记忆体大厂SK海力士25日公布2019年第2季的获利状况,因为受到记忆体价格持续低迷,以及美中贸易战与日韩贸易摩擦等因素的冲击,净获利较2018年同期大降了88%之多,使得SK海力士不得不继三星传出要延后平泽P2记忆体产线的投资之后,也宣布该公司的生产调整计划,连带带动25日台湾记忆体股票的股价上扬。
根据SK 海力士所公布的资料显示,2019 年第2 季的营收为6.5 兆韩元,较2019 年下滑38%。营业利益则是来到6,380 亿韩元,较2018 年同期大幅下滑了89%。净利则是来到5,370 亿韩元,较2018 年同期的4.3 兆韩元大跌了88%,也低于市场原本预估的8,280 亿韩元的金额。
面对2019 年第2 季缴出难看的成绩单,再加上接下来市场有更多不确定因素围绕之下,SK 海力士也宣布,2020 年的资本支出将会明显低于2019年。除此之外,在DRAM 产能部分,将自2019 年第4 季开始下调,至于NAND FLASH 快闪记忆体方面,产能的减幅也会从之前宣布的10%,扩大至15% 的比率。而SK 海力士的调整产能计划,也将连带的重新审视南韩两座晶圆厂的扩产时间。
SK 海力士表示,在DRAM 方面,由于SK 海力士积极的因应行动和PC 市场对大容量产品日益增加的需求,DRAM bit 出货较上季增加了13%,但是在市场价格持续疲软的情况之下,平均销售价格下降了24%。另外,受到美中贸易争端的影响,2019 下半年伺服器DRAM 需求依然低迷,行动型DRAM 市场的不确定性增加。然而,PC 对图形DRAM 的需求从2019 年第2 季末开始恢复,预计这种趋势将延续到下半年。
而在NAND FLASH 快闪记忆体方面,因为NAND FLASH 快闪记忆体价格下跌后,刺激需求复苏,bit 出货量较第1 季成长40%,但平均销售价格下降了25%。预计到2019 下半年,随着市场需求的复苏,将加快原厂库存消耗,有助于平衡供需失衡的市况,同时也将减缓价格下滑的速度。
至于,在记忆体的技术发展上,SK 海力士指出,计划继续开发下一代技术,并大量销售高附加值的产品。其中,DRAM 将由10 奈米级第一代的1x 奈米,向第二代的1y 奈米技术精进,到2019 年底前生产比例将增加到80%,并开始在下半年销售PC 市场所需的10奈米级第二代1y 奈米DRAM。而NAND Flash 方面,目前主要技术是72 层堆叠的3D NAND Flash,计划在2019 下半年透过增加96 层4D NAND FLASH 的比例,专注于高阶智慧型手机和SSD 市场需求。此外,128GB(1Tb)TLC 4D NAND 将开始大规模生产和销售。
而随着2019 年财报的公布,25 日SK 海力士股价收盘来到每股79,200 韩元的价位,上涨1,600 韩元,涨幅为2.06%。而因为受惠于SK 海力士接下兰时间的减产计划,国内记忆体厂商股价纷纷反映此利多消息。其中,南亚科股价收盘来到每股76.5 元的价位,上涨4.7 元,旺宏则是来到32.4 元,上涨1.85 元,华邦电也来到18.5 元的价位,上涨1 元。
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