相变存储器PCRAM产业化取得突破性进展

发布者:自在堂最新更新时间:2017-07-05 来源: 集微网关键字:PCRAM 手机看文章 扫描二维码
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近日,纳思达股份有限公司(以下简称“公司”)收到全资子公司珠海艾派克微电子有限公司(以下简称“艾派克微电子”)的通知,艾派克微电子、中国科学院上海微系统与信息技术研究所(以下简称“中科院上海微系统所”)以及中芯国际集成电路制造有限公司(以下简称“中芯国际”)在相变储存器(“PCRAM” ,Phase Change Random Access Memory)产业化获突破性进展,三方联合研发打印机用基于PCRAM耗材芯片,在130纳米技术节点取得了工程应用的突破,并成功批量生产与销售。
  
这是继国家01专项(核心电子器件、高端通用芯片及基础软件产品)中的国产CPU成功在艾派克微电子产业化应用后,国家02专项(《极大规模集成电路制造技术及成套工艺》项目)中的重大存储器项目在艾派克微电子的参与下实现重大技术突破,并在艾派克微电子实现了产业化销售。
  
PCRAM的写速度比传统EEPROM或FLASH非易失性存储器快1000倍,此技术的成功突破,将为公司带来良好的商业机会,并进一步提高公司的核心竞争力。

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