SK海力士(SK Hynix)研发出96层3D NAND Flash，首创电荷储存式快闪存储器(Charge Trap
Flash；CTF)与Peri Under Cell(PUC)技术结合，让产品的性能与容量优于72层3D NAND
Flash，目标2018年底前量产。
据ET
News报导，SK海力士表示成功研发采用CTF的96层「4D NAND
Flash」，结合PUC与CTF记忆单元结构，大幅改善产品性能与生产力，预定在2018年底进行首批量产。SK Hynix宣称的4D NAND
Flash，本质上仍是3D NAND Flash，命名4D只是强化商业营销的一种手段。
CTF技术可减少记忆单元(cell)间的干扰，解决2D
NAND使用浮动闸极(floating
gate)遭遇的限制；PUC则是Peri排线技术，可缩小产品体积，节省生产成本。因此产品体积比72层512Gb 3D NAND
Flash芯片缩小30%，每片晶圆产能提高1.5倍，同时可处理讯量提高到64KB。
1颗SK海力士96层512Gb 3D NAND Flash可取代2颗256Gb 3D NAND Flash，写入、读取性能也比72层3D NAND Flash提高30%与25%。由于体积缩小的特点，可用在智能型手机的芯片封装。
SK海力士表示，结合用在3D NAND Flash的CTF记忆单元结构与PUC技术是业界创举。每个I/O端子的信息传输速度提高到1,200Mbps，动作电压降至1.2V，使电源效率比72层产品改善150%。
SK海力士准备将96层512Gb 3D NAND Flash、自主研发的控制器与韧体用在容量达1TB的消费市场固态硬盘(SSD)，产品预定在2018年底推出。72层企业用固态硬盘也预计在2019年转换成96层技术，提高企业固态硬盘市场的产品竞争力。
除此之外，SK海力士也积极抢攻新世代行动装置解决方案市场，计划在2019年上半推出搭载自主研发控制器与韧体的UFS
3.0产品，当中也包含96层3D NAND Flash。其它如采用96层3D NAND Flash的1Tb
3阶储存单元(TLC)与4阶储存单元(QLC)产品也安排2019年推出。
SK海力士期待96层3D
NAND Flash能在企业用SSD市场提高产品竞争力，并且持续研发采用相同技术的128层3D NAND
Flash。SK海力士表示，结合PUC与CTF的新技术将是新一代NAND
Flash事业的里程碑，2018年底首批量产后，M15工厂也会加入生产，回应更多客户需求。
关键字：海力士
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SK海力士96层3D NAND Flash 力拼2018年底量产
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