ESOL研发新能EUV光刻，韩或将有望摆脱对日依赖？

今年8月8日，日本解禁一批对韩出口半导体材料，其中包括对7nm先进制程至关重要的EUV光刻胶。韩国的半导体遭受到了重击，因为韩国半导体材料有80%左右是从日本进口的，而像三星、SK海力士据说库存只有坚持2、3个月。

韩国的生态系统不足以支持EUV光刻工艺。主要从日本引进的EUV光刻胶于7月被日本政府宣布监管，使韩国企业受到了直接打击。尽管三星电子和SK海力士生产自己的EUV光罩，但他们目前对外国公司提供的必要设备和材料依赖度很高。例如，EUV光刻系统仅由荷兰的ASML提供。

 
在这样的背景下，ESOL公司首席执行官KimByung-guk表示，该公司打算挑战EUV光刻市场中的外国公司。ESOL是Euv SOLution的缩写，是一家名为FST的半导体薄膜公司的子公司。就像公司名称一样，ESOL开发了EUV光刻工艺所需的各种解决方案和系统。

 
ESOL最近一直致力于一种独特系统的研发。该系统可以低成本加快EUV光刻胶的显影速度。EUV光刻胶是在EUV光刻工艺发生之前需要施加到晶片的材料，目前，韩国公司都不能实施这一过程。

 
中小型半导体材料制造商尤其没有足够的资金来引入EUV光刻系统，该系统要耗资超过1.27亿美元（1500亿韩元）来测试他们的材料。他们也很难与需要先使用先进技术的大公司合作。

目前正在开发的“EMiLE”系统不会像当前的EUV光刻系统那样在EUV掩模上印刷的电路上减少并执行光刻工艺。相反，它通过EUV光应用“干涉现象”并评估光刻胶的性能。

该系统移除了反射EUV辐射的11个反射镜和附着在EUV光刻系统上的光掩模，并在晶圆和EUV光源之间放置金属部件。

 
金属部件有两个方孔，这些孔有规律地向左和向右间隔开。这些方孔具有均匀且精细排列的32nm金属线。这被称为“光栅”，会引起光衍射。

 
当EUV光源穿过两个孔并进入光栅时，光在许多方向上衍射和弯曲。穿过这些孔的光开始相互干扰。在干涉期间，存在光强度变强的部分，并且还存在强度变弱的部分。光强度变强的部分接触EUV光刻胶并形成由16nm垂直线组成的图案。

 
该系统应用光刻工艺的特征，其利用光印刷pattern并检查光刻胶pattern形成的性能。

 
ESOL还完成了关于系统的必要模式的申请。ESOL副总裁Lee Dong-geun相信公司现在可以测试EUV光刻胶而无需购买昂贵的EUV光刻系统。

 
“EMiLE系统的成本约为目前EUV光刻系统成本的10％。”副总裁李说。“韩国公司现在可以大大增加测试EUV光刻胶性能的机会，并在短时间内加速EUV光刻胶的开发。”

 
ESOL几乎完成了开发使用“波带片透镜（zone plate lens）”的EUV掩模检查系统。该系统可以相对低的成本检查EUV掩模是否有缺陷。