数据中心需求猛增,NAND Flash Q4营收季提升8.5%

发布者:等放假的zr0最新更新时间:2020-02-24 来源: 集邦咨询关键字:NAND  Flash 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章

据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示,由于2019年第四季资料中心需求成长,NAND Flash供应库存下降;2020年第一季在量缩价增的情形下,营收表现持平上季...

 

image.png


根据DRAMeXchange调查显示,受惠于数据中心需求成长,2019年第四季NAND Flash整体位元出货量季增近10%。供给面受6月铠侠四日市厂区跳电影响,供不应求使得合约价止跌回涨。整体而言,第四季整体产业营收较第三季增长8.5%,达125亿美元。

 

由于需求面在第四季表现优于预期,供应商库存水位已恢复正常,因此减少对渠道市场Wafer的供应量,并着重于较高毛利的产品出货。

 

展望2020年第一季,考量疫情可能影响手机及笔记本电脑等消费性电子产品供应链,或将造成NAND Flash位元出货量小幅衰退或持平。然而,考虑到合约价上涨幅度,预期产业营收可望与上季持平。

 

三星电子(Samsung)

 

由于数据中心需求在2019年第四季快速成长,加剧SSD供不应求态势,带动三星的位元出货季增近10%。平均销售单价亦有所成长,主因为合约价调涨以及显著减少对渠道市场供货。在价量齐增的情况下,第四季NAND Flash营收达到44.51亿美元,较上一季增长11.6%。

 

产能部分,三星2020年持续减少Line 12的平面制程产能,主要的扩产来自西安二期工厂,尽管扩产时程因疫情影响存有隐忧,但目前仍按原本规划进行。

 

SK海力士(SK Hynix)

 

受惠手机及数据中心需求增长,2019年第四季SK海力士位元出货季增10%,然而由于出货产品容量较高,因此尽管合约价上涨,但平均销售单价仅持平开出,整体营收达12.07亿美元,季增5.4%。

 

产能部分,因为缩减平面制程产能转做3D NAND,预计2020年年底的产能将较年初下滑。在架构方面,预计128层产品能够在2020年第一季正式量产,并于今年内首次见到QLC的产品规划,但由于产品组合着重移动设备,预计需要花费较长时间导入QLC SSD应用给相关客户。

 

铠侠(Kioxia)

 

随着产能自跳电事件后恢复,以及数据中心与PC SSD的需求增长,铠侠的位元出货成长近10%;因供需紧缩使得各类产品合约价均上涨,带动平均销售单价上涨约5%;而在财务方面,跳电仅影响第三季营运,第四季并无相关调整,整体营收达23.41亿美元,较上季增长5.1%。

 

在产能扩张方面,岩手县的K1厂将于2020年上半年起贡献产出,用以投入96/112层产品制造,但新增产能主要用以填补四日市厂区层数提升所衍生的产能损失,因此整体的投片规模仍维持不变。

 

西数(Western Digital)

 

在数据中心SSD需求急增以及苹果新机备货挹注下,西数2019年第四季出货位元季增24%,然而平均出货单价因产品组合关系而下跌约8%,第四季NAND Flash营收达18.38亿美元,较上季增长12.6%。

 

产能部分,西数持续挹注岩手县K1厂投资,但K1厂的新增产能主要是为填补四日市厂区制程或世代转进所衍生的产能损失,因此总产能规划并未增加。

  

美光(Micron)

 

延续2019年第三季在移动设备增长的力道,美光的MCP产品出货持续攀升,同时受惠来自SSD的强劲需求,2019年第四季位元出货季增近15%。因市场价格走扬以及产品结构改善,平均销售单价亦小幅上升,整体而言营收较上季成长18.1%,达14.22亿美元。

 

在产能方面,美光2020年的产能规划偏向保守,新加坡新厂的无尘室空间主要用以维持现有产能水平。美光今年将着重于新的制程以及架构,128层产品预计将于下半年进入量产。

 

英特尔(Intel)

 

英特尔同样受惠数据中心的强劲需求,由于客户提早拉货,英特尔第三季以持有库存因应,导致位元出货于该季大增逾50%,而2019年第四季仅能以产线产能因应,位元出货下降超过10%。平均销售单价则因缺货状况,上涨超过10%,季度营收为12.17亿美元,较上季衰退5.7%。

 

在产能与制程方面,英特尔大连厂仍维持现有产能,目前受疫情冲击较小;在制程方面,将继续投入144层产品的开发,预计2020年下半年量产。

 


关键字:NAND  Flash 引用地址:数据中心需求猛增,NAND Flash Q4营收季提升8.5%

上一篇:SRAM PUF 的可靠性日渐削弱
下一篇:绿芯加强满足对高质量、长寿命工业物联网产品需求

推荐阅读最新更新时间:2024-11-05 01:21

C8051FXXX单片机FLASH程序的自动升级
作者Email: wolfman6353@sina.com 引言: C8051FXXX系列高速SOC单片机是由美国Cygnal公司开发的完全集成的混合信号系统级芯片,具有与8051兼容的微处理器内核,内部集成FLASH程序存储器,具有在系统重新编程能力,以C8051F020为例,内部集成64K的FLASH程序存储器。在系统控制软件的开发调试阶段,可用集成开发环境来下载及测试系统,但当将C8051F020目标系统集成到产品后,则由于操作系统及软硬件接口不一样等等原因,不能在最终产品中用集成开发环境来下载FLASH程序,故产品到了用户处之后,如要再进行FLASH程序的更新,则必须更换相应的集成电路印刷板,造成很多麻烦及不可靠因素。
[嵌入式]
STM32F407 flash内存
硬件平台:STM32F4 DISCOVERY开发板 型号:MB997A或MB997C 主芯片型号:STM32F405xx, STM32F407xx, STM32F415xx, 或 STM32F417xx 主要参考文档: (1)PM0081 STM32F40xxx and STM32F41xxx Flash programming manual.pdf (2)STM32F407 datasheet.pdf 做为嵌入式方面的开发人员,拿到一个芯片后,我们首先看它的参数指标,有多少多少容量的RAM,多少多少容量的Flash。当然,前提是芯片自带这两个模块。 今天我们只研究Flash的结构:) (一)声明 STM32F4
[单片机]
STM32F407 <font color='red'>flash</font>内存
车窗控制系统的LIN2.1协议应用
引言 LIN协会于1999年发布了第一版LIN协议,至今已有十几年了,在这十几年中,LIN总线不断发展,已经在以车身控制为主的许多场合得到了应用。LIN总线至今一共有7个版本,其中,LIN2.1协议于2006年11月发布,是目前较新的一个版本。它与最新的LIN2.2协议几乎没有区别,却比它的前身LIN2.0协议有明显的改进,主要体现在加入了事件触发帧的竞争处理、完善了节点配置功能和进行了诊断分级三个方面。这些改进使用户可以更加方便和快速地组织LIN网络,可以根据自己的需求重新设置LIN网络,既保证了产品的稳定性,又满足了用户的个性化需求,是LIN总线自身发展过程中很有意义的一步。 1 LIN2.1协议的新特点 1.1事件触发帧
[嵌入式]
西部数据96层3D NAND已开始交货,加速2D3D产线转换
就在西部数据 (Western Digital ) 与日本半导体大厂东芝 (Toshiba) 就出售半导体部门,给予贝恩资本 (Bain Capital) 所领军的美日韩联盟一事达成和解之后,日前西部数据召开会议,主要讨论关于与东芝合作的各项协议细则。另外,还提出 NAND 快闪存储器的生产计划,并宣布开始将 96 层堆叠的 3D NAND 快闪存储器交付零售商销售。 在会议上,西部数据报告了采用BiCS3和BiCS4 等3D NAND快闪存储器的生产状况。由于 BiCS3 技术所生产的 3D NAND 快闪存储器,最大堆叠数目只能到 64 层堆叠,而 BiCS4 技术所生产的 3D NAND 快闪存储器,其最大堆叠数目可达到
[半导体设计/制造]
英特尔与美光新加坡合资NAND闪存厂投产
    英特尔官员日前表示,英特尔和美光联手在新加坡投资30亿美元兴建的NAND闪存厂周四开始投产。     之前由于爆发全球性金融危机,加上内存产品价格低迷,英特尔和美光刚开始就推迟了兴建这座工厂的计划,不过双方于2010年又把这项计划重新提上日程。双方表示,由于进展顺利,工厂提前完工。     英特尔非易失性存储解决方案集团副总裁托马斯·兰波尼(Thomas Rampone)称这座工厂刚开始每月可生产数千块晶片,明后两年每月可生产2.5万块晶圆。每块晶圆包含有许多闪存芯片。     目前,美光和英特尔在美国拥有2家合资厂。随着市场对芯片产品需求的不断扩大,双方再度联手新建了这座工厂,面向移动设备制造商销售产品。    
[手机便携]
旺宏NOR Flash获ST采用 导入车用工业市场
旺宏接单报捷,旗下编码型快闪存储器( NOR Flash)获意法半导体(STM)新款微控制器采用,导入汽车、工业及消费电子等领域。 这是旺宏在美光和赛普拉斯二大厂淡出NOR Flash领域后,挟高品质的口碑,获欧系半导体大厂青睐,成为存储器采购主要对象。 旺宏表示,新开发的极速8位元I/O NOR Flash,操作频率达250MHz,数据传输速率达每秒500MB,可满足汽车、工业等对快速启动及即时反应需求。 此外,旺宏今年也卡位比特币市场,Flash产品打入挖矿机的供应链,此市场客户需要高容量的产品,目前全球只有旺宏以及其它2家厂商可以生产。 2017年旺宏在NOR型快闪存储器的市占率约30%,称霸全球市场。另外,小于75纳米制程产
[嵌入式]
更小、更薄、更轻!兆易创新业界超小尺寸FO-USON8封装128Mb SPI NOR Flash面世!
更小、更薄、更轻!兆易创新业界超小尺寸3mm×3mm×0.4mm FO-USON8封装128Mb SPI NOR Flash面世! 中国北京(2023年5月16日) —— 业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice(股票代码 603986)今日宣布,率先推出采用3mm×3mm×0.4mm FO-USON8封装的SPI NOR Flash——GD25LE128EXH ,其最大厚度仅为0.4mm,容量高达128Mb,是目前业界在此容量上能实现的最小塑封封装产品,可在应对大容量代码存储需求的同时,提供极大限度的紧凑型设计自由。 近年来,随着物联网、可穿戴、健康监护、网通等应用的快速发展,市场需求变化多样,不仅要
[嵌入式]
更小、更薄、更轻!兆易创新业界超小尺寸FO-USON8封装128Mb SPI NOR <font color='red'>Flash</font>面世!
三星电子宣布开发出其首款基于第八代 V-NAND 的车载 SSD
9 月 24 日消息,三星电子今日宣布成功开发其首款基于第八代 V-NAND 技术的 PCIe 4.0 车载 SSD——AM9C1,能够满足汽车半导体质量标准 AEC-Q100 的 2 级温度测试标准,在-40°C 至 105°C 的温度范围内都能保持稳定运行。 据介绍,256GB 版本的三星 AM9C1 相比前代产品 AM991 能效提高约 50%,顺序读写速度分别达到了 4,400MB/s 和 400MB/s。 三星半导体基于第八代 V-NAND 技术的车载 SSD AM9C1 三星电子副总裁兼存储器事业部汽车业务负责人 Hyunduk Cho 表示:“我们正在与全球自动驾驶汽车厂商合作,为这些企业提供高性能、高容量的车载
[汽车电子]
三星电子宣布开发出其首款基于第八代 V-<font color='red'>NAND</font> 的车载 SSD
小广播
最新嵌入式文章
何立民专栏 单片机及嵌入式宝典

北京航空航天大学教授,20余年来致力于单片机与嵌入式系统推广工作。

换一换 更多 相关热搜器件

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved