3D NAND又有新突破，铠侠BiCS FLASH 堆叠112层，容量提高20%-电子工程世界

全球第二大NAND 型快闪记忆体（Flash Memory）厂商铠侠（Kioxia，旧称东芝记忆体）采用3D 架构的NAND Flash「BiCS FLASH」有新一代产品现身，堆叠112 层、记忆容量将较现行96 层产品提高2 成。

铠侠1月31日宣布，已研发出3D NAND Flash「BiCS FLASH」的第5代产品，采用堆叠112层制程技术，且已完成试作、确认基本动作。

该款堆叠112 层的3D NAND 试作品为512Gb（64GB），采用3bit/cell（TLC：Triple Level Cel）技术的产品，预计将在2020 年第一季进行样品出货，除将用来抢攻需求持续扩大的资料中心用SSD、商用SSD、PC 用SSD 及智能手机等市场外，也将用来抢攻5G、人工智能（AI）、自动驾驶等新市场需求。

和铠侠目前已量产的96 层3D NAND 产品相比，112 层3D NAND 每单位面积的记忆容量提高约20%，且每片晶圆所能生产的记忆容量增加，每bit 成本也下滑。

铠侠指出，该款112 层3D NAND 产品为该公司和合作伙伴美国Western Digital（WD）所携手研发完成，今后将利用双方共同营运的四日市工厂以及北上工厂进行生产，且今后也计划推出采用堆叠112 层制程技术的1Tb（128GB）TLC 产品以及1.33Tb 的4bit/cell （QLC：Quadruple-Level Cell）产品。

关于上述112 层3D NAND 的量产时间，WD 宣布，「预定将在2020 年下半年」。

铠侠竞争对手南韩三星电子已于2019 年6 月开始量产堆叠100 层以上的3D NAND 产品。

东芝于2018 年6 月将铠侠独立出去，并卖给由美国贝恩资本主导的「日美韩联盟」。东芝目前仍持有铠侠40.2% 股权。

根据Yahoo Finance 的报价显示，截至台湾时间3 日13 点41 分为止，东芝上扬0.14% 至3,505 日圆。

日经新闻1 月29 日报导，据关系人士指出，铠侠IPO（首次公开发行）上市时间预估将从原先规划的2019 年度内（2020 年3 月底前）推延至2020 年10 月以后。

铠侠于2019 年11 月13 日公布2019 年Q3（7-9 月）财报：因出货量大增，每GB 单价下滑幅度趋缓，而因停电导致「四日市工厂」部分产线停止生产的影响虽持续，但因生产回复时间较预期来得快，影响金额大缩，激励合并营收较前一季（2019 年4-6 月）劲扬11.6% 至2,390 亿日圆，营损额自前一季的989亿日圆大缩至658 亿日圆，净损额也自952 亿日圆大缩至560 亿日圆。

展望今后市场动向，铠侠表示，因供给端库存水准适当化，加上来自需求端的资料中心投资回复及智慧手机搭载的记忆体数量增加，一般认为2020 年供需将维持稳定。

铠侠携手美国WD 在日本岩手县兴建的北上工厂第一厂房（以下称K1）已于2019 年10 月竣工，预定在2020 年开始进行生产。K1 将生产使用于资料中心/ 智能手机/ 自动驾驶等用途，堆叠96 层制程技术的3D NAND Flash 产品。

关键字：3D NAND 铠侠引用地址：3D NAND又有新突破，铠侠BiCS FLASH 堆叠112层，容量提高20%

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