英特尔、东芝与NEC电子的32nm工艺技术-电子工程世界

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　　按照惯例，IEDM的“Late News”内容在会议召开之前公布。此次共有5项内容，其中值得关注的是美国英特尔（演讲序号27.9）及东芝与NEC电子（演讲序号28.7）发布的32nm工艺技术。

　　英特尔的32nm工艺采用了继45nm工艺之后的第二代高介电率（high-k）绝缘膜及金属栅极技术。通过与第四代应变硅技术融合，实现了高驱动力，在nMOS条件下为1.55mA/μm，在pMOS条件下为1.21mA/μm。

　　东芝与NEC电子的联合小组首次在32nm工艺上采用了high-k及金属栅极。还采用了先行栅极工艺（Gate-first Process）。两公司的工艺特点是，尽管最小的半间距仅为50nm，也无需使用可削减制造成本的双重曝光技术。通过优化曝光的照明条件等，曝光一次即可成像。

　　此外的3项内容分别为，美国斯坦福大学发布Ge通道的隧道FET（演讲序号35.7）、美国Microelectronics Laboratory与HRL Laboratory L.L.C发布基于晶圆工艺粘贴的不同元器件融合技术（演讲序号30.7）、以及日本的东北大学与日立制作所发布采用自旋注入反磁化MRAM （magnetoresistive RAM）的可重构逻辑电路（演讲序号7.7）。

　　其中HRL Laboratory发布的内容很独特。即利用晶圆级工艺粘贴130nm级RF-CMOS电路及250nm级InP-DHBT（double hetero-junction bipolar transistor）电路，从而实现兼具两者功能的元器件。作为不依赖微细化就可提高元器件性能的“More than Moore”新方法，估计将引起人们的广泛关注。

关键字：32nm 工艺编辑：冀凯引用地址：https://news.eeworld.com.cn/news/packing/200901/article_23387.html

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