LSI发布SandForce闪存控制器创新技术

    2013年9月4日，北京–LSI 公司(NASDAQ: LSI)发布其最新LSI®SandForce®闪存控制器的创新技术， 并在近期举行的美国加州闪存存储器峰会上进行了演示。

    LSI®SandForce®闪存控制器的新技术包括LSI SHIELD™技术。这是一种高级的纠错方法，即便同时使用出错率较高的廉价闪存存储器也能实现企业级的SSD耐久度和数据完整性。SHIELD是低密度奇偶校验（LDPC）代码与数字信号处理（DSP）的一种独特实现，其将用于新一代SandForce闪存控制器。该技术完美融合硬判决、软判决和DSP，可提供面向闪存存储器的最优化综合纠错码（ECC）解决方案。

    LSI SHIELD技术与现有的LDPC实现方式相比具有多种优势，并集合了如下特性：
    自适应编码速率：在SSD生命周期内动态地平衡性能与可靠性；
    智能处理瞬态噪声：降低总体LDPC延迟，改善ECC效率；
    多级ECC模式：适时地应用更高级别的ECC，实现延迟最小化，同时保持最佳闪存性能。

    LSI副总裁兼闪存组件部总经理Huibert Verhoeven表示：“虽然NAND闪存存储器的价值得以提升，且不断推动闪存存储解决方案的普及率，但必须考虑的是，现今产品制造尺寸的缩小会带来可靠性降低和使用寿命缩短等问题。LSI SHIELD技术能凭借专门针对SSD进行优化的高级纠错功能解决这些难题，并将最新NAND闪存存储器转化为更加稳健的存储解决方案。”

    最新技术亮点：

    SHIELD技术：演示过程中将根据闪存的各种原始比特差错率（RBER）对三种技术进行比较，用以展示SHIELD技术与现有LDPC和Bose-Chaudhuri-Hocquenghem（BCH）代码相比在纠错方面所具备的优势。

    DuraWrite™Virtual Capacity（DVC）：是一种独特的SandForce闪存控制器功能，可在底层闪存存储器物理容量的基础上扩大典型数据的可用存储容量。通过增加相同物理闪存存储器容量，DVC可帮助降低每GB的用户存储成本。LSI利用典型数据库应用进行的内部测试表明，DVC可将用户数据的存储容量提升三倍多。演示DVC功能的过程中展示了该技术的多种应用。

    东芝先进19nm闪存：LSI SandForce SF-2000闪存控制器现已支持东芝第二代先进19nm NAND闪存存储器（A19nm），使SSD制造商能够制造出成本更低的SSD产品。本演示将展示设置为二级驱动器的东芝A19nm闪存技术SSD，介绍典型文件传输操作。

    客户引言

    Kingston公司的SSD业务经理Ariel Perez表示：“Kingston已可为现有的工作负载信息量较轻的关键客户提供最新的LSI SandForce DuraWrite Virtual Capacity技术，为此我感到格外兴奋。通过与这些客户的存储工程师进行密切合作，我们确定了能显著降低客户每GB可用容量成本的具体实施方案。DVC将使更多的企业客户放弃传统的硬盘，转而采用基于闪存存储器的SSD产品，以便充分利用这种技术的多方面性能优势。”

    东芝美国电子元件公司（TAEC）存储器业务部高级副总裁Scott Nelson 表示：“我们与LSI公司密切合作，将东芝第二代先进19nm（A19nm）NAND产品成功用于固态驱动器，并进行首次公开演示。LSI SandForce闪存控制器的设计灵活性便于将我们的A19nm NAND 闪存技术实现有效集成，这无疑使该技术在固态存储市场占据了重要地位。”

    IT Brand Pulse是一家独立的市场研究与验证实验室，LSI凭借SSD控制器芯片产品获得了该机构评选的“创新领袖”奖。在由IT Brand Pulse开展的近期调查中，LSI SandForce闪存控制器被IT专业人士评选为2013年最具市场、价格、性能、可靠性、服务与支持以及创新优势的SSD控制器芯片产品。