推荐阅读最新更新时间:2023-10-11 14:55
三星、美光等提价在即,NAND Flash涨价至少持续三个月
本月初,由于西部数据和铠侠(Kioxia)双双对外公告称,部分NAND生产线遭到污染,导致今年一季度产能受损。不久后,西部数据便宣布全部产品涨价,尔后,美光也进一步跟进,宣布NAND芯片合约、现货全部涨价。 据了解,在本轮涨价中,NAND 各型号价格均有所上涨,其中,64Gb 8Gx8 MLC 闪存合约涨幅最大,远高于32Gb 4Gx8 MLC 闪存合约涨幅,而且价格已经创下三年来新高。 有业内人士称,短期来看,新一轮的涨价才刚刚开始,持续时间至少三个月。 NAND Flash涨价趋势卷土重来 2月10日,铠侠与西部数据发布公告称,自1月下旬以来,日本四日市工厂和北上工厂的部分业务受到产线污染影响,受污染的产品集中为3D NAND
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氮气出状况, 厂房停工:美光桃园厂COO严正否认
集微网消息,据台湾科技新报报道,近日传出厂房制程所需的氮气出状况,造成逾半晶圆报废,厂房目前仍处停工状态,接下来 DRAM 供货恐受影响。 根据科技新报取得的消息,华亚科厂房近日传出制程所需氮气出现状况,气体污染造成约 6 万片晶圆报废,华亚科厂房为双子星结构,一厂可容纳两座 12 吋厂,两厂月产能可达 12 万片以上,此次逾半产能晶圆报废,影响不可谓小。 最新消息,美光桃园厂营运长叶仁杰对此事件严正否认。 他表示,美光桃园厂并没有任何氮气外泄事件,气体皆在管线中,仅是些许厂务问题,一切事件都在控制之中,没有任何的工安问题,且厂务也快速修复完工,对于产能完全没有任何影响。 半导体市场目前已进入拉货旺季,不论是移动型DRAM
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英飞凌科技宣布扩充其硅基氮化镓技术和产品组合
英飞凌携高能效增强模式和共源共栅配置硅基板GaN平台组合亮相2015年应用电力电子会议暨展览会。
2015年3月25日,德国慕尼黑和美国夏洛特讯 英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)今日宣布扩充其硅基氮化镓(GaN)技术和产品组合。目前,英飞凌提供专为要求超高能效的高性能设备而优化的增强模式和级联模式GaN平台,包括服务器、电信设备、移动电源等开关电源应用以及诸如Class D音频系统的消费电子产品。GaN技术可以大幅地缩小电源的尺寸和减轻电源的重量,这将为GaN产品在诸如超薄LED电视机等终端产品市场开辟新的机会。
英飞凌科技股份公司电源管理及多元
[半导体设计/制造]
英飞凌已完成对赛普拉斯的收购
英飞凌科技股份公司 (FSE: IFX/OTCQX: IFNNY)今日宣布完成对赛普拉斯半导体公司的收购。总部位于圣何塞的赛普拉斯即日起将正式并入英飞凌。 “收购赛普拉斯是英飞凌战略发展历程中具有里程碑意义的一步。”英飞凌首席执行官 莱因哈德·普洛斯(Reinhard Ploss)表示,“数字化是全球最重要的发展趋势之一,合并后,我们将为客户提供全面的产品组合,连接现实与数字世界,推动数字化转型。对于客户和经销商而言,英飞凌是值得信赖的合作伙伴。我们正逐步从领先的半导体元器件供应商发展成为,为汽车、工业以及物联网市场,提供系统解决方案的行业领导者。此外,客户还将受益于我们更加强大的全球业务网络以及设计服务能力,满足其个性化需求
[半导体设计/制造]
全新 62mm 封装模块实现更高功率密度
2017年3月16日,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)进一步壮大其62 mm 封装IGBT模块阵容。新推出的功率模块可满足提高功率密度而不增加封装尺寸这一与日俱增的需求,这应归功于将更大面积的芯片和经改良的DCB衬底应用于成熟的62 mm封装而得以实现。1200 V阻断电压模块的典型应用包括:变频器、太阳能逆变器和不间断电源(UPS),1700 V阻断电压模块则适用于中压变频器。 1200 V阻断电压的62 mm模块的额定电流最高达到600A,1700 V阻断电压模块最高可达500A,这让英飞凌在这个额定电流级别上领先于竞争对手。该封装配有尺寸符合工业标准的基板,因而可以轻松兼容现有设计
[半导体设计/制造]
美光任命 Anand Jayapalan 为存储事业部副总裁
美光 科技有限公司(纳斯达克股票代码:MU)今日宣布,公司已任命 Anand Jayapalan 为存储事业部副总裁。下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。 在这个职位上,Jayapalan 将负责领导和发展 美光 的固态存储业务,包括打造世界一流的存储解决方案,从而在云、企业级和客户端计算等大型细分市场中把握日益增多的市场机遇。Jayapalan 将向 美光 执行副总裁兼首席商务官 Sumit Sadana 汇报。 Jayapalan 拥有 20 年的半导体行业从业经验,在加入美光前曾担任西部数据企业级和客户端计算解决方案市场部副总裁。在此之前,Jayapalan 曾担任闪迪企业级 SSD 市场副总裁,同
[网络通信]
清华紫光若买下美光 影响SK海力士有限
清华紫光传出有意收购美光(Micron)消息后,韩国分析师认为,双方成交后对于韩国对手SK海力士(SK Hynix)影响不大,而且清华紫光提出价格偏低及政治因素,都是阻碍成交的因素。
据韩国时报(The Korea Times)报导,Hi Investment分析师Song Myeong-seop表示,由于存在诸多外部因素,短期内该收购案恐怕无法成真。即使最终清华紫光如愿买下美光,也只会对SK海力士造成轻微影响。
有分析师指出,SK海力士在DRAM技术上领先美光至少18个月,因此SK海力士不太需要担心技术竞争,然而,倘若收购案过关,此事仍会为产业带来供给过剩的隐忧。
不过,由于清华紫光
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英特尔、美光及三星开始NAND缩微大赛
全球NAND闪存的尺寸缩小竞赛再次打响。无论英特尔与美光的联合体,IMFlash,三星及东芝都欲争得NAND缩小的领导地位而互相较劲。但是实际上在目前存储器下降周期时尺寸缩小竞赛并无实际的意义。
按分析师报告,IMFlash正讨论2x nm,而三星己悄悄地作出3xnm样品及美光计划利用每单元3位技术于今年第四季度开始量产。
在DRAM领域,三星一直是技术领导者,目前已作出46nm DRAM样品。
究竟谁是NAND尺寸缩小的领导者,据今年早些时候报道,东芝与新帝合资公司己走在前列,尺寸小到32纳米。
目前英特尔与美光联合体正计划重新夺回领导地位,近期己推出34纳米NAND芯片。
近期美光也
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