通信集成电路领先供应商英飞凌科技股份公司（FSE/NYSE：IFX）宣布，日本精工电子有限公司（SII）的UMTS/HSDPA数据通信卡采用了英飞凌开发的SMARTia 3G 单片CMOS 射频（RF）收发器。日本领先的射频数据通信卡厂商SII将在其C01SI UMTS/HSDPA数据卡内采用SMARTi? 3G收发器，以实现笔记本和PDA用户通过无线网络接入互联网，享受高达3.6Mbps的高速下载服务。
这种全新的无线网卡是为日本领先的3G手机运营商Softbank Mobile生产的，用于后者刚刚推出的基于数据卡的UMTS/HSDPA服务。
日本精工电子有限公司副总裁兼移动通信系统部总经理Takaaki Yamamoto表示：“SMARTi 3G是一种结构紧凑的高级UMTS收发器，拥有出色的品质和功能，能够让我们在闪存卡般大小的卡上集成HSDPA支持功能和接收分集技术。这种全新的解决方案可使Softbank Mobile的企业客户和个人客户随时随地利用高速互联网应用，下载邮件和共享内容。”
英飞凌通信解决方案事业部副总裁兼射频引擎业务部总经理Stefan Wolff表示：“我们很高兴日本精工电子有限公司能够选用我们的SMARTi 3G产品，同时，双方的组合解决方案能够顺利通过Softbank Mobile的严格测试，也令我们感到十分自豪。这次成功应归功于我们称雄业界的技术专长，还有我们与SII的出色合作。”
SMARTi 3G是全球首款无线收发器集成电路，支持世界各地所有UMTS网络当前采用的频段。它带有一个标准模拟接口，可兼容现有绝大多数3G基带处理器。SMARTi 3G还支持下行数据数率为7.2Mbps的HSDPA（高速下行分组接入）Category 8业务。它完全符合HSDPA对更高数据速率的要求，可使系统设计者立足同一架构，轻松演进至下一代UMTS手机。
关键字：CMOS 闪存 引擎
编辑： 引用地址：https://news.eeworld.com.cn/news/rfandwireless/200707/14836.html
推荐阅读
Intrinsic联合Imec开发新型忆阻器，采用CMOS工艺
可以制成纳米级尺寸。对于半导体行业而言，这意味着最终将有一种简单且低成本的方法将非易失性存储器集成到任何芯片中。”使用 Intrinsic 的技术，任何芯片设计人员都可以嵌入非易失性存储器，其读取速度与静态随机存取存储器 (SRAM) 一样快，但成本和功耗只是其几分之一。 Intrinsic 声称，这些获得专利的“忆阻器”器件（带有存储功能的电阻器）采用行业标准的互补金属氧化物半导体 (CMOS) 材料和工艺，可在 300 毫米硅晶片上制造，将开启嵌入式非易失性存储器的新时代。这具有全面的应用，从实现更便宜、更高效的微控制器单元到在设计人工神经网络时改变范式。“正是我们器件的简单性使它真正从其他新兴记忆中脱颖而出。”Dickinson
发表于 2022-02-07
CMOS毫米波雷达芯片厂商加特兰完成数亿元C+轮融资
CMOS毫米波雷达芯片厂商加特兰完成数亿元C+轮融资1月20日消息，CMOS工艺毫米波雷达芯片设计厂商加特兰微电子科技（上海）有限公司（以下简称“加特兰”）完成数亿人民币的C+轮融资，由复星创富、招商局资本、歌斐资产、盈港资本、君桐资本共同参与投资。加特兰成立于2014年，专注于CMOS工艺的毫米波雷达芯片研发设计，是全球技术领先的毫米波雷达芯片提供商。公司于2017年率先量产了CMOS工艺77/79GHz毫米波射频芯片，成为全球第一家量产CMOS工艺77GHz毫米波雷达单芯片的公司，并通过AEC-Q100车规级规范测试。2020年，加特兰推出了全球领先的射频与信号处理全集成的77/79GHz车规级毫米波雷达SoC芯片Alps系列
发表于 2022-02-07
Appletec为艾睿电子提供紧凑型相机模块
艾睿电子（Arrow）已与以色列公司Appletec签署了一项协议，根据该协议，Appletec将为艾睿电子生产一系列紧凑型相机模块(CCM)。该CCM可为工业、医疗、安全和汽车等领域使用的产品添加嵌入式视觉功能，还将提供定制服务以支持各种互连解决方案。CCM的选择将取决于应用要求中的许多因素。例如，要捕获的细节量将决定分辨率和帧速率，而视野(FOV)和景深将反映要覆盖的区域。Arrow CCM使用onsemi的CMOS图像传感器，并且可以利用客户主板上的图像信号处理器(ISP)，为了最大限度地降低成本，它们不包括自己的ISP。最初将提供两个定焦CCM，提供400万像素传感器和49至84°的FOV。帧速率范围从36.7fps
发表于 2022-01-25
Semiwiki：CMOS技术将被取代吗？
近日，詹姆斯•瓦特电气工程领域教授，格拉斯哥器件建模集团的负责人Asen Asenov在Semiwiki上撰文，分析了CMOS（互补金属氧化物半导体）技术的发展趋势，认为今天仍然没有真正能取代CMOS的技术出现。文章指出，目前全球CMOS芯片有超过80%都是在远东制造的。西方各国政府需要就CMOS技术的未来做出重要决定。在考虑这些决定时，需要重新审视最近的一些“post CMOS”技术或者“beyond CMOS”技术的错误认识。上个世纪航空和芯片技术的发展路线文章提到，本世纪初，西方的CMOS技术发展形势很好，英特尔在先进的CMOS技术方面领先两代，欧洲在意法半导体和LETI的带领和微电子研究中心的辅助下做出了重大贡献。在这
发表于 2022-01-21
重新审视后CMOS时代或超越CMOS技术的神话
本文编译自Semiwiki，作者Asen Asenov今天，CMOS 芯片制造是定义经济、社会乃至现代人类技术的顶峰。最近的芯片短缺凸显了这一点，随后“令人震惊”地意识到，超过 80% 的芯片是在远东制造的。西方政府需要就 CMOS 技术的未来做出重要决定。在考虑此类决定时，需要重新审视近期的一些“后”或“超越”CMOS 神话。世纪之初，西方普遍认为CMOS技术发展前景看好，英特尔领先两代先进的CMOS技术，欧洲以ST和LETI为主导，IMEC为辅，做出了重大贡献。在这种情况下很容易做出错误的战略决策。例如，NFS（美国国家科学基金会）决定半导体行业不再需要任何学术研究支持，是时候转向下一个“重大科技项目”了。这种想法也很适合英国
发表于 2022-01-17
GaNonCMOS– POL 集成的下一步
的新型磁性材料。在几项试验的过程中也成功产出了一种可以嵌入的新型化合物。芯片级集成正如项目名称所示，目标之一是将GaN器件（开关）与 CMOS 驱动器集成在一起。为了符合集成过程的电气和物理要求，GaN和 Si 器件均在开发过程中历经多次迭代的自行开发和制造。新开发的工艺称为晶圆直接键合 (IBM)，能在切割之前键合两个晶圆。这个复杂的过程仍在测试阶段，但当预期的障碍被克服后，这将是芯片集成的另一个里程碑，因为一个器件结合了两种半导体材料的优点达到了两全其美。实际上，驱动器和开关之间没有寄生电感的话可以在数百 MHz 范围内实现极高的开关频率，结果是无源组件（磁性组件和电容器）的尺寸必须够小，进而大幅降低功率转换的体积。图
发表于 2022-01-05
AG6320设计PCB文件| DP转HDMI/VGA方案设计资料
模拟集成电路设计与仿真
京公网安备 11010802033920号