美光认为DRAM价格将持续高位,这是在说电脑还要涨价?

发布者:mmsg3814最新更新时间:2017-07-04 来源: 21IC中国电子网关键字:DRAM.NAND  Flash  Mobile  DRAM  美光 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章

美光2017年第3季财报营收大幅优于预期,这要因DRAM、NAND Flash价格上涨,美光认为存储器产业需求稳定,价格可稳定维持至2018年下半年。法人表示,国内相关个股中,华邦电目前DRAM产能约22K,估下半年 DRAM价格维持高档,2018年上半年在供给改善后将趋缓,因此维持族群中立建议。下面就随嵌入式小编一起来了解一下相关内容吧。

永丰投顾表示,今年上半年存储器业务需求强劲,DRAM报价从去年第3季的起涨点已累积约40%的涨幅,虽然Gartner预估供给速度还未在第3季追上需求,但下半年报价的涨幅由于各大厂扩产完成使货源逐渐充足,预计DRAM报价应会进入高档震荡的态势,加上各家大厂新的微缩制程将起开始贡献营收后供不应求的状况应可进一步改善,估2018年上半年将会供给将会逐渐补上需求,价格涨幅将会趋缓。

群益投顾表示,智能手机或笔电开始进入出货高峰,再加Mobile DRAM产出扩大至整体DRAM产出的40%以上,排挤效应下,目前标准型DRAM产出仅剩 20%,追价与追量的情况将使存储器报价续涨。

此波的抢货作战,产生连锁效应,如Sever DRAM也呈现上涨的趋势,DRAM和NAND Flash产品同时缺货,近期存储器报价受到供给减少和需求增加而成长,Micron认为DRAM和NAND Flash产出因制程转进困难和良率提升不易,市场供给将会减少, 加上进入旺季,存储器报价皆会上扬,惟相关个股已反应存储器上涨,且到目标价,因此投资建议为中立。

以上是关于嵌入式中-美光认为DRAM价格将持续高位,这是在说电脑还要涨价?的相关介绍,如果想要了解更多相关信息,请多多关注eeworld,eeworld电子工程将给大家提供更全、更详细、更新的资讯信息。

关键字:DRAM.NAND  Flash  Mobile  DRAM  美光 引用地址:美光认为DRAM价格将持续高位,这是在说电脑还要涨价?

上一篇:三星Note 8采用背面指纹识别成事实?有CAD模型图为证
下一篇:NB-IoT和eMTC,你更看好谁?

推荐阅读最新更新时间:2024-05-03 01:17

美光西安封装和测试工厂扩建项目破土动工
美光首个可持续发展卓越中心彰显了公司对中国运营及本地社区的不懈承诺 2024年3月27日,中国西安 —— 全球领先的半导体企业 Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司,纳斯达克股票代码:MU)今日宣布其位于西安的封装和测试新厂房已正式破土动工,进一步强化了公司对中国运营、客户及社区的不懈承诺。美光还在奠基仪式上宣布,公司将在西安建立美光首个封装和测试制造可持续发展卓越中心(CoE),推动公司在环境、社会和治理(ESG)方面的合作伙伴关系,实现全球可持续发展目标。 美光于2023年6月宣布在西安追加投资43亿元人民币,其中包括加建这座新厂房,引入全新产线,制造更广泛的产品解决方案,包括但不限于移动DRAM
[半导体设计/制造]
<font color='red'>美光</font>西安封装和测试工厂扩建项目破土动工
复旦微电推出NAND Flash及EEPROM存储器新品
2023年4月27日——上海复旦微电子集团股份有限公司今日举办线上发布会,推出FM25/FM29系列SLC NAND,FM24N/FM24LN/FM25N高可靠、超宽压系列EEPROM,以及符合AEC-Q100的车规FM24C/FM25系列EEPROM等非挥发存储新产品。 FM25/FM29系列产品基于28nm先进NAND flash工艺,满足6万次擦写次数和数据保存10年的高可靠性要求,应用于工规、5G通讯、车载等相关领域。FM24N/FM24LN/FM25N系列产品基于95nm先进EEPROM工艺,具备低功耗、超宽电压、高可靠等特性,其中擦写寿命大于400万次、数据保持时间大于200年,产品性能及可靠性达到业界领先水
[嵌入式]
复旦微电推出NAND <font color='red'>Flash</font>及EEPROM存储器新品
新兴内存百家争鸣 商品化脚步稳健向前
   内存 是半导体的主力产品之一,目前主要由动态随机存取 内存 ( DRAM )及具备非挥发特性的NAND闪存(Flash)为最重要的两项产品。 不过,由于 DRAM 必须持续上电才能保存数据,NAND Flash又有读写速度较 DRAM 慢,且读写次数相对有限的先天限制,因此 内存 业者一直试图发展出新的内存架构,希望能兼具DRAM的速度、耐用度和NAND的非挥发特性。下面就随嵌入式小编一起来了解一下相关内容吧。   根据研究机构Tech Insights估计,包含STT-MRAM、FRAM、CBRAM、3D Xpoint等新世代内存,都已陆续进入小量生产阶段。 不过,这些新兴内存技术中,除了少数例外,要发展到能跟DRAM、
[嵌入式]
大容量串行e-Flash的FPGA配置方案
引 言 现场可编程门阵列FPGA(Field Programmable Gate Array)是一种集通用性强、设计灵活、集成度高和编程方便等诸多优点于一身的现场可编程ASIC。自1985年美国的Xilinx公司推出FPGA产品并取得成功以后,FPGA发展迅猛,门数不断提升,达到数百万门的规模;产品种类日益丰富,性能不断完善,在军事、通信、医疗、消费类电子等各领域发挥了巨大的作用。 Xilinx公司的FPGA具有很高的性价比,其集成开发环境ISE和Webpack效率高、界面友好,因此在业界有着广泛的应用。通常对Xilinx公司的FPGA配置采用专用的配置芯片,速度较快,其价格也正逐步降低。笔者为配合某电力测量仪表的开发,对X
[半导体设计/制造]
台湾当局拨款60亿美元援助DRAM厂商
据国外媒体报道,台湾的“经济事务部”已拨款2千亿新台币(折合60亿美元)来救助台湾陷入困境的企业,包括岛内损失惨重的DRAM制造商。 该报道称,台湾DRAM厂商南亚科技公司(Nanya)正向政府寻求援助。南亚还希望政府对其技术合作伙伴美光科技公司(Micron)一同救助。南亚和美光在台湾拥有一家合资DRAM公司。 上个月,台湾DRAM制造商力晶(Powerchip)半导体公司提交了一项寻求援助的提案。该提案还涉及到了其合作伙伴日本的尔必达(Elpida)存储公司。 根据该报道,力晶被要求对其提案进行修改并重新提交。根据另一份路透社的报道,力晶计划对其非核心资产进行出售从而快速的削减成本。力晶总裁Fra
[焦点新闻]
黄崇仁:明年下半年起一年内 逻辑、DRAM缺货到无法想像
力积电30日召开兴柜前公开说明会,董事长黄崇仁表示,目前产能已紧到不可思议,客户对产能的需求已达恐慌程度,预估明年下半年到 2022 年下半年,逻辑、DRAM 市场都会缺货到无法想像的地步。 黄崇仁表示,力晶 2012 年 12 月股票下市,历经 8 年时间、浴火重生,分割重组为力晶科技与力积电,也是全球唯一成功从 DRAM 厂转型跨入晶圆代工产业的公司;而力积电将于 12 月登录兴柜,力拚明年第四季重返上市之路。 力积电目前 8 英寸产能约 9 万片,12 英寸产能 10 万片,整体产能利用率达 100%。黄崇仁表示,虽然 12 英寸产能有 10 万片,但连 200-300 片的产能都挤不出来,产能已紧到不可思议,客户对产能的需
[手机便携]
美光股价飙升至7月来最高
A股三大指数今日集体收涨,其中沪指上涨0.61%,收报3582.08点;深证成指上涨1.41%,收报14960.66点;创业板指走势强劲,涨幅达到2.54%,收复3500点整数关口,收报3505.73点。市场成交额依然维持在一万亿上方,今日达到1.25万亿元,为连续第22个交易日突破万亿。行业板块涨多跌少,锂电池与芯片股大涨。 半导体板块表现突出。集微网从电子元件、材料、设备、设计、制造、IDM、封测、分销等领域选取了118家半导体公司作了统计。在118家半导体公司中,110家公司市值上涨,其中,神工股份、聚灿光电、扬杰科技等涨幅居前;8家公司市值下跌,其中,振芯科技、汇顶科技、*ST大唐等跌幅居前。 中金公司表示,中国稳增长的
[手机便携]
<font color='red'>美光</font>股价飙升至7月来最高
美光推出首款四端口SSD,为数据密集型自动驾驶和AI智能汽车工作负载提速
北京时间4月10日,美光科技宣布,美光车规级4150AT SSD 已开始送样。作为全球首款四端口SSD ,该产品提供多达四个片上系统(SoC)接口,可实现 软件 定义智能汽车的集中存储。美光4150AT SSD集多项市场领先特性于一身,例如单根输入/输出虚拟化(SR-IOV)、PCIe 4.0接口和坚固耐用的车规级设计。凭借这些产品特性,美光车规级4150AT SSD将为汽车生态系统提供数据中心级别的灵活性和强大功能。 美光的多端口4150AT SSD支持虚拟化技术,为日益复杂的软件定义汽车提供集中决策新模式 美光嵌入式产品和系统部门副总裁Michael Basca表示:“为实现更高水平的自动驾驶安全性,以AI和先进算法
[汽车电子]
<font color='red'>美光</font>推出首款四端口SSD,为数据密集型自动驾驶和AI智能汽车工作负载提速
小广播
最新嵌入式文章
何立民专栏 单片机及嵌入式宝典

北京航空航天大学教授,20余年来致力于单片机与嵌入式系统推广工作。

换一换 更多 相关热搜器件
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved