美光推出176层3D NAND Flash，新技术新架构-电子工程世界

据美媒Anandtech报道，美光日前宣布了其第五代3D NAND闪存，新一代产品拥有破纪录的176层构造。报道指出，新型176L闪存是自美光与英特尔的存储器合作解散以来推出的第二代产品，此后美光从浮栅（ floating-gate）存储单元设计转变为电荷陷阱（charge-trap）单元。

美光公司的上一代3D NAND采用的是128层设计，这是它们的短暂过渡节点，可帮助他们解决向陷阱闪存切换碰到的任何问题。美光的128L闪存在市场上的占有率极低，因此在许多情况下，他们的新型176L闪存也将替代其96L 3D NAND。

根据报道，美光并没有披露其176L NAND的更多技术细节。但就目前而言，我们知道他们的第一个176L部件是使用两个88层平台的字符串堆叠（string stacking ）构建的512Gbit TLC芯片，就可以制造多少层NAND闪存单元而言，美光现在似乎仅次于三星。

报道进一步指出，在使用电荷陷阱单元设计替代栅极设计之后，美光似乎已大大降低了闪存每一层的厚度。数据显示，176L裸片的厚度仅为45μm，总厚度与美光公司的64L浮栅3D NAND相同。

而一个16 die堆叠式封装的厚度不到1.5mm，这适合大多数移动和存储卡使用场景。与上一代的Micron 3D NAND一样，芯片的外围逻辑大部分是在NAND存储单元堆栈下制造的，Micron将该技术称为“CMOS under Array”（CuA）。这帮助美光带来了一些最小的裸片尺寸，美光估计他们的176L 512Gbit裸片比其竞争对手目前提供的最佳裸片小约30％。

从报道我们还可以看到，美光的176L NAND支持的接口速度为1600MT / s，高于其96L和128L闪存的1200MT / s。比其他解决方案高33％。就容量而言，176层管芯可以容纳20-30小时的1920x1080p视频，。

与96L NAND相比，读（写）延迟改善了35％以上，与128L NAND相比，改善了25％以上。与使用96L NAND的UFS 3.1模块相比，美光科技的总体混合工作负载改善了约15％。

美光公司的176L 3D NAND目前其新加坡工厂制造，并已经开始批量生产，并且已经在一些Crucial品牌的消费类SSD产品中发货。但是，美光尚未说明哪些特定Crucial产品现在正在使用176L NAND（就此而言，则使用其128L NAND），因此我们希望目前这是一个相当小批量的产品。

尽管如此，在明年，我们应该能看到美光176L NAND的产量提高到比其128L工艺所能达到的更高的水平，并且我们可以期望发布基于此176L NAND的各种各样的产品，并取代大多数使用其96L NAND的产品。

美光方面表示，公司的176层NAND具有里程碑式的意义，这有几个原因。一方面，该技术的密度是早期3D NAND设计的近10倍，这就意味着智能手机可以做更多的事情，可以存储更多的东西；其次，对于更多的人来说价格甚至更低，从而改善了他们的日常生活。

他们进一步支持，这种新型176层器件不仅比以前的器件密度更高，而且还通过创新的电路设计融合了业界最高的数据传输速率。美光公司的工程师设计并建造了这种超高密度存储，同时对NAND进行了重大的架构更改，这将使下游设备的创新在未来数年内得以实现。

关键字：NAND 美光引用地址：美光推出176层3D NAND Flash，新技术新架构

上一篇：人工智能驱动内存互连进化
下一篇：铁电妙用大，下一代存储就靠它

推荐阅读最新更新时间：2024-10-31 14:37

英特尔Micron联手志重夺NAND工艺领先地位

　　英特尔和Micron正在NAND工艺技术之战中争取领先地位。在近期的电话会议上，Micron宣布自己的20纳米级别NAND产品将在很短时间内出样。Micron没有指明具体的工艺，很多人预期他们将在2010年年初公布更多细节。　　　　预计Micron将和自己在NAND领域的合作伙伴英特尔在2010年推出一款20纳米级别的NAND产品。凭借此产品，英特尔和Micron将超越三星和东芝。英特尔和Micron此前合资组建了IM Flash技术有限责任公司。　　　　这两家公司都在出售基于NAND技术的固态硬盘（SSD）产品。分析人士称，英特尔已立足SSD市场，而Micron还在此领域挣扎。　　　　Micron在不久前结束的上

[半导体设计/制造]

赛普拉斯推出3款高安全SLC NAND

全新赛普拉斯SLC NAND闪存系列可降低系统成本，提升系统安全性高耐用性1Gb-4Gb SecureNAND器件集成NOR闪存的安全特性，用以保护高安全系统中的启动代码、系统固件和应用赛普拉斯半导体公司（Nasdaq：CY）今日宣布推出面向高安全应用的单层单元（SLC）NAND闪存系列。此前，高安全应用的设计者一直使用带有分区保护的NOR闪存存储启动代码，并利用商用级SLC NAND闪存存储系统固件和应用。全新的赛普拉斯SecureNAND 闪存系列通过为机顶盒、POS机、可穿戴设备和其他高安全应用提供带有集成式分区保护特性的单一非易失性内存，可帮助用户降低系统成本，提高系统的安全性。赛普拉斯SecureNAND系列包

[嵌入式]

恒忆新系列NAND闪存采用41nm制造工艺

北京，2008年12月18日——NOR、NAND、RAM和PCM（相变移位存储器）解决方案提供商恒忆公司（Numonyx）针对无线通信、嵌入式设计和数据存储市场推出新系列NAND闪存产品。新系列产品包括32Gb（gigabits）的多级单元 (MLC) NAND闪存、32GB（gigabytes）的eMMC存储芯片和高达8 GB的 microSD产品，全部采用41nm制造工艺。对于手机、便携导航仪等消费电子产品厂商，这些新产品将是一系列易于设计的存储器解决方案；对于消费者，新产品将提供更大的存储空间，他们可以在设备上保存相片、视频和音乐，使用流行的多媒体应用程序。从机顶盒到手机，凡是消费电子产品都要储存大量的数据，

[模拟电子]

旺宏NAND论文获国际肯定

　　内存大厂旺宏 (2337)在3D NAND Flash研发获得重成果，昨(29)日宣布，最新研发3D NAND 记忆晶胞架构的论文入选国际电子组件大会(IEDM)，被评选为「亮点论文」，是今年台湾产学研界唯一获选的厂商，彰显旺宏在先进内存研发实力受到国际高度肯定，也显示旺宏在业界最关注的3D NAND 议题上扮演重要角色。下面就随手机便携小编一起来了解一下相关内容吧。　　旺宏强调，独立研发的平坦垂直渠道型晶体管结构(SGVC)，相较其他大厂现有技术，以相同的堆栈层数，却可达到二到三倍的内存密度。　　目前很多公司大举投入64层或72层等3D NAND 型闪存开发，旺宏开发的SGVC新3D NAND Fl

[手机便携]

三星推出全新便携式SSD T5，采用64层V-NAND，最高容量达2TB！

　　三星电子有限公司宣布推出三星移动固态硬盘T5-全新的移动固态硬盘(PSSD)，提升了外部存储产品的性能标准。下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。　　T5采用三星最新的64层V-NAND(垂直NAND)技术和紧凑耐用的设计，具有业界领先的传输速度和加密的数据安全性，使消费者更轻松随时随地访问其最有价值的数据。　　三星电子品牌产品营销高级副总裁Un-SooKim表示：“三星这些年一直在推动便携式存储和固态硬盘的可行性，移动固态硬盘T5继续保持了领先地位和创新能力。我们相信，T5将通过更快的速度和轻巧而便利的坚固设计，超越消费者对外部存储的期望。它是寻求快速、耐用和安全设备的消费者和专业人士的理想便携式存

[网络通信]

三星260亿美元的豪赌：想垄断DRAM和NAND闪存市场

　　据外媒报道，经过50年的发展，半导体市场仍然显得非常活跃，它在今年有望增长20%。随着高增长而来的是供应短缺，这就是 DRAM 和闪存价格为什么今年会上涨的原因。下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。　　三星在 DRAM 和闪存市场占有半壁江山。它计划明年将其在生产方面的资本支出预算提到1.5倍，提高至260亿美元。相对而言，英特尔在2017年的资本支出预算仅为120亿美元，较2016年增长了25%。事实上，三星的预算约为2017年三家大公司英特尔、台积电和SK海力士的资本支出预算的总和。　　三星的主要竞争对手现在面临着一个艰难的抉择。它们要么提高资本支出预算，保障足够的供应量，从而保有自己的市场份额

[网络通信]

研调：NAND Flash产业再进化，TLC料获市场动能

随着TLC产品的主流应用开始从记忆卡与随身碟产品往eMMC/eMCP与SSD等OEM储存装置移动，加上NAND Flash业者也已陆续推出完整的TLC储存解决方案，TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange预估，今年TLC产出比重将持续攀升，并将在第四季接近整体NAND Flash产出的一半。 DRAMeXchange研究协理杨文得表示，由于成本较具优势，过去TLC广泛应用在记忆卡与随身碟等外插式产品中。三星从2013年起积极将TLC导入eMMC/eMCP与Client-SSD，并在2014年近期取得相当成功的市占后，也逐步将TLC导入资料中心与伺服器的固态硬碟，迫使其他NAND Flash

[手机便携]

美光、高通等七家美企复供华为

周一，美国白宫召集包括高通公司、英特尔、Alphabet Inc.旗下谷歌(Google)、美光、西部数据、思科和博通这七家主要芯片制造商和科技公司的首席执行长(CEO)们，就华为禁令展开讨论…… 美国白宫召集多家科技企业的高管，就华为禁令展开讨论。国际电子商情昨日有做相关报道（禁令升级？白宫召集英特尔、高通等美企就华为禁令展开讨论）美国总统特朗普会见了包括高通公司、英特尔、Alphabet Inc.旗下谷歌(Google)、美光、西部数据、思科和博通这七家主要芯片制造商和科技公司的首席执行长(CEO)们。华尔街日报最新报道称，由于美国正寻求重启与中国的贸易谈判，美国总统特朗普在周一的会议中称，将会及时对希望继续向

[半导体设计/制造]

热门资源推荐
热门放大器推荐

小广播