若要迅速成为业界优先选择的技术,低洩漏电流和高电源效率非常重要,韩国代工厂的0.13微米节点特殊嵌入式快闪记忆体製程是实现高性能微控制器单元(MCU)晶片的理想之选。
东部高科行销执行副总裁Jae Song表示:「当前公司的目标是拓展与智慧型手机市场多家无生产线设计公司客户的合作,预计本公司的嵌入式快闪记忆体製程将得到有效利用,生产用于平板电脑的TSC晶片以及MCU单片。」他指出,本公司相对较新的嵌入式快闪记忆体製程提供极高的资料保留率和抗干扰性能,这归功于公司在过去十年中生产编码型(NOR)快闪记忆体晶片所累积的丰富经验。
嵌入式快闪记忆体设计优点东部高科的先进嵌入式快闪记忆体製程相容低压逻辑电路,同时适用于核心和I/O,工作电压1.5V/3.3V(或可选8V/18V),并且具有待机洩漏电流低的特点,洩漏电流通常为1μA。各种嵌入式快闪记忆体Macro IP(免费提供)支援16、32、64、128和256KB的非挥发性储存密度。凭藉可减少测试时间的内建测试模式、稳定的macro IP以及可选铜线焊接,在芯片开发过程中进一步降低成本。
TSC和MCU市场商机根据Gartner预测,中、低阶手机市场(通常销售100美元至300美元的手机)将大幅成长,今年销售量大约6.5亿台,预计2017年销售量将突破9.2亿台,这意味着年複合成长率(CAGR)将超过12%。同时,iSuppli看到智慧型手机和平板电脑TSC晶片的市场商机,TSC晶片市场预计2014年到2016年将保持相当稳定的销售额(约16亿美元),而MCU晶片市场销售额将从今年的160亿美元左右成长至2016年的180亿美元左右,年複合成长率约为6%。
东部高科株式会社(Dongbu HiTek Co., Ltd.)专注于开发优质类比与溷合讯号处理技术。该公司透过加工组合为先进积体电路(IC)带来高价值,该组合包括类比CMOS、BCDMOS、高压CMOS、CMOS功率放大器(PA)、CMOS影像感测器(CIS)、显示驱动积体电路(DDI)、触控式萤幕控制器积体电路与嵌入式快闪记忆体(Embedded Flash)技术。东部高科借助同级最佳的BCDMOS技术,生产用于多种电源管理晶片,包括家用与手持式电子设备、汽车及工业系统芯片。该公司目前可提供0.35微米到90奈米的晶片代工製程,其顶级代工能力与一流的设计支援、原型验证和封装/模组开发能力相辅相成。
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