针对武汉疫情对全球内存产业的影响,DRAMeXchange调查指出,位于中国境内的DRAM与NAND Flash工厂,目前没有任何产线有部分或全面的停线。这意味着,即便疫情“来势迅猛”但短期之内生产数量不会受到影响。加上第一季合约价已议定完成,因此集邦咨询仍维持DRAM与NAND Flash合约价第一季小幅上涨的预估。
从DRAM供给面来看,中国DRAM生产重镇的长鑫存储位于邻近武汉的合肥,目前工厂仍正常运作,扩产计划按进度进行,短期不受疫情影响。而在运输方面,长鑫存储属中国半导体重点企业之一,领有国家级特殊许可证,不受现在禁令影响,因此中国境内客户皆可按时出货。另一家中国DRAM生产商福建晋华情况与长鑫存储类似,工厂运作照常。
在DRAM原厂方面,三大原厂仅SK海力士无锡厂区坐落于中国境内,因距离武汉较远,直接冲击不大,且春节期间厂内员工多早已有排班计划,因此产线仍如往常运作。整体而言,目前DRAM生产面实质影响不大,但后续仍须观察整体物流运输系统是否受疫情影响,出现物料短缺情势。
从NAND Flash供给面来看,现阶段长江存储与武汉新芯皆宣布非一线人员以外得以在家上班,厂务端人员则仍依照年节安排正常运作,并严格管制人员进出;但受到封城措施影响,在2/9以后人员复工方面则有隐忧,即便长江存储及武汉新芯皆致力安排足够产线人力以维持工厂运作。长江存储武汉厂目前产能仅占整体NAND Flash产业投片量约1%,对于市场供给造成的直接影响有限,但若疫情延长,可能影响原本安排在第二季开始的扩产规划,有待持续追踪。
而在武汉以外,三星与英特尔分别在西安与大连设有NAND Flash工厂,三星西安厂是今年扩产的主力;英特尔大连厂目前没有扩产规划,根据集邦咨询调查,由于两座厂所处地区疫情冲击较小,除基本防疫措施以外,间接人员则依照中国政府公告于2/3复工,工厂运作维持正常规划。
上一篇:为了DRAM拼了,三星要狂购20台EUV光刻机
下一篇:3D NAND又有新突破,铠侠BiCS FLASH 堆叠112层,容量提高20%
推荐阅读最新更新时间:2024-11-13 10:48
- LT1952MPGN 36V 至 72V 输入、12V/20A 半稳压总线转换器的典型应用电路
- LT1086CT-5 1.2V 至 15V 可调稳压器的典型应用
- 使用 LTC2901-2 监视输入、输出、反馈电压
- LT3791IFE 98% 效率 50W (25V/2A) 降压-升压型 LED 驱动器的典型应用电路
- 【训练营】物联网RGB灯+5v灯带接口--836140A
- 具有数字输入和处理功能的高保真 175W D 类音频放大器参考设计
- 使用 ams AG 的 AS1329A-BWLT 的参考设计
- AM2F-1215SH52Z 15V 2 瓦 DC/DC 转换器的典型应用
- OM1326SMM 1.5A 正电压稳压器典型应用
- ADR5041B 2.5 Vout 精密微功率分流模式电压基准的典型应用,用于 ±15 V 输出和堆叠 ADR5045 器件