NAND产业处于“十字路口”,业界高层预言市场趋势

发布者:东土大唐88最新更新时间:2009-08-25 来源: 电子工程专辑关键字:NAND  多位技术  3D技术 手机看文章 扫描二维码
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    在近日于美国举行的闪存高峰会(FlashMemorySummit)上,一位业界高层对NAND市场做出了大胆的预测。在专题演说中,SanDisk创办人暨总裁、执行长EliHarari警告,NAND产业正处于「十字路口」,主要是因为市场产能供应与需求之间存在「隔阂」。

    以下是Harari对NAND闪存市场的8个预言:

    1.产业已经开始复苏。在经历衰退之后,NAND正朝向复苏之路,目前的市场供需平衡处于较佳的状态。

    2.NAND平均价格(ASP)并没有像过去下跌得那么快。预计在2010~2013年之间,NAND价格的年衰退幅度在40%左右;而该数字在2005年~2009年之间大约是60%。

    3.多位(multi-bit)技术持续当道。在2009年~2015年之间,x3(3-bit-per-cell)与x4(4-bit-per-cell)技术将会取代目前的2-bit-per-cell主流技术。

    4.受管理型(Managed)NAND将成市场主角。控制器芯片将成为NAND市场关键,以支持NAND包括固态硬盘(SSD)在内的不同应用;未来市场焦点将会由未加工(raw)NAND──或者说是离散式零件──转向受管理型NAND。

    5.NAND仍将称霸通用内存技术。在NAND之外尚未诞生可行的通用内存技术,包括FRAM、MRAM与相变化(phase-change)内存等等,都还上不了台面。

    6.3D技术可望冒出头。3D读写(3-Dread/write)有可能从通用内存技术竞争中崭露头角;SanDisk与Toshiba正在研发可能取代NAND的3D技术。不过尽管材料上能取得突破,向3D内存技术的转移还需要数年时间。

    7.18吋晶圆技术是未知数。NAND厂应该不会从12吋晶圆转向18吋晶圆,所需的资本支出成本实在太高。

    8.超紫外光(EUV)技术濒临危机。目前的先进NAND制程是采用193奈米浸润式微影(immersionlithography);而NAND供货商们将会发现要转向EUV是件困难的工作。

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