旺宏NAND论文获国际肯定-电子工程世界

　　内存大厂旺宏(2337)在3D NAND Flash研发获得重成果，昨(29)日宣布，最新研发3DNAND记忆晶胞架构的论文入选国际电子组件大会(IEDM)，被评选为「亮点论文」，是今年台湾产学研界唯一获选的厂商，彰显旺宏在先进内存研发实力受到国际高度肯定，也显示旺宏在业界最关注的3D NAND议题上扮演重要角色。下面就随手机便携小编一起来了解一下相关内容吧。

　　旺宏强调，独立研发的平坦垂直渠道型晶体管结构(SGVC)，相较其他大厂现有技术，以相同的堆栈层数，却可达到二到三倍的内存密度。

　　目前很多公司大举投入64层或72层等3D NAND 型闪存开发，旺宏开发的SGVC新3D NAND Flash只要堆栈16层，内存密度即可达到现行闸极环绕型结构 (GAA)所堆栈48效果。

　　此外，由于记忆晶胞为平坦垂直渠道型晶体管结构，可大幅减少几何效应对于整体电性的敏感度，适合于需要频繁读取数据的各式应用，低层数的堆栈也有利提升制程良率。

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