守卫中端市场 联发科下半年推出12纳米P30芯片

根据平面媒体报导，由竞争对手高通 (Qualcomm) 日前推出新一代采用三星 14 纳米 FinFET 制程的中端移动芯片骁龙 660/630，用以抢攻中端移动手机市场，对向来在中低端手机市场占有优势的IC 设计大厂联发科形成威胁。因此，联发科也即将在 2017 年推出采用台积电 12 纳米制程的新一代 P30 移动芯片，以回应高通的市场布局。下面就随嵌入式小编一起来了解一下相关内容吧。

根据高通表示，新推出的骁龙 660/630 这两款产品能带来显著的性能提升表现。除了更长的电池续航时间，以及极快的 LTE 连线速度之外，还会达到先进拍摄与强化后的游戏体验。骁龙 660/630 移动平台包括整合基频芯片功能的骁龙 660/630 系统级芯片(SoC)，以及包括射频(RF)、整合 Wi-Fi、电源管理、音讯转码器和扬声放大器在内的各项软硬件元件，进而支持一套完整的移动解决方案。

至于在基频部分，由于两款新 SoC 均配备 X12 LTE 数据芯片，最高的下行速率可达 600Mbps。此外，骁龙 660 还支持 2×2 MU-MIMO 802.11ac Wi-Fi，与前一代的骁龙 652 相比，资料输送量可成长翻倍，但是下载时的功耗却降低 60%。另外，骁龙 660 和骁龙 630 均改善了电池续航表现，并具备快充 4.0 技术，15 分钟内即可充满 50% 的电量。

虽然，骁龙 835 才是高通当前的顶级旗舰芯片，但是高通骁龙 600 系列，包括 625、650 在内，都已经被广大厂商广泛使用。特别是中端芯片骁龙 625 采用三星的 14 纳米 FinFET 制程之后，其性能和功耗都较之前的产品提升。因此，新推出骁龙 660 / 630 也都延续采用 14 纳米 FinFET 制程。业界人士认为，骁龙 660 / 630 将会是高通 2017 年最重要的两款产品，出货量也将会超过骁龙 835。目前，高通骁龙 660 移动平台的部分已开始出货，骁龙 630 则将会在 5 月份下旬正式供货。

而面对高通的步步进逼，联发科也不甘示弱，根据媒体报导，在日前举行的法说会上，副董事长谢清江也对新款中端芯片曦力 (Heilo)P30 提出说明表示，P30 预计将采用台积电 12 纳米制程，搭载 4 个 2Ghz 的 A72 核心，加上 4 个1.5Ghz 的 A53 核心的8核心处理器，另外将支持双通道 LPDDR4 存储器，内建储存部分也将导入 eMMC 5.1 及 UFS 2.0 规格水准。

至于，在基频的部分，P30 在数据芯片规格也将提升至 Cat.10，达到最高的下行速率 600Mbps的水准，超越过去不到 Cat.7，使得采用联发科芯片而无法申请补贴的影响，另外将强化影像信号处理器的部分也将支持到 2,500 万像素的。目前根据市场的消息表示，P30 的首位采用客户，将可能为与联发科向来合作紧密魅族。不过，根据过去联发科市场定价策略，以及期望透过 P30 与高通竞争市场的关系，P30 的价格可能将会较骁龙 660 / 630 为低。如此一来是否会再拉低联发科 2017 年下半年的毛利率，将有待进一步的观察。

以上是关于嵌入式中-守卫中端市场 联发科下半年推出12纳米P30芯片的相关介绍，如果想要了解更多相关信息，请多多关注eeworld，eeworld电子工程将给大家提供更全、更详细、更新的资讯信息。