恒忆与海力士：NAND闪存合作将延长5年-电子工程世界

　　瑞士恒忆（Numonyx B.V.）和韩国海力士半导体（Hynix Semiconductor）于2008年8月6日宣布，就两公司NAND闪存升级产品和技术开发合作计划延长5年达成了意向。根据此意向，两公司将扩大NAND闪存产品和技术的合作开发范围，并将为加快开发速度而进行经营资源的一体化。

　　恒忆总裁兼首席执行官Brian Harrison表示，“凭借与海力士半导体的专业技术互补，将会提高我们在无线领域NAND闪存的竞争力”。

　　同时，两公司还宣布将进行手机用移动DRAM的合作。将合作开发多芯片封装（MCP）中与非易失性内存同时配备的移动DRAM。目前，两公司正在中国进行使用300mm晶圆生产低耗电移动DRAM的合作。通过这项合作，两公司可提供成本更低、耗电更少的MCP产品。

　　韩国海力士半导体于2008年4月曾推出了符合LPDDR2（低功耗DDR2）规格的1GB移动DRAM。

关键字：恒忆海力士 NAND闪存引用地址：恒忆与海力士：NAND闪存合作将延长5年

上一篇：富士通携手R&S共推WiMAX SoC测试方案
下一篇：全球近期DRAM发展市场形势出现疲软警告

推荐阅读最新更新时间：2024-05-13 21:02

SK 海力士宣布开发出新一代移动端 NAND 闪存解决方案“ZUFS 4.0”

5 月 9 日消息，SK 海力士公司今日宣布，公司开发出用于端侧（On-Device）AI 的移动端 NAND 闪存解决方案产品“ZUFS（Zoned UFS）4.0”。端侧（On-Device）AI 即指在设备本地运行的人工智能服务，而非依赖于云端服务器进行计算，由智能手机或 PC 等终端设备自行收集信息并进行运算，可提升 AI 功能的反应速度、加强用户定制性 AI 服务功能。 SK 海力士介绍称，ZUFS（Zoned Universal Flash Storage）是一种基于数码相机、手机等电子产品上所适用的通用闪存存储（UFS）改善数据管理效率的新产品，其产品将具有相似特征的数据存储在同一个区域（Zone）的方式有效管

[手机便携]

SK <font color='red'>海力士</font>宣布开发出新一代移动端 <font color='red'>NAND</font> <font color='red'>闪存</font>解决方案“ZUFS 4.0”

SK海力士发布176层3D NAND，读取、写入速度均大幅提升

据Anandtech报道，SK hynix日前发布了其最新一代的3D NAND。据介绍，新产品具有176层电荷charge trap单元。在美光宣布他们的176L NAND开始以Crucial品牌产品发货之后，SK hynix是第二家达到这一层数的NAND制造商。这是SK hynix的第三代产品，其PUC（Periphery under Cell）设计的特点是通过在存储器单元阵列下放置外围逻辑来减小芯片尺寸，类似于英特尔和美光的CMOS下阵列设计。（SK hynix将这种管芯布局及其charge trap闪存单元的组合称为“ 4D NAND”。）这一代的变化包括位生产率提高了35％（仅比理论上从128层增长到176层时的值稍

[嵌入式]

SK<font color='red'>海力士</font>发布176层3D <font color='red'>NAND</font>，读取、写入速度均大幅提升

SK海力士发2021财年第二季度财务报告

首尔，2021年7月27日，SK海力士（或‘公司’，www.skhynix.com）今日发布截至2021年6月30日的2021财年第二季度财务报告。公司2021财年第二季度结合并收入为10.322万亿韩元，营业利润为2.695万亿韩元，净利润为1.988万亿韩元。2021财年第二季度营业利润率为26%，净利润率为19%。随着从今年初开始好转的存储器市况持续至第二季度，SK海力士在第二季取得了超过10万亿韩元的营业收入。这是继存储器市场处于超繁荣期的2018年第三季度之后，时隔3年再次出现的佳绩。 SK海力士解释，PC、图像处理、消费级存储器需求大幅增加，服务器用存储器需求也得到恢复，从而带动了业绩的改善。另外，第二代(1y)

[手机便携]

SK<font color='red'>海力士</font>发2021财年第二季度财务报告

继三星电子后日本批准了SK海力士氟化氢申请

继三星电子之后，日本政府批准SK海力士气体氟化氢的进口申请。韩国产业通商资源部层表示，氟化氢申请进口将近90天，日本政府却未批准许可。但据韩媒《国民日报》2日报道，SK海力士相关负责人表示，日本已于30日批准气态氟化氢的出口申请。韩媒《朝鲜日报》也指出，继8月底批准三星电子的氟化氢进口许可后，日本再度批准SK海力士的氟化氢进口申请，但该产品产品尚未运进韩国。日本政府7月加强对韩出口限制，受限的半导体及显示器原料品项包含氟化氢、光刻胶以及氟化聚醯亚胺。半导体制程中，氟化氢是洗去蚀刻、杂质的清洁原料，日本产品占全球市场7成以上。自日本出台出口限制政策后，SK海力士开始在部分产线中投入韩国制氟化氢。但业界普遍认为，韩国的高纯度氟

[手机便携]

数据中心需求热，SK海力士第三季营收大幅增长30.1%

集微网消息，根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示，在北美数据中心的需求持续强劲，以及DRAM供给端产能与制程受限制下，并不能满足整体服务器内存市场需求，Server DRAM供不应求的情形在第三季度更为显著。受到平均零售价（Average Selling Price）垫高带动，三大DRAM原厂第三季营收成长约25.2%。 DRAMeXchange分析师刘家豪指出，进入第四季，在服务器出货动能不减的情况下，整体Server DRAM供不应求的状况将更为明显，Server DRAM第四季合约价将持续上涨6%至10%，可望带动厂商营收与利润率表现再创新高。三星（Samsung）以目前市场规模来看，三星受

[手机便携]

海力士创下单季最佳业绩并计划增加产能

SK海力士7月26日发布了财报显示，海力士创下了单季最佳业绩，2018年第二季度销售额预计10.3705万亿韩元，同比增长55%，环比增长19%。三星电子的半导体部门业绩也是相当良好，三星电子计划在7月31日公布公司业绩，目前预计半导体部门业绩将达12.2万亿，占公司整体营业利润的80%左右。得益于目前韩国在半导体行业技术上的领先地位，第二季度的财报数据相当的良好。由于第四次工业革命使得半导体的需求激增，不平衡的市场供需使得半导体的价格被抬高。SK海力士第二季度DRAM和Nand闪存的出货量较上一季度增加16%，但依然不能满足服务器和个人电脑产品对半导体的需求。但是，根据DRAMeXchange市场研究机构的数据显示，随着N

[半导体设计/制造]

三星/SK海力士扩产加速正奋力追赶的中国存储产业还有戏吗

　　据The Investor网站北京时间4月12日报道，三星电子将从7月份开始运营位于韩国京畿道平泽市的新半导体工厂。新设施是全球规模最大的芯片工厂，占地289万平方米。三星将在该工厂量产第四代3D NAND闪存芯片，该芯片垂直堆叠达到64层。下面就随手机便携小编一起来了解一下相关内容吧。三星/SK海力士扩产加速正奋力追赶的中国存储产业还有戏吗？　　据《首尔经济新闻》报道，三星已要求合作伙伴在5月底之前供应必要的芯片制造设备。　　消息称，一开始，新工厂的产量将较为有限，需要几年时间才能全面运转。三星预计将于今年开始在这一芯片制造综合体运营，但是尚未正式宣布具体时间表。　　新工厂从2015年开始建造，

[手机便携]

三星、SK海力士、美光第二季Server DRAM营收季增30.1%

　　集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示，回顾第二季度，整体ServerDRAM供给吃紧，即使原厂透过产品线调整仍无法有效缓解市场需求的力道，在平均零售价(AverageSellingPrice)垫高的带动下，三星、 SK海力士、美光三大DRAM原厂第二季整体营收较第一季成长约30.1%。下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。　　DRAMeXchange分析师刘家豪指出，由于ServerDRAM平均搭载容量的提升，整体高容量服务器模组如32GBRDIMM与64GBLRDIMM的使用需求在上半年陆续浮现，使得ServerDRAM的获利水平均大幅拉升;2017下半年随着英特尔Purley平台产品

[网络通信]

热门资源推荐
热门放大器推荐

小广播

热门活动

换一批

■2024 瑞萨电子MCU/MPU工业技术研讨会——深圳、上海站，火热报名中

■罗姆有奖直播 | 重点解析双极型晶体管的实用选型方法和使用方法

■STM32N6终于要发布了，ST首款带有NPU的MCU到底怎么样，欢迎小伙们来STM32全球线上峰会寻找答案！

■免费下载 | 安森美电动汽车充电白皮书，看碳化硅如何缓解“里程焦虑”！