAND,但考虑到市场情况,推迟到了2022年第一季度。不过美国的美光已经开始量产176层NAND,业内人士预测,三星电子将加快200层以上NAND闪存量产的步伐,以夺回被美光夺走的技术领先地位。业内人士称,三星电子将在128层的单片存储器上叠加96层,推出224层的NAND闪存。与176层相比,224层NAND闪存的生产效率和数据传输速度将提高30%。另外,美光和SK海力士
发表于 2022-02-09
NAND闪存进入200层以上竞争 三星西安工厂或成为定价关键
NAND闪存厂商都准备在2022年底到2023年期间推出200层以上的芯片产品,这是行业向更高密度的3D NAND闪存过渡的里程碑。据《电子时报》援引消息人士称,在这些供应商中,三星电子和美光科技可能是首批开始批量生产200层以上3D NAND闪存芯片的厂商。该人士表示,三星在韩国平泽的新工厂于2021年下半年开始生产,并将在今年提高176层3D NAND芯片的产量。过渡到176层3D NAND闪存制造,预计将使三星新工厂的总产量在2022年提高到每月5万个晶圆。此外,三星还计划在中国西安工厂扩大128层3D NAND芯片的产量。目前,该工厂正在建设第二期工厂,每月可生产13万至14万片晶圆。第一期工厂的月均生产量为12万
发表于 2022-02-04
SK海力士完成收购英特尔NAND闪存及SSD业务案第一阶段
2021年12月30日,SK海力士今日宣布,已于12月30日圆满完成了收购英特尔NAND闪存及SSD业务案的第一阶段。继12月22日获得中国国家市场监督管理总局的批准后,SK海力士今日完成了第一阶段的后续流程,包括从英特尔接管SSD业务及其位于中国大连NAND闪存制造厂的资产。作为对价,SK海力士将向英特尔支付70亿美元。此后,预计在2025年3月或之后的第二阶段交割时,SK海力士将支付20亿美元余款从英特尔收购其余相关有形/无形资产,包括NAND闪存晶圆的生产及设计相关的知识产权、研发人员以及大连工厂的员工。届时,收购交易将最终完成。新设立的美国子公司将运营此次收购的英特尔SSD业务。该新公司的名称定为“Solidigm
发表于 2021-12-30
SK海力士收购英特尔NAND闪存及SSD业务获得反垄断机构批准
SK海力士今日宣布,针对公司的英特尔NAND闪存及SSD业务收购案获得了中国反垄断机构-国家市场监督管理总局(SAMR)的批准。随着SAMR的批准,SK海力士获得了所有8个不同司法辖区的反垄断机构批准。SK海力士将继续为交割做准备, 达成所有交割条件。第一阶段交割的对价为70亿美元,交割时SK海力士将从英特尔接管包括SSD相关的IP及员工在内的SSD业务和大连资产。SK海力士表示,“真诚欢迎和感谢中国反垄断机构的批准。SK海力士将继续推进并购后的整合流程以提高NAND闪存及SSD业务的竞争力。”SK海力士官方说明:此前外界猜测,鉴于中美两国在半导体领域的紧张关系以及该交易涉及各国利益的复杂局面,SK海力士将难以获得中国对该交易
发表于 2021-12-23
适用于工业应用的 NAND 闪存
伪SLC如何兼顾耐用性和经济性?如今,在 NAND 闪存行业中,随处可见存储密度又达到新高的各种新闻。闪存早已实现了 100 层以上的技术,并且在短期内似乎并没有遇到瓶颈的迹象。 目前的趋势是随着层数稳步提高的同时在每个单元中存储更多位元。目前的主流技术是TLC(三层单元,Triple Level Cell),每个单元存储 3 位元,其中的“层”指的是比特数,而不是内部状态。需要存储和读取的内部状态的数量是存储的位元数的 2 次方——3 位就意味着需要识别 8 种不同的状态。目前的趋势是通过 QLC 技术(四层单元,每单元 4 位元)在相同尺寸的芯片中实现更大的存储容量。QLC 具有 16 个状态,因此实现起来并不
发表于 2021-11-12
由于芯片短缺 明年iPhone 14机型可能采用QLC NAND闪存
芯片短缺迫使苹果在今年 iPhone 13 系列的某些组件上做出妥协,预估 2022 年推出的 iPhone 14 也会遭遇相同的命运。根据一份新报告,苹果正在与 QLC NAND 闪存供应商合作,在明年的机型中使用 QLC。而 QLC 技术最大的问题就是寿命会比较短。相比较 TLC(三层单元)、MLC(多层单元) NAND,QLC(四层单元)可以存储每个单元四位,可以在同一区域内分配更多容量。使用这种技术的一个主要缺点是可以写入的数据量要少得多,但由于苹果需要在同一区域内集成更多存储,因此它必须坚持使用 QLC NAND。 苹果在 iPhone 13 系列中推出了 1TB 存储型号,随着存储需求的不断提高,将不得不
发表于 2021-09-30