近日，英特尔和美光科首次宣布将推出第一个采用20nm制程基于MLC架构的8GB容量NAND闪存芯片，该产品将由英特尔和美光合资创办的半导体制造公司IMFT（IM Flash Technologies）进行生产。
引用地址：SSD有望降价 美光推出20纳米NAND芯片
这款20nm工艺打造的8GB容量NAND闪存芯片目前还处在测试阶段，预计今年下半年可正式投入量产。届时，IMFT还将推出同样采用20nm制程技术的16GB容量的闪存芯片，并最终将这种芯片的容量提升到128GB。
这款8GB容量的20nm MLC NAND闪存芯片的面积仅有118平方毫米，相比采用167平方毫米的8GB 25nmMLC NAND芯片来说，面积节省了将近30%以上，随着晶体管面积的缩小，其成本也将随之降低，具保守估计，全新的20nm SSD将比现有的25nm SSD在价格上降低30%。除此之外，IMFT公司还表示，这款20nm芯片在性能及寿命方面保持着与25nm相近的水平，而这些对消费来说无疑是一个好消息。
英特尔与美光的合作，催动了整个NAND闪存产业的蓬勃发展，使得制程工艺不断精细，闪存芯片的容量不断上升，而其价格也越来越便宜，尤其是在SSD市场中。随着制作工艺的不断提升，我们也更加期待在不久后，SSD硬盘的价格能够出现大幅回落的态势。
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