东京—东芝公司（TOKYO：6502）旗下的半导体&存储产品公司今天宣布推出符合JEDEC（电子元件工业联合会） e∙MMC™ 版 5.1[1]标准、支持“command queuing”和“secure write protection”的嵌入式NAND闪存产品。新产品集成了采用15nm工艺技术制造的NAND芯片，广泛适用于各类数字消费产品，包括智能手机、平板电脑和可穿戴设备。16GB和64GB产品样品即日起出货，32GB和128GB产品将随后出货。
新产品在单一封装内集成了采用东芝尖端的15nm工艺技术制造的NAND芯片，该芯片带有一个用于管理NAND应用基本控制功能的控制器。2014年10月，东芝推出业界首款[2]工业级 e∙MMC™产品，该产品支持JEDEC于2015年2月24日正式发布的 JEDEC e∙MMC™ 5.1版要求具备的全部特性。该系列产品的新成员支持e∙MMCTM 5.1版的两种可选特性“command queuing”和“secure write protection”。
“command queuing”通过在等待序列中预先存储任务，使用户能够根据自己的优先级设置，处理由用户发出的多个指令生成的多任务。与不具备“command queuing”的东芝现有产品相比，该特性最多可将读取速度提高30%左右 [3] 。在智能手机和平板电脑等移动设备上执行多个应用时，该特性可有效提升用户体验。
“secure write protection特性”拓展了传统的写入保护特性，可保护用户存储在指定区域的重要数据，防止数据被未经验证的用户覆盖或擦除。
市场对于能够支持智能手机和平板电脑等应用的NAND闪存的需求持续增长。其中包括带有控制器的嵌入式存储器，这种存储器将开发要求降至最低，并降低了整合到系统设计之中的难度。东芝正在通过加强其高性能和高密度存储器产品的阵容来满足这种需求，并将继续在市场上占据领先地位。
新产品阵容
| 产品型号 | 容量 | 类别 | 封装 | 量产 |
| THGBMHG7C2LBAIL | 16GB | 顶级 | 11.5×13×0.8mm | 2015年二季度（4-6月） |
| THGBMHG8C4LBAIR | 32GB | 11.5×13×1.0mm | 2015年二季度（4-6月） | |
| THGBMHG9C8LBAIG | 64GB | 11.5×13×1.2mm | 2015年二季度（4-6月） | |
| THGBMHT0C8LBAIG | 128GB | 11.5×13×1.2mm | 2015年二季度（4-6月） |
关键特性
1. 符合JEDEC e∙MMC™5.1版标准的接口用户处理基本功能，包括块写入管理、纠错和驱动软件。这种接口简化了系统开发，使制造商能够将开发成本降至最低，缩短新产品和升级产品的上市速度。新产品采用了JEDEC e∙MMCTM5.1版所规范的新特性[4]，例如BKOPScontrol、Cache Barrier、Cache Flushing Report和Large RPMB Write，以提高易用性。
2. 通过应用JEDEC e∙MMCTM 5.1版新推出的可选特性之一“command queuing”，随机读取性能可提高约30%（最大值）[3]。
3. 嵌入系统内部的128GB产品可存储16.3小时的全高清视频，以及39.7 小时的标清视频[5]。
主要规格
| 接口 | JEDEC e･MMC™ 5.1版标准 HS-MMC 接口 |
| 容量 | 16GB, 32GB, 64GB, 128GB |
| 电源 | 2.7—3.6V（存储器核心） 1.7V-1.95V / 2.7V-3.6V（接口） |
| 总线宽度 | ×1 / ×4 / ×8 |
| 温度范围 | -25℃至+85℃ |
| 封装 | 153球细间距球栅阵列（FBGA） 11.5mm × 13.0mm |
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